密封电封装件制造技术

密封电封装件包括：第一透明阻挡层；第二阻挡层，接合到第一阻挡层，并且限定多个馈通孔；光电子装置，夹在第一与第二阻挡层之间，光电子装置包括阳极、光电有源层和阴极；以及导电片，电耦合到阴极或阳极，并且横跨至少一个馈通孔设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封电封装件
技术介绍
光电子装置一般包括发光装置和光伏装置。这些装置一般包括夹在两个电极之间的有源层，其中两个电极有时称作前电极和背电极，其中至少一个通常是透明的。有源层通常包括一个或多个半导体材料。在发光装置、例如有机发光二极管(OLED)中，施加在两个电极之间的电压使电流流经有源层。电流使有源层发光。在光伏装置例如太阳能电池中，有源层吸收来自光线的能量，并且将此能量转换成作为两个电极之间的电压和/或电流而呈现的电能。光电子装置可通过各种方式来生产。一种途径是使用半导体材料的真空沉积， 以及第二种途径是使用溶液制备材料。包括玻璃和塑料膜的各种衬底能够用作其上沉积层的基底。备选地，光电子装置可使用不透明层(金属或者聚合物或者陶瓷)作为衬底来构建，并且采用交替构建序列。与装置的构造无关，需要提供一种封装密封封装件以保护其免受暴露于水分和氧的劣化效应。封装件还必须提供按照馈通配置的电互连，以便连接封装件外部的电源。OLED采取扁薄格式来生产，供用作显示器或用于一般照明。塑料衬底的使用提供最薄且最柔性的配置，并且还提供低成本卷对卷(roll-to-roll)生产的可能性。相应地， 需要既薄且柔性的封装技术，并且优选地可按照与OLED制作一致的卷对卷生产处理。封装件应当适合于大面积(高达大约一平方米或以上)显示器或者特定应用的发光体。称作超高阻挡(UHB)膜或UHB的阻挡膜用于直接制作OLED和其它光电子装置。这些膜通常由透明塑料膜上的薄透明氧化层组成，例如，如转让给General Electric Company的US 7015640、US7154220和US 7397183中所述。但是，阻挡膜在处理中可能被损坏，使得直接在阻挡膜上制作装置可使其性能降级并且造成水分进入通路。另外，水分和氧能够通过装置边缘处的粘合层并且还通过密封导线馈通的粘合剂横向渗透。此外，粘合剂和衬底材料中的固有水分能损坏装置。封装件设计必须与低成本材料和连续卷对卷生产兼容，并且材料集合必须是低成本并且适合于高速处理。因此，需要一种用于OLED和其它光电子装置的低成本生产的扩大应用的改进的薄柔性封装技术。
技术实现思路
简言之，在一个方面，本专利技术涉及一种密封电封装件，其包括第一透明阻挡层； 第二阻挡层，接合到第一阻挡层，并且限定多个馈通孔；光电子装置，夹在第一与第二阻挡层之间，该光电子装置包括阳极、光电有源层(photoelectrically active layer)和阴极； 导电片，电耦合到阴极或阳极，并且横跨至少一个馈通孔设置。在一些实施例中，第二阻挡层包括其中包含至少一个导电金属层和/或至少一个粘合层的多层结构。在一些实施例中，导电片通过粘合层接合到第二阻挡层。密封电封装件可包括多个导电阳极片或多个导电阴极片或者多个导电阳极片和多个导电阴极片。在一些实施例中，导电片夹在光电子装置与第二阻挡层之间；在其它实施例中，导电片设置在第二阻挡层的与光电子装置相反的表面，以及在又一些实施例中，密封电封装件另外包括设置在第二阻挡层上的第三阻挡层， 并且导电片夹在第二与第三阻挡层之间。密封电封装件另外可包括电耦合到导电片的外部总线。在另一个方面，本专利技术涉及用于制造密封电封装件的卷对卷过程。该过程包括提供包括阴极、阳极和光电子有源层(optoelectronically active layer)的光电子装置；将光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间；将至少一个导电片设置在第二阻挡层上；在第二阻挡层中形成多个馈通孔；以及将导电片电耦合到阴极或阳极。在一些实施例中，将至少一个导电片设置在第二阻挡层上的步骤在将光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间的步骤之前来执行。在其它实施例中，将至少一个导电片设置在第二阻挡层上的步骤在将光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间的步骤之后来执行。该过程另外可包括将第三阻挡层设置在第二阻挡层上并且将导电片夹在第二阻挡层与第三阻挡层之间。在又一个方面，本专利技术涉及一种大面积密封封装的光电子装置，其中包括第一透明阻挡层；第二阻挡层，接合到第一阻挡层，并且限定多个馈通孔；光电子装置，夹在第一与第二阻挡层之间，该光电子装置包括阳极、光电有源层和阴极；至少一个导电片，电耦合到阳极或阴极，并且横跨至少一个馈通孔设置；以及外部总线，电耦合到每个导电片；在一些实施例中，包括电耦合到阳极的多个导电片和电耦合到多个导电片的每个的外部总线。在又一个方面，本专利技术涉及一种包括阻挡层的产品，阻挡层限定至少一个馈通孔以及至少一个导电片，所述至少一个导电片横跨至少一个馈通孔设置并且配置成通过至少一个馈通孔来导电。附图说明通过参照附图阅读以下详细描述，会更好地理解本专利技术的这些及其它特征、方面和优点，附图中，相似符号在附图中通篇表示相似部件，其中图IA和图IB是包括透明阻挡层的光电子装置的截面图。图2A和图2B是包括内部导电片的密封电封装件的截面图。图3是包括外部导电片的密封电封装件的截面图。图4是包括多层背板的密封电封装件的截面图，该多层背板在层中具有导电片。图5是示出外部电连接器的密封电封装件的截面图。图6是密封电封装件的平面图。图7是用于制造密封电封装件的卷对卷过程的示意图。具体实施例方式图IA示出组合光电子装置10，其可以是具体为OLED的发光装置或者诸如光伏 (PV)电池之类的光吸收装置，并且包括塑料或玻璃衬底102、透明阻挡层104、形成第一电极(通常为阳极)的透明导电层106、光电子有源层108和第二电极(阴极)110。在一些实施例中，透明阻挡层存在于不同位置中，而在其它实施例中，透明阻挡层不存在。诸如空穴注入、空穴传输、电子注入和电子传输层之类的附加层经常包含在OLED中，并且可存在于根据本专利技术的密封封装的装置中，但不是关键。层118是可选绝缘层，可用于在制作期间对阴极提供机械保护和/或在后续步骤期间防止对其它封装件的电气短路。层112是保护装置的可选阻挡层。阴极触点114和阳极触点116用于形成电连接以激励装置。光电子装置10以图解方式示为单个像素装置，但是在本领域已知，单独像素能够按照串行配置整体地集成，并且触点114和116的确切位置可基于各种设计考虑因素而改变。图IA示出对阴极提供附加保护的可选第二阻挡层112，但在如图IB所示的一些实施例中可省略。在组合10中，表面120是发光或光吸收侧，而表面130是非发射背面。在本领域已知，OLED 可按照各种配置并且通过各种过程来制作。例如，转让给General Electric Company的 US6661029、US 6700322、US 6800999和US 6777871描述的可包含在根据本专利技术的密封封装件中的OLED装置及其制造方法。图IB示出在相邻像素之间具有串行互连配置的光电子装置11。在US 7049757中描述了 OLED装置的串行互连。在装置11中，层102、104、106、108、112和118以及表面120 和130与装置10中相同。在装置11中，两个或更多像素整体地串行连接，并且装置然后通过电触点114和116连接到电源。通过使相邻像素的阳极106电绝缘，使相邻像素的阴极 110电绝缘，并且然后将一个像素的阴极连接到相邻像素的阳极，来形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·法夸尔，M·S·赫尔措格，S·拉卡夫，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：