一种MEMS器件及其制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种MEMS器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，形成覆盖第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对第一衬底进行减薄处理；图案化第一衬底，以形成上电极；去除部分牺牲材料层，使所牺牲材料层的侧壁与上电极的侧壁对齐，并在牺牲材料层暴露的侧壁上形成保护层；对第二衬底的背面进行刻蚀，以形成下电极以及空腔；刻蚀去除部分牺牲材料层，以使上电极悬浮，位于上电极与第二衬底之间剩余的牺牲材料层作为锚点。根据本发明专利技术的方法，避免在湿法刻蚀过程对牺牲材料层造成的过蚀刻，提高MEMS器件的良率和性能。

MEMS device and manufacturing method thereof and electronic device

The invention provides an MEMS device, a manufacturing method thereof and an electronic device, relating to the field of semiconductor technology. The method includes providing a first substrate and a second substrate, forming a positive coverage of the second substrate and the sacrificial layer and the bottom side of the groove wall, and the front side of the first surface of the first substrate and the second substrate is bonded to the first substrate; thinning processing; the first patterned substrate to form. The upper electrode; remove part of the sacrificial layer, the side wall of the side wall material layer at the expense of alignment and the upper electrode, and the protective layer is formed on the sacrificial layer on the exposed side wall material; on the back of the second substrate is etched to form a lower electrode, and the etching cavity; part of the sacrificial material layer is removed, so that the upper electrode suspension, located between the upper electrode and the second substrate layer of sacrificial material remaining as the anchor. In accordance with the method of the invention, the over etching of the sacrificial material layer during wet etching process is avoided, and the yield and performance of the MEMS device are improved.

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件及其制造方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种MEMS器件及其制造方法和电子装置。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integratedcircuit，IC)技术。其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗、重量以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。在现有的MEMS制作工艺中，为了形成MEMS结构，往往在MEMS器件制作过程中涉及到牺牲材料层的使用和释放过程，如图1A和图1B所示，位于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底，图案化所述第二衬底的正面形成若干凹槽，以及形成覆盖所述第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将所述第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行减薄处理；图案化所述第一衬底，以形成上电极和贯穿所述上电极暴露部分所述牺牲材料层的若干释放孔；去除部分所述牺牲材料层，使所述牺牲材料层的侧壁与所述上电极的侧壁对齐，并在所述牺牲材料层暴露的侧壁上形成保护层；翻转所述第二衬底使其背面朝上，对与所述上电极位置对应的所述第二衬底的背面进行刻蚀，直到暴露部分所述牺牲材料层，以形成...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底，图案化所述第二衬底的正面形成若干凹槽，以及形成覆盖所述第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将所述第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行减薄处理；图案化所述第一衬底，以形成上电极和贯穿所述上电极暴露部分所述牺牲材料层的若干释放孔；去除部分所述牺牲材料层，使所述牺牲材料层的侧壁与所述上电极的侧壁对齐，并在所述牺牲材料层暴露的侧壁上形成保护层；翻转所述第二衬底使其背面朝上，对与所述上电极位置对应的所述第二衬底的背面进行刻蚀，直到暴露部分所述牺牲材料层，以形成下电极以及空腔，其中，所述刻蚀未穿透所述第二衬底；刻蚀去除部分所述牺牲材料层，以使所述上电极悬浮，位于所述上电极与所述第二衬底之间剩余的所述牺牲材料层作为锚点。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一衬底为SOI衬底，所述SOI衬底包括底层硅、位于底层硅上的埋层氧化物以及位于埋层氧化物上的顶层硅。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述减薄处理包括依次去除所述顶层硅和所述埋层氧化物的步骤。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除部分所述牺牲材料层以及形成所述保护层的步骤包括以下步骤：刻蚀去除部分所述牺牲材料层，使所述牺牲材料层的侧壁与所述上电极的侧壁对齐；在所述上电极和所述第二衬底暴露的表面以及所述牺牲材料层暴露的表面和侧壁上形成保护层；刻蚀去除部分所述保护层，保留所述牺牲材料层侧壁上的所述保护层。5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在刻蚀去除部分所述保护层的步骤中，所述刻蚀选用地毯式干法刻蚀。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述上电极和所述若干释放孔之后去除部分所述牺牲材料层的步骤之前，还包括步骤：刻蚀所述上电极一侧暴露的牺牲材料层暴露部分所述第二衬底，形成焊盘开口；沉积焊盘材料层覆盖所述上电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31