像素结构制造技术

一种像素结构包含多个像素电极与至少一延伸电极，设置于一基板上。每个像素电极经由至少一主动元件电性连接至少一数据线及至少一扫描线，其中，相邻的二个像素电极之间存在该至少一扫描线，该至少一延伸电极设置于该相邻的二个像素电极之间，该至少一延伸电极一端连接该相邻的二个像素电极其中一个，该延伸电极另一端往该相邻的二个像素电极另一个延伸且经过位于相邻的二个像素电极之间的该至少一扫描线，但该至少一延伸电极另一端不连接该二个相邻的像素电极另一个。

Pixel structure

A pixel structure includes a plurality of pixel electrodes and at least one extension electrode disposed on a substrate. Each of the pixel electrodes via at least one active element is electrically connected with at least one data line and at least one scan line, wherein the at least one scan line exists between two adjacent pixel electrodes, the at least one extension electrode is arranged between two adjacent pixel electrodes of the electrode, the at least one extending end is connected with the adjacent two a pixel electrode is one of them, the other end to the two extended electrode of a pixel electrode of the adjacent another extension and passes through between the two pixel electrode is located adjacent to the at least one scan line, but at least one of the pixel electrode extends to the other end is not connected to the two adjacent another.

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术是关于一种像素结构。
技术介绍
随着科技的进步，显示器的技术也不断地发展。轻、薄、短、小的平面显示面板(FlatPanelDisplay,FPD)逐渐取代传统厚重的阴极映像管显示器(CathodeRayTube,CRT)。如今，由于平面显示面板的轻薄特性，平面显示面板更被配置到许多建筑物或电子设备的非平面的表面上。然而，显示面板仍能存在于一些缺陷，例如：因工艺偏移所造成的不同像素亮暗不均。
技术实现思路
于本专利技术的多个实施方式中，借由设计相邻的二个像素结构其中一个具有至少一延伸电极及其相关设计，可降低或补偿于因工艺上的偏移产生寄生电容(例如：Cgs)的变化，而造成的亮暗不均的现象。本专利技术的多个实施方式提供一种像素结构，包括：基板、多条数据线、多条扫描线、多个像素电极、至少一延伸电极。多条数据线，设置于基板上。多条扫描线，设置于基板上，且多个扫描线与数据线交错，其中，每一扫描线具有一第一侧与一相对的第二侧。多个像素电极，设置于基板上，多个像素电极包含至少二个相邻的像素电极，其中，每一像素电极经由至少一主动元件连接于所对应的数据线与所对应的扫描线。至少一延伸电极，设置于基板上，其中，至少二相邻的像素电极垂直投影于基板上之间存在多条扫描线其中一条与至少一延伸电极，其中，至少一延伸电极一端连接至少二个相邻的像素电极其中一个且经过第一侧与第二侧往至少二个相邻的像素电极另一个延伸，但至少一延伸电极另一端与至少二个相邻的像素电极另一个相分隔。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含多边形。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含L型、T型或其它合适的形状。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少一延伸电极具有长度与预定距离呈反比，其中，预定距离为至少二个相邻的像素电极其中一个与位于至少二相邻的像素电极之间的多条扫描线其中一条之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少二个相邻的像素电极另一个不存在至少一延伸电极往至少二个相邻的像素电极其中一个延伸。本专利技术的多个实施方式提供一种像素结构，包括：基板、多个像素电极与至少一延伸电极。多个像素电极，设置于基板上，且每个像素电极经由至少一主动元件电性连接至少一数据线及至少一扫描线，其中，相邻的二个像素电极之间存在至少一扫描线。至少一延伸电极，设置于基板上，其中，至少一延伸电极设置于相邻的二个像素电极之间，至少一延伸电极一端连接相邻的二个像素电极其中一个，延伸电极另一端往相邻的二个像素电极另一个延伸且经过位于相邻的二个像素电极之间的至少一扫描线，但至少一延伸电极另一端不连接相邻的二个像素电极另一个。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含多边形。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少一延伸电极垂直投影于基板上的形状包含L型、T型或其它合适的形状。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少一延伸电极具有长度与预定距离呈反比，其中，预定距离为相邻的二个像素电极其中一个与位于相邻的二个像素电极之间的至少一条扫描线之间。于本专利技术的一或多个实施方式中，至少二个相邻的像素电极另一个不存在至少一延伸电极往至少二个相邻的像素电极其中一个延伸。附图说明通过参照附图进一步详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的上述和其他示例性实施例，优点和特征将变得更加清楚，其中:图1为本专利技术第一实施例的像素结构的俯视示意图。图2为本专利技术第一实施例的像素结构沿着AA’剖面线的剖面示意图。图3A为本专利技术第一实施例未偏移的像素结构的局部放大示意图。图3B为本专利技术第一实施例偏移的像素结构的局部放大示意图。图4为本专利技术第二实施例未偏移的像素结构的局部放大示意图。图5A为本专利技术第二实施例第一偏移量的像素结构的局部放大示意图。图5B为本专利技术第二实施例第二偏移量的像素结构的局部放大示意图。图5C为本专利技术第二实施例第二偏移量的像素结构沿着BB’剖面线的剖面示意图。其中，附图标记：10:基板20:扫描线30:数据线40、40-1～40-4、40a像素电极41:延伸电极41b:第二部41a:第一部60:主动元件50:共享电极G:栅极100:像素结构D:漏极C:预定距离L:长度I1、I2:绝缘层W:宽度S:源极Cgs_1、Cgs_1’、Cgs_2、Cgs_2’、Cgs_3、AA’、BB’:剖面线Cgs_3’、Cgs_4、Cgs_4”:寄生电容SE:半导体层ZO:局部放大区具体实施方式以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式为之。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件”上”或”连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为”直接在另一元件上”或”直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，”连接”可以指物理及/或电连接。这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式”一”、”一个”和”该”旨在包括复数形式，包括”至少一个”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的，术语”及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语”包括”及/或”包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。本文使用的”约”或”近似”或”实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，”约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±20％、±15％、±10％、±5％内。除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术本领域技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。请参考图1至图3A。图1为本专利技术第一实施例的像素结构的俯视示意图，图2为本专利技术第一实施例的像素结构沿着AA’剖面线的剖面示意图，图3A为本专利技术第一实施例未偏移的像素结构的局部放大示意图，且图3B为本专利技术第一实施例偏移的像素结构的局部放大示意图。如图1，像素结构100至少包含基板10、多条扫描线20、多条数据线30、多个像素电极40与至少一延伸电极41。举例而言，多条扫描线20、多条数据线30与多个像素电极40皆设置于基板10上，多条扫描线20与多条数据线30交错，且每一扫描线20具有第一侧S1与第二侧S2(参阅图3A或3B)。多个像素电极40包含至少二个相邻的像素电极40a，例如：至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：一基板；多条数据线，设置于该基板上；多条扫描线，设置于该基板上，且该多条扫描线与该多条数据线交错，其中，每一扫描线具有一第一侧与一相对的第二侧；多个像素电极，设置于该基板上，该多个像素电极包含至少二个相邻的像素电极，其中，每一像素电极经由至少一主动元件连接于所对应的数据线与所对应的扫描线；以及至少一延伸电极，设置于该基板上，其中，该至少二相邻的像素电极垂直投影于该基板上之间存在该多条扫描线其中一条与该至少一延伸电极，其中，该至少一延伸电极一端连接该至少二个相邻的像素电极其中一个且经过该第一侧与该第二侧往该至少二个相邻的像素电极另一个延伸，但该至少一延伸电极另一端与该至少二个相邻的像素电极另一个相分隔。

【技术特征摘要】
2016.12.30 TW 1051443011.一种像素结构，其特征在于，包括：一基板；多条数据线，设置于该基板上；多条扫描线，设置于该基板上，且该多条扫描线与该多条数据线交错，其中，每一扫描线具有一第一侧与一相对的第二侧；多个像素电极，设置于该基板上，该多个像素电极包含至少二个相邻的像素电极，其中，每一像素电极经由至少一主动元件连接于所对应的数据线与所对应的扫描线；以及至少一延伸电极，设置于该基板上，其中，该至少二相邻的像素电极垂直投影于该基板上之间存在该多条扫描线其中一条与该至少一延伸电极，其中，该至少一延伸电极一端连接该至少二个相邻的像素电极其中一个且经过该第一侧与该第二侧往该至少二个相邻的像素电极另一个延伸，但该至少一延伸电极另一端与该至少二个相邻的像素电极另一个相分隔。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一延伸电极垂直投影于该基板上的形状包含多边形。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一延伸电极垂直投影于该基板上的形状包含L型或T型。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该至少一延伸电极具有一长度与一预定距离呈反比，其中，该预定距离为该至少二个相邻的像素电极其中一个与位于该至少二个相邻的像素电极之间的该多条扫描线其中一条之间。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡啟南，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71