温测组件的封装方法、盖体结构及其制造方法技术

本申请提供一种温测组件的封装方法，包含下列步骤：提供盖板，并于盖板的第一表面上形成多个封装结构图案。在封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层。形成蚀刻保护区域，以及蚀刻热吸收层结构以产生开槽以暴露热电阻层。在热吸收层结构以及岛状体上形成金属层，其通过开槽电接触热电阻层。在封装结构图案上形成穿槽以暴露盖板。通过穿槽对盖板进行蚀刻在热吸收层结构下方形成槽穴，由蚀刻保护区域形成多个支撑柱。在衬底上设置芯片、电接触点以及焊接区。在真空中将盖板朝向芯片覆盖衬底进行焊接。

【技术实现步骤摘要】

下列叙述是有关于一种封装方法，特别是有关于温测组件的封装方法以及单片形成(monolithic)的盖体结构。
技术介绍
目前，红外线(IR)视频摄影机已经被应用于记录及贮存连续的热影像，在红外线(IR)视频摄影机中包含温测芯片，其包含温度传感组件数组(array)，每一温度传感组件数组可根据其接收到的红外线辐射能量而对应地改变其电阻值，因此每一温度传感组件数组的电阻值改变可对应热能量的强弱，每一温度传感组件数组便可产生热影像。温测芯片设置在基座上，然后以盖体与基座封装，而且为了避免封装空间中产生热对流而影响温度传感组件数组所传感的热能量，封装空间维持在真空状态，而温度传感组件数组的灵敏度与封装空间的真空程度有关。对于抽真空的过程，封装腔室体积越小越有利于抽真空的速度。但是在现有技术中，温测芯片需要放置在基座中，基座必须有一定的空间，所以，封装腔室体积不易缩小。
技术实现思路
有鉴于上述问题，本申请的目的是提供一种温测组件的封装方法，以有效提高温测组件的封装速率。有鉴于上述问题，本申请的另一目的是提供一种温测组件的封装方法，以有效降低封装体积提高温测组件的真空度。基于上述目的，本申请提供一种温测组件的封装方法，包含下列步骤。首先，提供盖板，其第一表面上具有多个封装结构图案，每一个封装结构图案可包含多个岛状体以及环状平台(bondingring)。在盖板中形成多个蚀刻保护区域。在每一个封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层。蚀刻热吸收层结构以产生多个开槽，其暴露热电阻层；在热吸收层结构以及岛状体上形成第一金属层，第一金属层通过开槽电接触热电阻层。在环状平台上形成第二金属层。在封装结构图案上形成多个穿槽以暴露盖板。通过穿槽对盖板进行蚀刻，以在热吸收层结构下方形成槽穴，并由蚀刻保护区域形成支撑柱。提供衬底，并在衬底上形成芯片、多个电接触点，以及至少一个焊接区。最后，在真空中将盖板的第一表面朝向芯片，覆盖衬底，将多个岛状体上的多个第一金属层与多个电接触点相焊接，以及将环状平台上的第二金属层与至少一个焊接区相焊接。优选地，热吸收层结构包含热吸收层以及保护层，在热电阻层形成于热吸收层上，而保护层形成于热电阻层上，而封装方法更包含蚀刻保护层以产生多个开槽。优选地，热吸收层结构包含第一热吸收层以及第二热吸收层，热电阻层形成于第一热吸收层以及第二热吸收层之间，而封装方法更包含蚀刻第二热吸收层以产生多个开槽。基于上述目的，本申请再提供一种温测组件的封装方法，包含下列步骤。提供盖板，盖板具有凹槽，凹槽内有多个支撑柱结构。在凹槽中填入牺牲材料并进行蚀刻，以形成多个封装结构图案，每一个封装结构图案可包含多个岛状体以及环状平台。在封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层。蚀刻热吸收层结构以产生多个开槽以暴露热电阻层。在热吸收层结构以及岛状体上形成第一金属层，金属层通过开槽电接触热电阻层。在环状平台上形成第二金属层。在封装结构图案上形成多个穿槽以暴露牺牲材料。通过多个穿槽对牺牲材料进行蚀刻，以在热吸收层结构下方形成槽穴以及保留多个支撑柱结构。提供衬底，并在衬底上设置芯片、多个电接触点，以及至少一焊接区。最后，在真空中将盖板上具有多个封装结构图案的表面朝向芯片，覆盖衬底，且将多个岛状体上的第一金属层与电接触点相焊接，以及将环状平台第二金属层与至少一个焊接区相焊接。优选地，热吸收层结构包含热吸收层以及保护层，在热电阻层形成于热吸收层上，而保护层形成于热电阻层上，而封装方法更包含蚀刻保护层以产生多个开槽。优选地，热吸收层结构包含第一热吸收层以及第二热吸收层，热电阻层形成于第一热吸收层以及第二热吸收层之间，而封装方法更包含蚀刻第二热吸收层以产生多个开槽。基于上述目的，本申请再提供一种用于芯片封装的盖体结构的制造方法，其包含下列步骤提供盖板，其第一表面上具有多个封装结构图案，每一封装结构图案可包含多个岛状体以及环状平台。在盖板中形成多个蚀刻保护区域。在封装结构图案上形成辅助层结构以及反应作用层。蚀刻辅助层结构以产生多个开槽，以暴露反应作用层。在辅助层结构以及岛状体上形成第一金属层，第一金属层通过多个开槽电接触反应作用层。在环状平台上形成第二金属层。在封装结构图案上形成多个穿槽，以暴露盖板。最后，通过多个穿槽，对盖板进行蚀刻，以在辅助层结构下方形成槽穴，而多个蚀刻保护区域形成多个支撑柱，由此以形成盖体结构。基于上述目的，本申请再提供一种用于芯片封装的盖体结构的制造方法，其包含下列步骤提供盖板，盖板具有凹槽，凹槽内有多个支撑柱结构。在凹槽中填入牺牲材料并进行蚀刻，以形成多个封装结构图案，每一封装结构图案可包含多个岛状体以及环状平台。在封装结构图案上形成辅助层结构以及反应作用层。蚀刻辅助层结构以产生多个开槽，以暴露反应作用层。在辅助层结构以及岛状体上形成第一金属层，第一金属层通过多个开槽电接触反应作用层。在环状平台上形成第二金属层。在封装结构图案上形成多个穿槽，以暴露牺牲材料。最后，通过多个穿槽对牺牲材料进行蚀刻，以在辅助层结构下方形成槽穴以及保留多个支撑柱结构，由此以形成盖体结构。优选地，辅助层结构包含热吸收层以及保护层，反应作用层可为热电阻层，在热电阻层形成于热吸收层以及保护层之间，而多个开槽穿透保护层。优选地，辅助层结构包含第一热吸收层以及第二热吸收层，反应作用层可为热电阻层，热电阻层形成于第一热吸收层以及第二热吸收层之间，而多个开槽穿透第二热吸收层。基于上述目的，本申请再提供一种用于封装的盖体结构，其包含盖板、辅助层结构、反应作用层、第一金属层以及第二金属层。盖板具凹槽，而凹槽中具有至少一个支撑柱以及环状平台。辅助层结构的第一表面可连接至少一个支撑柱，使反应作用层结构悬浮设置于凹槽上，辅助层结构的相对于第一表面的第二表面上具有多个岛状体以及凹陷区，在凹陷区中有多个开槽。反应作用层设置于辅助层结构中并由多个开槽所暴露。第一金属层形成于辅助层结构上并通过多个开槽电接触反应作用层。第二金属层形成于环状平台上。优选地，辅助层结构包含热吸收层以及保护层，反应作用层可为热电阻层，在热电阻层形成于热吸收层以及保护层之间，而多个开槽穿透保护层。优选地，辅助层结构包含第一热吸收层以及第二热吸收层，反应作用层可为热电阻层，热电阻层形成于第一热吸收层以及第二热吸收层之间，而多个开槽穿透第二热吸收层。附图说明本申请的上述及其它特征及优势将通过参照附图详细说明其例示性实施例而变得更显而易见，其中：图1为根据本申请的用于芯片封装的盖体结构的制造方法的第一实施例的流程图。图2A至图2J为根据本申请的用于芯片封装的盖体结构的制造方法的第一实施例的各个步骤的示意图。图3为根据本申请的温测组件的封装方法的第一实施例的部分流程图。图4A至图4B为本申请的温测组件的封装方法的第一实施例的部分示意图。图5为根据本申请的用于芯片封装的盖体结构的制造方法的第二实施例的流程图。图6A至图6J为本申请的温测组件的封装方法的第二实施例的部分示意图。图7为本申请的盖体结构的第一实施例的俯视图。图8为本申请的盖体结构的其它实施例的俯视图。图9为本申请的盖体结构的其它实施例的俯视图。附图标记说明10、70：盖板11：封装结构图案12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温测组件的封装方法，其特征在于，所述方法包含：提供盖板，所述盖板的第一表面上具有多个封装结构图案，每一所述多个封装结构图案包含多个岛状体以及环状平台(bonding ring)；在所述盖板中形成多个蚀刻保护区域；在每一所述多个封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层；蚀刻所述热吸收层结构以产生多个开槽，所述多个开槽暴露所述热电阻层；在所述热吸收层结构以及所述岛状体上形成第一金属层，所述第一金属层通过所述多个开槽电接触所述热电阻层；在所述环状平台上形成第二金属层；在所述封装结构图案上形成多个穿槽，所述多个穿槽暴露所述盖板；通过所述多个穿槽对所述盖板进行蚀刻，以在所述热吸收层结构下方形成槽穴，并由所述多个蚀刻保护区域形成多个支撑柱；提供衬底，并在所述衬底上形成芯片、多个电接触点，以及至少焊接区；以及在真空中将所述盖板的所述第一表面朝向所述芯片，覆盖所述衬底，将所述多个岛状体上的所述第一金属层与所述多个电接触点相焊接，以及将所述环状平台上的所述第二金属层与所述至少一个焊接区相焊接。

【技术特征摘要】
2015.08.24 TW 1041275761.一种温测组件的封装方法，其特征在于，所述方法包含：提供盖板，所述盖板的第一表面上具有多个封装结构图案，每一所述多个封装结构图案包含多个岛状体以及环状平台(bondingring)；在所述盖板中形成多个蚀刻保护区域；在每一所述多个封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层；蚀刻所述热吸收层结构以产生多个开槽，所述多个开槽暴露所述热电阻层；在所述热吸收层结构以及所述岛状体上形成第一金属层，所述第一金属层通过所述多个开槽电接触所述热电阻层；在所述环状平台上形成第二金属层；在所述封装结构图案上形成多个穿槽，所述多个穿槽暴露所述盖板；通过所述多个穿槽对所述盖板进行蚀刻，以在所述热吸收层结构下方形成槽穴，并由所述多个蚀刻保护区域形成多个支撑柱；提供衬底，并在所述衬底上形成芯片、多个电接触点，以及至少焊接区；以及在真空中将所述盖板的所述第一表面朝向所述芯片，覆盖所述衬底，将所述多个岛状体上的所述第一金属层与所述多个电接触点相焊接，以及将所述环状平台上的所述第二金属层与所述至少一个焊接区相焊接。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述热吸收层结构包含热吸收层以及保护层，在所述热电阻层形成于所述热吸收层上，而所述保护层形成于所述热电阻层上，而所述封装方法进一步包含蚀刻所述保护层以产生所述多个开槽。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述热吸收
\t层结构包含第一热吸收层以及第二热吸收层，所述热电阻层形成于所述第一热吸收层以及所述第二热吸收层之间，而所述封装方法进一步包含蚀刻所述第二热吸收层以产生所述多个开槽。4.一种温测组件的封装方法，其特征在于，所述方法包含：提供盖板，所述盖板具有凹槽，所述凹槽内有多个支撑柱结构；在所述凹槽中填入牺牲材料并进行蚀刻，以形成多个封装结构图案，每一所述多个封装结构图案包含多个岛状体以及环状平台；在所述封装结构图案上形成热吸收层结构以及热电阻层；蚀刻所述热吸收层结构以产生多个开槽，所述多个开槽暴露所述热电阻层；在所述热吸收层结构以及所述岛状体上形成第一金属层，所述金属层通过所述多个开槽电接触所述热电阻层；在所述环状平台上形成第二金属层；在所述封装结构图案上形成多个穿槽，所述多个穿槽暴露所述牺牲材料；通过所述多个穿槽对所述牺牲材料进行蚀刻，以在所述热吸收层结构下方形成槽穴以及保留所述多个支撑柱结构；提供衬底，并在所述衬底上设置芯片、多个电接触点，以及至少一个焊接区；以及在真空中将所述盖板上具有所述多个封装结构图案的一个表面朝向所述芯片，覆盖所述衬底，且将所述多个岛状体上的所述第一金属层与所述电接触点相焊接，以及将所述环状平台上的所述第二金属层与所述至少一个焊接区相焊接。5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述热吸收层结构包含热吸收层以及保护层，在所述热电阻层形成于所述热吸收层上，而所述保护层形成于所述热电阻层上，而所述封装方法进一步包含蚀刻所述保护层以产生所述多个开槽。6.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述热吸收层结构包含第一热吸收层以及第二热吸收层，所述热电阻层形成于所述第一热吸收层以及所述第二热吸收层之间，而所述封装方法进一步包...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜崇义，邱云贵，
申请(专利权)人：姜崇义，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71