【技术实现步骤摘要】
粉末净化处理装置
本技术涉及半导体制程废气进行烧结反应后的生成物的捕捉技术,特别是有关于一种粉末净化处理装置。
技术介绍
周知,半导体制程所生成的废气包含有SiH4、H2SiCl2(DCS)、WF6、BF3、NF3、SF6、CF4、C2F6、C3F8等,其中NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等归属有害的氟化物(PerFluorinatedCompounds,PFC),倘若排放至大气中,会造成环境污染,甚至于温室效应,对地球暖化造成严重的影响,因此必须将所述的这些废气处理成无害的气体。坊间所泛用的半导体废气处理设备,就是用于将上述废气处理成无害的气体。一般而言,已知的半导体废气处理设备都设有废气的反应腔室,半导体制程所生成的废气系导入反应腔室内,并且在反应腔室内以火焰或热空气所提供的高温,对所述废气进行烧结(即烧结反应);特别的,通过高温的烧结反应,可将例如是有害的NF3、SF6、CF4、C2F6及C3F8等氟化物气体分解成无害的氟离子(F-),进而达到净化废气的目的。且知,所述废气经过上述高温烧结处理之后,会于反应腔室内生成SiO2、PO2、AlO2、W3 ...
【技术保护点】
1.一种粉末净化处理装置,其特征是包括在一器壳内规划形成有提供含藏有粉末的废气通过的:一第一水洗腔室,具有一导入含藏粉末的废气的入口,且该第一水洗腔室内配置有一第一喷水器;一粉末捕捉腔室,内部间隔形成一第一过滤槽及一第二过滤槽,该第一过滤槽及该第二过滤槽之间经由一通道相连通,且该第一过滤槽及该第二过滤槽上方分别配置有一喷水头,该第一过滤槽及该第二过滤槽内还分别摆放有多个捕集环;及一第二水洗腔室,具有一排放净化后废气的出口,且该第二水洗腔室内配置有一第二喷水器,该第二水洗腔室形成于该第一水洗腔室的一侧,使得该粉末捕捉腔室坐落于该第一水洗腔室与该第二水洗腔室之间;其中,该第一过 ...
【技术特征摘要】
2018.09.07 TW 1071314351.一种粉末净化处理装置,其特征是包括在一器壳内规划形成有提供含藏有粉末的废气通过的:一第一水洗腔室,具有一导入含藏粉末的废气的入口,且该第一水洗腔室内配置有一第一喷水器;一粉末捕捉腔室,内部间隔形成一第一过滤槽及一第二过滤槽,该第一过滤槽及该第二过滤槽之间经由一通道相连通,且该第一过滤槽及该第二过滤槽上方分别配置有一喷水头,该第一过滤槽及该第二过滤槽内还分别摆放有多个捕集环;及一第二水洗腔室,具有一排放净化后废气的出口,且该第二水洗腔室内配置有一第二喷水器,该第二水洗腔室形成于该第一水洗腔室的一侧,使得该粉末捕捉腔室坐落于该第一水洗腔室与该第二水洗腔室之间;其中,该第一过滤槽底部形成有多个连通该第一水洗腔室的第一透气孔,且该第二过滤槽底部形成有多个连通该第二水洗腔室的第二透气孔;该入口、该第一水洗腔室、所述多个第一透气孔、该第一过滤槽、该粉末捕捉腔室、该第二过滤槽、所述多个第二透气孔、该第二水洗腔室以及该出口依序成为导引废气通过的一气体流道。2.如权利要求1所述粉末净化处理装置,其特征在于:该入口及该出口分别形成于该器壳的顶部。3.如权利要求1或2所述粉末净化处理装置,其特征在于:该第一喷水器的一端通过该入口凸伸至该器壳外,该第二喷水器的一端通过该出口凸伸至该器壳外。4.如权利要求1所述粉末净化处理装置,其特征在于:该第一过滤槽及该...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯五裕,
申请(专利权)人:东服企业股份有限公司,
类型:新型
国别省市:中国台湾,71
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