温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、至少一个有源半导体鳍、至少一个绝缘结构、栅电极和栅极电介质。有源半导体鳍设置在衬底上。绝缘结构设置在衬底上并且邻近于有源半导体鳍。绝缘结构的顶面是非凹面的并且低于有源半导体鳍的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。