一种气相沉积设备及薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。其中，气相沉积设备包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。本发明专利技术的方案可以对基板上的待成膜区域进行精确加热，使得材料气体能够在待成膜区域处发生相关反应，以形成薄膜，从而更有效率地使用反应材料气体，避免了不必要的资源浪费。此外，由于本实施例直接对基板待成膜区进行加热，所以加热效率以及加热效果要明显高于现有的对反应材料气体进行加热的方案，因此对产品的良品率也有一定的提高。

Vapor deposition equipment and method for preparing thin film

The invention provides a vapor deposition equipment and a method for preparing a thin film. Among them, the vapor deposition apparatus includes a heating unit, at least one machine and the controller; the controller is used to control the heating unit on the substrate was placed on the table, the film area to be heated, to make temperature of film forming the film area to gas phase deposition. The scheme of the invention can treat the film area on a substrate for accurate heating, so that the material can be in the gas film region associated reaction to form a film, and thus more efficient use of gas reaction materials, to avoid unnecessary waste of resources. In addition, due to the implementation of cases directly on the substrate to be film district heating, so the heating efficiency and the heating effect was obviously higher than that of the existing heating scheme of reaction material gas, so the product yield can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积设备及薄膜的制备方法
本专利技术涉及显示产品的制作领域，特别是指一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。
技术介绍
在现有显示基板的制作工艺中，需要使用化学气相沉积法在基板上形成功能膜层。化学气相沉积的相关反应需要在较高的温度下才能进行，现有的制作方法是直接对反应气体加热，高温的反应气体在与基板接触后，会逐渐沉积，以形成膜层结构。然而，对反应材料气体加热，会使得反应材料气体在整个基板表面进行沉积，而绝大部分情况下，基板只有部分区域才需要形成功能膜层，显然现有技术在材料气体用量上比较浪费，致使制作成本较高。此外，对反应材料气体加热也具有较高的热散失，容易出现热量不均匀的现象，导致加热效果并不理想。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有化学气相沉积方法需要消耗较多反应材料气体的问题。为实现上述目的，一方面，本专利技术的实施例提供一种气相沉积设备，包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。其中，所述气相沉积设备还包括：气相沉积腔室，所述机台设置在所述气相沉积腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气相沉积设备，其特征在于，包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括：气相沉积腔室，所述机台设置在所述气相沉积腔室内。3.根据权利要求2所述的气相沉积设备，其特征在于，所述基板上设置有导电图形，所述待成膜区域包括所述导电图形的设置区域；所述加热单元包括：第一电源装置和电磁感应线圈；所述控制器用于控制所述第一电源装置向所述电磁感应线圈施加交流电，从而控制所述电磁感应线圈以电磁能直接对所述导电图形进行加热。4.根据权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述控制器具体用于，通过控制所述第一电源装置向所述电磁感应线圈施加交流电的频率的大小，进而控制所述电磁感应线圈对所述导电图形进行加热。5.根据权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述机台设置在所述气相沉积腔室的底部，且上表面用于承载所述基板，所述电磁感应线圈设置在所述气相沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东徽，刘国冬，马小叶，马睿，王梓轩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11