半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、至少一个有源半导体鳍、至少一个绝缘结构、栅电极和栅极电介质。有源半导体鳍设置在衬底上。绝缘结构设置在衬底上并且邻近于有源半导体鳍。绝缘结构的顶面是非凹面的并且低于有源半导体鳍的顶面。栅电极设置在有源半导体鳍上方。栅极电介质设置在栅电极和有源半导体鳍之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了指数型增长。IC材料和设计方面的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化过程中，在几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小组件(或线))减小的同时，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大。这样的按比例缩小工艺提供了提高的生产效率和降低的相关成本。这种按比例缩小已经增大了处理和制造IC的复杂性并且提供了IC工艺和制造中类似的改进。例如，已经引进诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维晶体管来代替平面晶体管。该鳍式晶体管具有与顶面和相对侧壁相关的沟道(称为鳍部沟道)。该鳍部沟道具有由顶面和相对侧壁限定的总沟道宽度。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：衬底；至少一个有源半导体鳍，设置在所述衬底上；至少一个绝缘结构，设置在所述衬底上并且邻近于所述有源半导体鳍，其中，所述绝缘结构的顶面是非凹面的并且低于所述有源半导体鳍的顶面；栅电极，设置在所述有源半导体鳍的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：衬底；至少一个有源半导体鳍，设置在所述衬底上；至少一个绝缘结构，设置在所述衬底上并且邻近于所述有源半导体鳍，其中，所述绝缘结构的顶面是非凹面的并且低于所述有源半导体鳍的顶面；栅电极，设置在所述有源半导体鳍的上方；以及栅极电介质，设置在所述栅电极和所述有源半导体鳍之间。

【技术特征摘要】
2015.12.30 US 14/984,5551.一种半导体结构，包括：衬底；至少一个有源半导体鳍，设置在所述衬底上；至少一个绝缘结构，设置在所述衬底上并且邻近于所述有源半导体鳍，其中，所述绝缘结构的顶面是非凹面的并且低于所述有源半导体鳍的顶面；栅电极，设置在所述有源半导体鳍的上方；以及栅极电介质，设置在所述栅电极和所述有源半导体鳍之间。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述绝缘结构的所述顶面是平坦的。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述绝缘结构的所述顶面是凸面。4.一种半导体结构，包括：衬底；第一绝缘结构和第二绝缘结构，设置在所述衬底上，其中，所述第一绝缘结构和所述第二绝缘结构中包括不同的掺杂剂；至少一个第一有源半导体鳍，设置在所述衬底上并且具有突出于所述第一绝缘结构的突出部分；以及至少一个第二有源半导体鳍，设置在所述衬底上并且具有突出于所述第二绝缘结构的突出部分，其中，所述第一有源半导体鳍的所述突出部分和所述第二有源半导体鳍的所述突出部分具有不同的高度。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第一有源半导体鳍和所述第二有源半导体鳍具有从所述衬底处的相同的高度。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，巫柏奇，林志翰，曾鸿辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71