【技术实现步骤摘要】
封装件
本专利技术涉及半导体领域,具体地,涉及一种封装件。
技术介绍
在集成电路的封装中,具有不同类型的封装方法和结构。例如,在传统的层叠封装(POP)工艺中,顶部封装件接合至底部封装件。顶部封装件和底部封装件还可以具有封装在其中的器件管芯。通过采用PoP工艺,可以提高封装件的集成水平。在现有的PoP工艺中,首先形成包含接合至封装件衬底的器件管芯的底部封装件。模塑料被模制在封装件衬底上,其中器件管芯被模制在模塑料中。封装件衬底进一步包括形成在其上的焊球,其中,焊球和器件管芯在封装件衬底的同一侧上。焊球用于将顶部封装件连接至底部封装件。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供一种封装件,包括:第一导电焊盘,其中多个开口穿透第一导电焊盘;环绕第一导电焊盘的介电层,其中,介电层包括填充多个开口的部分;第一凸块下金属(UBM),包括延伸进入介电层中以接触第一导电焊盘的第一孔部分;焊料区域,位于第一UBM上方并且接触第一UBM;以及集成无源器件,其中,焊料区域将第一UBM接合至集成无源器件。根据本专利技术的另一方面,提供一种封装件,包括:器件管芯;通孔;包封材料,包封材料 ...
【技术保护点】
一种封装件,包括:第一导电焊盘,其中多个开口穿透所述第一导电焊盘;环绕所述第一导电焊盘的介电层,其中,所述介电层包括填充所述多个开口的部分;第一凸块下金属(UBM),包括延伸进入所述介电层中以接触所述第一导电焊盘的第一孔部分;焊料区域,位于所述第一凸块下金属上方并且接触所述第一凸块下金属;以及集成无源器件,其中,所述焊料区域将所述第一凸块下金属接合至所述集成无源器件。
【技术特征摘要】
2015.12.28 US 14/979,9541.一种封装件,包括:第一导电焊盘,其中多个开口穿透所述第一导电焊盘;环绕所述第一导电焊盘的介电层,其中,所述介电层包括填充所述多个开口的部分;第一凸块下金属(UBM),包括延伸进入所述介电层中以接触所述第一导电焊盘的第一孔部分;焊料区域,位于所述第一凸块下金属上方并且接触所述第一凸块下金属;以及集成无源器件,其中,所述焊料区域将所述第一凸块下金属接合至所述集成无源器件。2.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括;在所述第一导电焊盘下面的多个再分布线;在所述多个再分布线下面的包封材料;包封在所述包封材料中的通孔;以及包封在所述包封材料中的器件管芯。3.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第一导电焊盘横向延伸超过所述第一凸块下金属的边缘。4.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述多个开口对准环,其中所述第一导电焊盘具有在所述环外侧的外部部分以及在所述环内侧的内部部分,并且所述第一孔部分具有接触所述第一导电焊盘的所述内部部分的顶部表面的底部表面。5.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第一凸块下金属包括接触所述第一导电焊盘的多个孔部分,其中所述第一孔部分为所述多个孔部分中的一个。6.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述多个开口从所述第一导电焊盘的顶部表面延伸至所述第一导电焊盘的底部表面。7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢正贤,许立翰,吴伟诚,陈宪伟,叶德强,吴集锡,余振华,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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