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本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种GaN HEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN帽层、锆钛酸铅介质钝化层...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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