The invention discloses a hydrogen peroxide stabilizer and hydrogen peroxide water etched liquid, belonging to the field of metal etching. The hydrogen peroxide stabilizer comprises an alcohol hydroxyl group and an ether bond, and the number of carbon atoms in the hydrogen peroxide stabilizer is 3-12. The present invention provides has the above structure for the hydrogen peroxide stabilizer, hydrogen peroxide in the liquid metal etching system, which can inhibit the decomposition of hydrogen peroxide, and the use of the etching solution containing hydrogen peroxide stabilizer by etching the surface of metal material not etched residual metal, improve the uniformity of etching. Therefore, the hydrogen peroxide stabilizer provided by the embodiment of the invention can not only improve the use stability and the shelf life of the etching solution of the hydrogen peroxide system, but also be beneficial to guarantee the etching effect of the etching solution of the hydrogen peroxide system.
【技术实现步骤摘要】
一种双氧水稳定剂及双氧水蚀刻液
本专利技术涉及金属蚀刻领域，特别涉及一种双氧水稳定剂及双氧水蚀刻液。
技术介绍
湿式蚀刻是半导体行业获取薄形精密微电子产品的常用手段，其一般包括如下三个步骤：(1)使金属蚀刻液扩散至待蚀刻的金属材料表面；(2)使金属蚀刻液与待蚀刻的金属材料发生化学反应；(3)反应后的产物从蚀刻后的金属材料表面扩散至溶液中，并随溶液排出。双氧水体系的金属蚀刻液作为常用的蚀刻液体系，具有蚀刻速率恒定且易控制，容金属量大，后处理简单等优点，被广泛用于湿式蚀刻领域。然而，在双氧水体系的金属蚀刻液中，由于常需要添加无机盐来调节体系的pH，从而满足各类金属的指向性蚀刻，同时达到特定的蚀刻速率，但是无机盐中引入的金属离子及体系pH的变化均会降低双氧水的稳定性，进而降低金属蚀刻液的蚀刻性能。可见，有必要在双氧水体系的金属蚀刻液中引入双氧水稳定剂来提高双氧水的稳定性。现有技术通常向双氧水体系的金属蚀刻液中加入水玻璃、乙二胺四乙酸及其盐、膦酸及膦酸盐作为双氧水稳定剂，它们可通过吸附、络合或者螯合作用，与体系中无机盐中引入的金属离子结合，以阻断金属离子催化双氧水使其分解...
【技术保护点】
一种双氧水稳定剂，其特征在于，所述双氧水稳定剂中同时含有醇羟基和醚键，且所述双氧水稳定剂中碳原子的个数为3‑12。
【技术特征摘要】
1.一种双氧水稳定剂，其特征在于，所述双氧水稳定剂中同时含有醇羟基和醚键，且所述双氧水稳定剂中碳原子的个数为3-12。2.根据权利要求1所述的双氧水稳定剂，其特征在于，所述双氧水稳定剂选自乙二醇甲醚、二甘醇、二乙二醇单甲醚、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、丙二醇丁醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇丁醚、β-D-呋喃果糖基-α-D-吡喃葡萄糖苷中的至少一种。3.一种双氧水蚀刻液，包括有效量的权利要求1或2所述的双氧水稳定剂。4.根据权利要求3所述的双氧水蚀刻液，其特征在于，所述双氧水蚀刻液包括以下重量百分比的组分：双氧水稳定剂2-50％、过氧化氢0.5-30％、余量为水和缓冲剂；所述缓冲剂用于将所述双氧水蚀刻液的pH调节至0.5-11。5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：高晓义，刘翘楚，季冬晨，苏双峰，胡正山，胡杭剑，
申请(专利权)人：上海飞凯光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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