SiC晶片的生成方法技术

本发明专利技术提供SiC晶片的生成方法，能够高效地从SiC晶锭生成SiC晶片。一种SiC晶片的生成方法，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M

Method for generating SiC wafer

The present invention provides a method for generating SiC wafers capable of efficiently generating SiC wafers from SiC ingots. With the method, to generate a SiC wafer separation starting point forming step will be through the spot location of the laser beam of wavelength in the end distance of SiC ingot is equal to the thickness of the wafer to generate depth for SiC ingot, and the focal point and the SiC ingot are relatively moved to on the surface of laser beam irradiation, formed in parallel with the surface modified layer and the modified layer of elongated cracks as separate starting point; and the wafer stripping steps, after the implementation of the separation of the starting point forming step, from the starting point to the thickness of the separation plate corresponds to the chip from the SiC ingot stripping and generation of SiC chip, in the separation of starting point forming step, numerical aperture will form the lens focal point is set to 0.45 ~ 0.9, and the laser beam M

【技术实现步骤摘要】
SiC晶片的生成方法
本专利技术涉及一种SiC晶片的生成方法，将SiC晶锭切片成晶片状。
技术介绍
在以硅等作为材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上在通过多个分割预定线划分出的区域，IC、LSI等各种器件形成在该区域。然后，通过切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。另外，在以SiC、GaN等SiC作为材料的晶片的正面上层叠有功能层，在所层叠的功能层上通过形成为格子状的多个分割预定线进行划分而形成功率器件或者LED、LD等光器件。形成器件的晶片通常是利用划片锯对晶锭进行切片而生成的，对切片得到的晶片的正面背面进行研磨而精加工成镜面(参照例如日本特开2000-94221号公报)。在该划片锯中，将直径约为100～300μm的钢琴丝等一根金属丝缠绕在通常二～四条设置于间隔辅助辊上的多个槽中，按照一定间距彼此平行配置且使金属丝在一定方向或者双向上行进，将晶锭切片成多个晶片。但是，当利用划片锯将晶锭切断，并对正面背面进行研磨而生成晶片时，会浪费晶锭的70～80％，存在不经济的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC晶片的生成方法，该SiC晶片的生成方法的特征在于，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M

【技术特征摘要】
2016.01.07 JP 2016-0019411.一种SiC晶片的生成方法，该SiC晶片的生成方法的特征在于，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M2因子实质设定为5～50，将聚光点的直径设定为2.如权利要求1所述的SiC晶片的生成方法，其中，该聚光点的功率密度为2×105W/cm2～3×105W/cm2。3.一种SiC晶片的生成方法，其从SiC晶锭生成SiC晶片，该SiC晶锭具有：第一面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，森重幸雄，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP