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本发明提供一种MEMS器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，形成覆盖第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对第一衬底进行减薄处理...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。