半导体器件和半导体封装体制造技术

一种半导体器件可以包括：第一金属线；第二金属线；第一绝缘层，形成在第一金属线与第二金属线之间；第一驱动单元，耦接至第一金属线；第一驱动单元，适用于响应于第一数据来驱动第一金属线；以及第二驱动单元，耦接至第二金属线，第二驱动单元适用于响应于通过将第一数据反相和延迟所获得的第二数据来驱动第二金属线。

Semiconductor device and semiconductor package

A semiconductor device may include a first metal line; second metal line; a first insulation layer formed between the first metal wire and the second wire; the first driving unit is coupled to the first metal wire; the first driving unit for response to the first data to drive the first metal line; and a second driving unit coupled to the second metal line, second drive unit for response to the first data inversion and delay obtained second data to drive second wire.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和半导体封装体相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月13日提交的申请号为10-2015-0159707的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体器件和半导体封装体。
技术介绍
对于诸如个人数字助理(PDA)、第三代(3G)移动电话以及数码照相机的移动设备的消费需求需要更大的容量来运行各种应用，并且需要更小的尺寸。已通过采用精细加工的半导体技术来满足这种需求。然而，随着这种技术由于其开发周期和成本的增加而达到极限，在移动设备中正采用多芯片封装体(MCP)技术。MCP是指一种复杂的芯片产品，在该芯片产品中，诸如或非闪存、与非闪存、SRAM芯片和UtRAM芯片的各种半导体芯片被安装在单个封装体上。通常，MCP具有其中两个、四个或更多个相同类型的半导体芯片形成层叠的结构。通常，在MCP中，形成MCP的半导体芯片的安装面积可以减少50％或更多。与使用单独的半导体芯片相比，还可以简化半导体芯片的布线。因此，可以降低移动设备的成本。此外，可以提高移动设备的生产率。通常，半导体存储器件(例如，动态随机存取存储器(DRAM))包括用于将内部数据输出至外部设备的数据传输电路。此外，用于以每秒千兆比特(Gbps)的数据速率来输出数据的高速数据传输电路采用了用于降低码间串扰(ISI)抖动的加强方法。以下描述了传统的加强方法。图1为示出在无加强操作(a)和加强操作(b)的情况下，数据传输电路、传输线和数据接收电路中的增益的示图。参见图1，由于寄生电阻和电容，数据传输线120具有低通滤波器特性。因此，如果不应用加强操作(a)，则在经由数据传输线120通过数据传输电路110传送来的数据中可能存在失真，使得数据接收电路130接收到其高频部分的增益已降低的数据。考虑到前述的高频信号失真，加强方法可以增强信号(或数据)的高频成分以及发送由数据传输电路110增强的信号。因此，应用加强方法(b)，数据传输电路110增强了信号的高频成分，以及输出增强的信号。因此，尽管数据传输线120具有低通滤波器特性，但是数据接收电路130可以接收针对每个频率具有相同增益的信号。图2为示出根据传统的数据传输电路中的加强操作的数据波形的示图。参见图2，当数据DATA转换时，加强操作可以增强数据DATA的电平。例如，当数据DATA从低逻辑转换至高逻辑时，将数据DATA驱动至“高”值在特定时段期间增强。当数据DATA从高逻辑转换至低逻辑时，将数据DATA驱动至“低”值在特定时段期间增强。数据DATA的高频成分在数据DATA转换的时刻产生。因此，在数据DATA转换时刻的加强操作可以增强数据DATA的高频成分。图3示出用于执行加强操作的数据传输电路的配置。参见图3，数据传输电路可以包括：输出驱动器310、加强驱动器320和输出焊盘330。输出驱动器310可以耦接至输出焊盘330，并且可以响应于输出数据OUT_DATA来驱动输出焊盘330。当输出数据OUT_DATA为高数据时，输出驱动器310可以上拉驱动输出焊盘330，而当输出数据OUT_DATA为低数据时，输出驱动器310可以下拉驱动输出焊盘330。加强驱动器320可以耦接至输出焊盘330，并且可以响应于加强数据EM_DATA来驱动输出焊盘330。当加强数据EM_DATA为高数据时，加强驱动器320可以上拉驱动输出焊盘330，而当加强数据EM_DATA为低数据时，加强驱动器320可以下拉驱动输出焊盘330。加强数据EM_DATA可以被产生用来驱动加强驱动器320，使得输出数据OUT_DATA的转变增强。加强数据EM_DATA可以通过将输出数据OUT_DATA延迟并反相来产生。供作参考，加强驱动器320的驱动力可以被设定成具有相对于输出驱动器310的驱动力的特定比例。耦接至输出焊盘330的驱动器用作负载。因此，如果如上所述，输出驱动器310和加强驱动器320二者都耦接至输出焊盘330，则可能过度地增加输出焊盘330上的负载。
技术实现思路
本专利技术的各种实施例针对一种半导体器件和半导体封装体，其能够通过利用电容器来执行预加强驱动，从而降低输出焊盘的负载电容。此外，本专利技术的各种实施例针对一种半导体器件和半导体封装体，其使用形成为用作输出焊盘的金属线的层叠结构作为电容器，而不占用电容器的单独面积。在本专利技术的一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一金属线；第二金属线；第一绝缘层，形成在第一金属线与第二金属线之间；第一驱动单元，耦接至第一金属线；第一驱动单元，适用于响应于第一数据来驱动第一金属线；以及第二驱动单元，耦接至第二金属线，第二驱动单元适用于响应于通过将第一数据反相和延迟而获得的第二数据来驱动第二金属线。在本专利技术的一个实施例中，一种半导体器件可以包括：多个焊盘组，沿第一方向布置，焊盘组中的每个包括沿第二方向层叠的第一金属线和第二金属线；多个第一驱动单元，适用于响应于第一数据来分别驱动焊盘组的第一金属线；以及多个第二驱动单元，适用于响应于通过将第一数据反相和延迟所获得的第二数据来分别驱动焊盘组的第二金属线。在本专利技术的一个实施例中，一种半导体封装体可以包括硅衬底和层叠在硅衬底上的多个半导体器件。多个半导体器件中的每个可以包括：多个焊盘组，沿第一方向布置，焊盘组中的每个包括沿第二方向层叠的第一金属线和第二金属线；多个第一驱动单元，适用于响应于第一数据来分别驱动焊盘组的第一金属线；以及多个第二驱动单元，适用于响应于通过将第一数据反相和延迟所获得的第二数据来分别驱动焊盘组的第二金属线。在本专利技术的一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一金属线和第二金属线，形成为输出焊盘组，以在它们之间具有绝缘层；第一驱动单元，适用于分别响应于第一数据和第二数据来驱动第一金属线和第二金属线；以及第二驱动单元，适用于当第二数据转换时，响应于第三数据来驱动第一金属线，以及当第一数据转换时，响应于第四数据来驱动第二金属线，其中，第三数据和第四数据通过分别将第二数据和第一数据反相和延迟而获得。附图说明图1为示出了在加强操作和无加强操作的情况下，传统的数据传输电路中的增益的示图。图2为示出根据传统的数据传输电路中的加强操作的数据波形的示图。图3示出用于执行加强操作的传统的数据传输电路的配置。图4A至图4C示出根据本专利技术的实施例的半导体器件的配置。图5为根据本专利技术的一个实施例的半导体器件的立体图。图6A至图6C为示出根据本专利技术的实施例的半导体器件的配置的部分的示图。图7为根据本专利技术的一个实施例的半导体封装体MCP的框图。具体实施方式在下文中，将参照附图来描述各种实施例。然而，要注意的是，本专利技术可以以不同的形式来实施，并且不应当解释为局限于本文所阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底与完整的。贯穿本公开，相同的附图标记在本专利技术的各种附图和实施例中用于指相同的部分。附图不一定成比例，并且在某些情况下，可能夸大附图中的至少一些结构的比例以清楚地图示实施例的某些特征。当提及第一层在第二层“上”或在衬底“上”时，第一层可以直接形成在第二层上或在衬底上，还可以形成在第一层与第二层或衬底之间的第三层上。图4A至图4C示出了根据本专利技术的实施例的半导体器件的配置。图4A示出了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一金属线；第二金属线；第一绝缘层，形成在第一金属线与第二金属线之间；第一驱动单元，耦接至第一金属线，所述第一驱动单元适用于响应于第一数据来驱动第一金属线；以及第二驱动单元，耦接至第二金属线，所述第二驱动单元适用于响应于通过将第一数据反相和延迟所获得的第二数据来驱动第二金属线。

【技术特征摘要】
2015.11.13 KR 10-2015-01597071.一种半导体器件，包括：第一金属线；第二金属线；第一绝缘层，形成在第一金属线与第二金属线之间；第一驱动单元，耦接至第一金属线，所述第一驱动单元适用于响应于第一数据来驱动第一金属线；以及第二驱动单元，耦接至第二金属线，所述第二驱动单元适用于响应于通过将第一数据反相和延迟所获得的第二数据来驱动第二金属线。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一金属线、第一绝缘层和第二金属线形成电容器结构。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：第一驱动单元包括输出驱动器；以及第二驱动单元包括预加强驱动器。4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三金属线；第二绝缘层，形成在第二金属线与第三金属线之间；以及开关，耦接在第一金属线与第三金属线之间，所述开关适用于响应于控制信号而导通或关断，其中，第一金属线至第三金属线层叠以形成层叠结构。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三金属线和第四金属线；第二绝缘层，形成在第二金属线与第三金属线之间；第三绝缘层，形成在第三金属线与第四金属线之间；第一开关，耦接在第一金属线与第三金属线之间，所述第一开关适用于响应于控制信号而导通或关断；以及第二开关，耦接在第二金属线与第四金属线之间，所述第二开关适用于响应于控制信号而导通或关断，其中，第一金属线至第四金属线层叠以形成层叠结构。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一金属线和第二金属线形成为用作数据输出焊盘。7.一种半导体器件，包括：多个焊盘组，沿第一方向布置，这些焊盘组中的每个包括沿第二方向层叠的第一金属线和第二金属线；多个第一驱动单元，适用于响应于第一数据来分别驱动这些焊盘组的第一金属线；以及多个第二驱动单元，适用于响应于通过将第一数据反相和延迟所获得的第二数据来分别驱动这些焊盘组的第二金属线。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：第一绝缘层形成在这些焊盘组中的每个的第一金属线与第二金属线之间；以及第一金属线、第一绝缘层和第二金属线形成电容器结构。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：所述多个第一驱动单元包括输出驱动器；以及所述多个第二驱动单元包括预加强驱动器。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述多个焊盘组中的每个包括：第三金属线，其中，第一金属线至第三金属线层叠以形成层叠结构；第二绝缘层，形成在第二金属线与第三金属线之间；以及开关，耦接在第一金属线与第三金属线之间，并且适用于响应于控制信号而导通或关断。11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述多个焊盘组中的每个包括：第三金属线和第四金属线，其中，第一金属线至...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤培，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR