半导体制程废气中氟化物的净化方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体制程废气中氟化物的净化方法，包括在半导体废气处理槽的反应腔室内导入一由水加热生成的高温水雾状气态水，并以该水雾状气态水溶解氟化物成为氟化氢，其中该水雾状气态水接触氟化物的溶解温度界于370～1300℃之间；本发明专利技术进一步提供实施上述方法所需的一种半导体制程废气中氟化物的净化装置。藉此，改善传统净化半导体制程废气中的氟化物的工序及装置结构过于复杂且净化效率难以提升的问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体制程废气中氟化物的净化方法及其装置
本专利技术涉及半导体制程废气的净化技术，特别是有关于一种半导体制程废气中的氟化物的净化方法及其装置。
技术介绍
为了减缓温室效应对地球暖化所造成的严重影响，世界半导体产业协会(WSC)早已决定将产业中较特殊的SF6、CF4、C2F6、C3F8、CHF3、NF3及F2等氟化物(PerFluorinatedCompounds，PFC)气体列为造成温室效应的有害气体的减量对象。由于半导体制程所排放的废气中，包含NF3及F2等有害的氟化物(PFC)，为了避免该等有害的氟化物气体排放至空气中造成环境污染，已知现有的半导体废气处理设备，在捕捉氟化物的前置反应腔室内，大都采用高温火焰或热棒直接导入或插入前置反应腔室内，将有害的氟化物气体溶解成无害的氟离子，进而达到净化废气的目的。且知，上述采用采用高温火焰或热棒将氟化物气体溶解成无害氟离子的过程，该废气处理槽的前置反应腔室内必须搭配前置的水洗工序来供应充足的氢离子，以便氟化物能在高温环境下和水中的氢离子反应。但是，由于前置水洗过程非常耗时，且水分子与氟化物接触后会于水中生成增生物附着于废气处理槽的反应腔室的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制程废气中氟化物的净化方法，其特征在于其包括：在半导体废气处理槽的反应腔室内导入一由水加热生成的高温水雾状气态水，并以该水雾状气态水溶解氟化物成为氟化氢；其中，该水雾状气态水接触氟化物的溶解温度界于370～1300℃之间。

【技术特征摘要】
2015.11.26 TW 1041395001.一种半导体制程废气中氟化物的净化方法，其特征在于其包括：在半导体废气处理槽的反应腔室内导入一由水加热生成的高温水雾状气态水，并以该水雾状气态水溶解氟化物成为氟化氢；其中，该水雾状气态水接触氟化物的溶解温度界于370～1300℃之间。2.如权利要求1所述半导体制程废气中的氟化物的净化方法，其特征在于：该水雾状气态水是以喷洒方式导入反应腔室内。3.如权利要求1所述半导体制程废气中的氟化物的净化方法，其特征在于：该氟化物为F2时，其反应式如下：4.如权利要求1所述半导体制程废气中的氟化物的净化方法，其特征在于：该氟化物为NF3时，其反应式如下：5.一种半导体制程废气中氟化物的净化装置，其特征在于其包括：一反应腔室，形成于半导体废气处理槽内，该废气处理槽配置有至少一半导体制程废气的导入管，该导入管导引含藏有氟化物的半导体制程废气进入反应腔室；一热管，配置于废气处理槽并植入反应腔室内，该热管具有一形成于废气处理槽外的外端以及一形成于反应腔室内的内端，该外端设有一注水管，该内端形成有多个贯穿且分布于热管管壁的喷孔，其中；该热管内穿设有一加热棒，该加热棒与热管的管壁之间形成一通道，该通道连通注水管且经由该多个喷孔连通反应腔室，该注水管导引水进入通道内，该通道内的水接触加热棒而生成高温的水雾状气态水，该水雾状气态水经由该多个喷孔导入反...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯五裕，
申请(专利权)人：东服企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71