薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板技术

一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板。该薄膜晶体管包括：衬底基板；以及设置于所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、和源漏电极层，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，其中所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层周围的挡光层。该挡光层设置在有源层的周围，可以防止有源层的侧表面受到光的照射，从而减小因光照射有源层产生的光生载流子导致的薄膜晶体管漏电流。

Thin film transistor, method for producing the same, array substrate and display panel

A thin film transistor, a method for producing the same, an array substrate, and a display panel. The thin film transistor includes: a substrate; and a gate electrode disposed on the substrate, the gate insulating layer, an active layer, and the source drain electrode layer, the source drain electrode layer includes a source electrode and a drain electrode, wherein the thin film transistor is provided with a light blocking layer surrounding the active layer. The light blocking layer is arranged around the active layer, can prevent the side surface of the active layer by light irradiation, thus Jian Xiaoyin light active layer of photo generated carriers induced leakage current of thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板
本公开的实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板。
技术介绍
通常，薄膜晶体管被用作显示面板的驱动元件。薄膜晶体管中的有源层受到光照射后会产生光生载流子，导致薄膜晶体管的漏电流增加，从而影响显示面板的显示画面的质量，例如会产生串扰、残像等现象。公开内容本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管，包括：衬底基板；以及设置于所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、和源漏电极层，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，其中所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层周围的挡光层。例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，所述挡光层与所述源漏电极层可以同层且同材料设置；或者所述挡光层与所述有源层可以同层且同材料设置。例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，所述挡光层可以与所述源电极和所述漏电极中的一个连接，且与所述源电极和所述漏电极中的一个间隔开。例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，在所述挡光层与所述有源层同层设置的情形下，所述挡光层与所述有源层间隔开。例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，所述挡光层可以包括绝缘材料。例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，所述挡光层的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离大于或等于所述有源层的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离；和/或所述挡光层的靠近所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离小于或等于所述有源层的靠近所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离。例如，在本公开至少一实施例提供的薄膜晶体管中，所述挡光层可以包括多个彼此分离的分部，该多个分部设置为在平行于所述衬底基板的方向上所述有源层被所述挡光层遮挡。本公开至少一实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括上述任一的薄膜晶体管。例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板，还可以包括多条栅线和多条数据线，其中，所述多条栅线和所述多条数据线彼此交叉以限定多个子像素区域，每个所述子像素区域包括所述薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的所述栅电极与对应的所述栅线电连接，所述源电极与对应的所述数据线电连接，且所述漏电极与所述像素电极电连接；并且每个所述子像素区域包括显示区域和非显示区域，所述挡光层位于每个所述子像素区域的所述非显示区域。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述挡光层的一端与所述数据线连接，另一端与所述漏电极间隔开。例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述挡光层可以设置在所述薄膜晶体管周围。本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括上述任一的阵列基板和与所述阵列基板对盒设置的对置基板。例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述对置基板和所述阵列基板之间可以设置有隔垫物，所述隔垫物与所述阵列基板上的薄膜晶体管在垂直于所述阵列基板的方向上相对设置，并且所述隔垫物可以包括遮光材料。例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述遮光材料可以包括为炭黑和/或黑色树脂。本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供衬底基板；以及在所述衬底基板上形成栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏电极层，所述源漏电极层包括源电极和漏电极；其中所述方法还包括在所述有源层周围形成挡光层。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1a为一种阵列基板的子像素区域的俯视示意图；图1b为图1a所示子像素区域中的薄膜晶体管沿A-B方向的截面示意图；图2a为本公开一实施例提供的一种薄膜晶体管的俯视图；图2b为图2a所示薄膜晶体管沿C-D方向的截面示意图；图2c为图2a所示薄膜晶体管沿C-D方向的另一截面示意图；图3(a)至图3(c)为本公开一实施例提供的薄膜晶体管中的挡光层的示意图；图4为本公开一实施例提供的薄膜晶体管中的挡光层的另一示意图；图5为本公开一实施例提供的一种阵列基板中的子像素区域的俯视图；图6为本公开一实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图。附图标记：1-栅线；2-数据线；100-衬底基板；110-栅电极；120-栅绝缘层；130-有源层；140-源漏电极层；141-源电极；142-漏电极；150挡光层；151-第一分部；152第二分部；153-第三分部；154-第四分部；155-第五分部；156-第六分部；160-钝化层；170-间隙；200-像素电极；300-对置基板；400-隔垫物；500-液晶层。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。图1a为一种阵列基板的子像素区域的俯视示意图。如图1a所示，栅线1和数据线2彼此交叉限定出子像素区域，子像素区域包括薄膜晶体管和像素电极200，薄膜晶体管与像素电极200连接。薄膜晶体管的有源层130受到光照后会产生大量的光生载流子，导致薄膜晶体管在关态下的漏电流增加，由此导致包括该阵列基板的显示装置产生残像、串扰等不良。图1b为图1a所示子像素区域中的薄膜晶体管沿A-B方向的截面结构示意图。如图1b所示，设置在有源层130下方的栅极110可以阻挡从有源层130的下方入射到有源层130上的光。另外，可以在有源层130上方设置黑矩阵(未示出)以阻挡从有源层130的上方入射到有源层130上的光。然而，如图1b所示，由于栅绝缘层120和钝化层160通常为透明材料，有源层130侧表面仍然会受到光(以图1b中箭头表示)的照射。因此，在图1a和图1b所示的薄膜晶体管中仍不能防止光对有源层侧表面的照射，从而仍然会有大量的光生载流子产生。本公开至少一实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板以解决上述问题。该薄膜晶体管包括衬底基板以及设置于该衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、和源漏电极层，该源漏电极层包括源电极和漏电极，其中该薄膜晶体管还包括设置在有源层周围的挡光层。通过设置挡光层，可以阻挡照射到有源层的侧表面上的光，从而可以有效地减小由光生载流子引起的漏电流。需要说明的是，在本公开的所有实施例中，对各个方向的指定是以薄膜晶体管中的衬底基板为参考的。示例性的，以有源层为例，其“上表面”为远离衬底基板的表面，其“下表面”为靠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板；以及设置于所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、和源漏电极层，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，其中所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层周围的挡光层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板；以及设置于所述衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、有源层、和源漏电极层，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，其中所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层周围的挡光层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述挡光层与所述源漏电极层同层且同材料设置；或者所述挡光层与所述有源层同层且同材料设置。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述挡光层与所述源电极和所述漏电极中的一个连接，且与所述源电极和所述漏电极中的一个间隔开。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，在所述挡光层与所述有源层同层设置的情形下，所述挡光层与所述有源层间隔开。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述挡光层包括绝缘材料。6.根据权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管，其中，所述挡光层的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离大于或等于所述有源层的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离；和/或所述挡光层的靠近所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离小于或等于所述有源层的靠近所述衬底基板的表面至所述衬底基板的距离。7.根据权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述挡光层包括多个彼此分离的分部，该多个分部设置为在平行于所述衬底基板的方向上所述有源层被所述挡光层遮挡。8.一种阵列基板，包括权利要求1-7任一所述的薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：高吉磊，蒋学兵，孙松梅，吴鹏，赵剑，张杨，陈沫，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11