一种低功耗低温度系数的电压基准源电路制造技术

一种低功耗低温度系数的电压基准源电路，其特征在于包括PTAT电流产生电路和负载电路；PTAT电流产生电路与负载电路一端相连，基准电压源由所述负载电路输出，所述PTAT电流产生电路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM5和NM6组成，PM0、PM1、PM2、PM3为PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM5和NM6为NMOS管。本实用新型专利技术与已有技术相比，具有即使是低电压，甚至是超低电压下，也能正常工作的优点。

Low power consumption and low temperature coefficient voltage reference circuit

A voltage reference circuit with low power consumption and low temperature coefficient, which comprises a PTAT current generating circuit and a load circuit; PTAT current generating circuit is connected with the load circuit at one end of the load, the reference voltage source circuit output, the PTAT current generating circuit is composed of PM0, PM1, PM2, PM3, NM0, NM1, NM2, NM5 and NM6, PM0, PM1, PM2, PM3, PMOS, NM1, NM0, NM2, NM5 and NM6 for NMOS tube. Compared with the prior art, the utility model has the advantages that the utility model can work normally even under the low voltage or even the ultra low voltage.

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗低温度系数的电压基准源电路
本专利技术涉及芯片的电压基准源
，尤其涉及一种低功耗低温度系数的电压基准源电路。
技术介绍
基准电压源是集成电路中极为重要的模块，广泛应用于模拟、数字、模数混合电路中，特别是在数模转化器和模数转换器等系统中。对模拟系统而言，基准电压源的性能直接影响整个系统的精度，而基准电压源的性能主要受温度的影响，因此需要设计出一种输出与温度无关的基准电压源。传统的基准电压源采用带隙基准技术设计，这些设计中，都是利用双极型晶体管的基极—发射极电压具有负温度特性，而工作在不同电流密度下的基极—发射极电压之差则具有正温度特性，两者相互补偿可得到与温度无关的输出电压。采用带隙基准技术设计的基准电压源的输出电压大于1V，其典型值是1.25V，而当今由于移动电子设备的增多，要求模拟集成电路的电源电压能够降至1V左右，功耗在uW量级上，降低功耗的一个重要方法就是降低电源电压，因此带隙基准难以达到低功耗要求。与此同时，随着CMOS工艺发展到深亚微米，一些标准CMOS工艺未提供三极管器件，带隙基准不再适用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗低温度系数的电压基准源电路，其特征在于包括PTAT电流产生电路和负载电路；PTAT电流产生电路与负载电路一端相连，基准电压源由所述负载电路输出，所述PTAT电流产生电路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6组成，PM0、PM1、PM2、PM3为PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6为NMOS管，PM0漏极d与NM3漏极d连接，PM0栅极g与PM2栅极d连接，PM0源极s与电源VDD连接，PM0衬底与电源VDD相连；PM1漏极d与其栅极g连接，PM1源极s与电源VDD连接，PM1衬底接电源VDD；PM2漏极d与其栅极g连接，...

【技术特征摘要】
1.一种低功耗低温度系数的电压基准源电路，其特征在于包括PTAT电流产生电路和负载电路；PTAT电流产生电路与负载电路一端相连，基准电压源由所述负载电路输出，所述PTAT电流产生电路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6组成，PM0、PM1、PM2、PM3为PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM3、NM5和NM6为NMOS管，PM0漏极d与NM3漏极d连接，PM0栅极g与PM2栅极d连接，PM0源极s与电源VDD连接，PM0衬底与电源VDD相连；PM1漏极d与其栅极g连接，PM1源极s与电源VDD连接，PM1衬底接电源VDD；PM2漏极d与其栅极g连接，PM2源极s与电源VDD连接，PM2衬底与电源VDD连接；PM3漏极d与NM1漏极d连接，PM3栅极g与PM1栅极g连接，PM3源极s与电源VDD连接，PM3衬底与电源VDD连接；NM0漏极d与PM1漏极d连接，NM0栅极g与NM3栅极g连接，NM0源极s与NM6漏极d连接，NM0衬底接地GND；NM1漏极d与其栅极g连接，NM1源极s接地GND，...

【专利技术属性】
技术研发人员：段志奎，朱珍陈建文，吴江旭，王兴波，谭海曙，朱珍，于昕梅，樊耘，杨发权，肖永豪，周月霞，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：新型
国别省市：广东,44