一种GaN HEMT器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种GaN HEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN帽层、锆钛酸铅介质钝化层，形成于锆钛酸铅介质钝化层上的源极、漏极、栅极，源极和漏极分别形成于锆钛酸铅介质钝化层的两端侧，栅极形成于锆钛酸铅介质钝化层上且位于源极和漏极之间，栅极到达源极的距离小于栅极到达漏极的距离，在源极和漏极之间形成有AlGaN结构层，并覆盖栅极，使得栅极、锆钛酸铅介质钝化层以及AlGaN结构层形成绝缘栅极，在AlGaN结构层上且位于栅极与漏极之间设置有一个或多个U型浮空场板，提高了器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
一种GaNHEMT器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种GaNHEMT器件。
技术介绍
半导体电力电子器件，也就是半导体功率器件，主要用在电子系统的功率转换和控制电路中，是半导体器件的重要组成部分，广泛应用于国防工业、商业民用、工业控制等众多领域。随着半导体行业的发展，半导体材料已经历了三代，分别是以Si为代表的第一代、以GaAs和InP为代表的第二代和以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料，随着器件性能的不断提高，传统的Si基、GaAs基器件性能已逐渐接近其理论极限，虽然超节结构在一定程度上可以打破原有的极限，但受材料本身性能的限制，进一步提高器件的耐压能力等性能的空间十分有限，且开发成本迅速增加。GaN材料及其器件的研究应用，能弥补第一代、二代半导体材料不能胜任的某些领域，满足了功率器件对更高转换效率和更高耐压的要求。GaN成为了目前半导体领域的关键基础材料，因此研究GaN半导体材料和GaN器件结构成为目前研究的热点。GaN功率半导体器件主要分为两类，一类是GaN射频功率器件，一类是GaN功率开关器件，前者主要关注器件的频率、输出功率等，后者主要关注器件的开态电阻和击穿电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN 帽层、锆钛酸铅介质钝化层，还包括形成于锆钛酸铅介质钝化层上的源极、漏极、栅极，所述源极和漏极分别形成于锆钛酸铅介质钝化层的两端侧，栅极形成于锆钛酸铅介质钝化层上且位于源极和漏极之间，所述栅极到达源极的距离小于栅极到达漏极的距离，在源极和漏极之间形成有AlGaN结构层，并覆盖栅极，使得栅极、锆钛酸铅介质钝化层以及AlGaN结构层形成绝缘栅极，在所述AlGaN结构层上且位于栅极与漏极之间设置有一个或多个U型浮...

【技术特征摘要】
1.一种GaNHEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN帽层、锆钛酸铅介质钝化层，还包括形成于锆钛酸铅介质钝化层上的源极、漏极、栅极，所述源极和漏极分别形成于锆钛酸铅介质钝化层的两端侧，栅极形成于锆钛酸铅介质钝化层上且位于源极和漏极之间，所述栅极到达源极的距离小于栅极到达漏极的距离，在源极和漏极之间形成有AlGaN结构层，并覆盖栅极，使得栅极、锆钛酸铅介质钝化层以及AlGaN结构层形成绝缘栅极，在所述AlGaN结构层上且位于栅极与漏极之间设置有一个或多个U型浮空场板。2.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件，其特征在于，所述衬底具体为Si、SiC、GaN、蓝宝石、Diamond中任意一种支撑材料。3.根据权利要求1所述的GaNHEMT...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51