一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器，涉及显示领域，用以保护TFT的有源层。所述制造方法包括：在衬底基板上制作底层金属薄膜，并通过一次构图工艺至少形成薄膜晶体管的栅极；制作覆盖所述栅极的栅绝缘层；制作金属氧化物半导体薄膜，并通过一次构图工艺在与所述栅极相对的位置形成有源层；制作顶层金属薄膜，并通过一次构图工艺至少形成薄膜晶体管的源极和漏极；在本次构图工艺中所使用的刻蚀液的成分包括：双氧水、顶层金属离子络合剂、双氧水的稳定剂，以及表面活性剂；且该刻蚀液的pH值在6-8之间；制作覆盖所述源极、漏极的钝化层，在所述漏极的位置形成连通像素电极的过孔。本发明专利技术适用于显示器中阵列基板的设计及制造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，人们对显示器的分辨率，响应时间等特性要求也越来越高。在这种情况下，随着显示器的尺寸越来越大以及3D等显示技术的发展，对设置在显示器阵列基板上的TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的迁移率要求越来越高。其中，TFT包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极。上述TFT的迁移率实际上 是指TFT的有源层中载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度。目前，用非晶硅制作有源层已经不能满足对迁移率的要求，人们已经将目光投向了具有较高迁移率的金属氧化物材料。现有技术中制造将金属氧化物作为有源层材料的TFT过程中，主要有如下问题传统工艺进行源漏极的构图工艺时会使用酸刻蚀图案，而金属氧化物材料一般不耐酸，从而传统工艺会腐蚀部分有源层，影响到器件的性能。为了解决这一问题，通常采用一层耐酸腐蚀的刻蚀阻挡层覆盖有源层的沟道区域，以保护有源层不被腐蚀；但这就需要增加一次构图工艺，导致工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器，用以保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，戴天明，张锋，曹占锋，朱佩誉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：