一种电镀废水深度处理方法技术

技术编号:15418825 阅读:169 留言:0更新日期:2017-05-25 12:45
本发明专利技术公开了一种电镀废水深度处理方法,包括以下步骤:将电镀废水依次通过水解酸化池、活性污泥系统、中沉池、二沉池、高级氧化池、高密沉淀池、BAF滤池,即可达标排放。本发明专利技术集成了“生化处理‑高级氧化‑高密沉淀‑BAF滤池”工艺用于电镀园区电镀行业废水中的COD

【技术实现步骤摘要】
一种电镀废水深度处理方法
本专利技术涉及废水处理
,特别是涉及一种电镀废水深度处理方法。
技术介绍
电镀是利用电化学的方法对金属和非金属表面进行装饰、防护及获得某些新的性质的一种工艺过程,为保证电镀产品的质量,使金属镀层具有平整光滑的良好外观并与基体牢固结合,必须在镀前把镀件表面上的污物(油、锈、氧化皮等)彻底清洗干净,并在镀后把镀件表面的附着液清洗干净。因此,一般电镀生产过程中必然排出大量的废水。电镀废水的水质、水量与电镀生产的工艺条件、生产负荷、操作管理与用水方式等因素有关。电镀废水的水质复杂,成分不易控制,其中含有的铬、铜、镍、锌、金、银、镉等重金属离子和氰化物等毒性较大,有些属于致癌、致畸、致突变的剧毒物质,对人类危害极大。就我国电镀产业而言,全国已有近2万家电镀企业,主要集中在长江三角洲以及珠江三角洲地区,虽然电镀产业的发展为当地经济发展作出了巨大的贡献,但带来的环境问题却日益严峻,电镀废水若直接流入江河湖海或渗入土壤地层,将会污染地下水源,破坏生态环境,危害人类健康。因此,对于电镀废水必须进行专业化的处理,这种专业化处理主要包括两层意思:一是要使电镀废水达到国家规定的排放标准;二是为充分利用宝贵的水资源,达标排放水要再次深化处理,回到生产线上循环利用。近年来,随着人们对环境生活质量要求的日益提高以及国家对环保重视的力度不断加强,对电镀废水的处理及排放日趋严格,废水回收要求也逐渐提高,环保已成为电镀企业生存和发展的首要前提,国家通过出台一系列政策措施和管理办法,也表达了对电镀废水处理的决心。未来的发展是要将电镀企业纳入统一管理,园区内电镀企业废水集中处理的园区经营模式,而如何解决电镀废水处理问题是每个电镀园区必须首先考虑的首要问题,一方面是提高电镀的工艺水平,多采用低污染、少污染的电镀工艺,另一方面,结合现代电镀废水处理工艺发展,包括分流治理技术、废水回用技术、金属回收利用技术、零排放技术等,提高电镀废水的处理水平,减少排入环境中污染物的量。经过调查发现:在国内电镀园区废水处理中,COD、总氮、氨氮、总磷、等生化指标的长期稳定达标仍是需要突破的一大难题。因为园区电镀企业电镀工艺各异,所使用的电镀药剂各异,水质十分复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中的不足之处,提供一种既节省成本,又能提高电镀废水处理效率,且处理效果理想的电镀废水深度处理系统及方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种电镀废水深度处理方法,包括以下步骤:将电镀废水依次通过水解酸化池、活性污泥系统、中沉池、二沉池、高级氧化池、高密沉淀池、BAF滤池,即可达标排放;所述高级氧化池的工艺参数为:控制pH值为3~4,投放质量比为1:1的硫酸亚铁和双氧水,曝气时间为50~60min。在其中一些实施例中,所述水解酸化池的工艺参数为:采用聚乙烯填料,控制pH值为7.5~8.5,水力停留时间为9.9h。在其中一些实施例中,所述活性污泥系统的工艺参数为:该活性污泥系统包括A/A/O池、A/O池;所述A/A/O池包括厌氧池、一段缺氧池、一段好氧池;所述A/O池包括二段缺氧池、二段好氧池;控制系统pH值≥7.0,所述A/A/O池的内回流为250~450%,外回流为100~150%;所述A/A/O池的厌氧池的pH值为6.5~8.0,溶解氧DO<0.2mg/L,水利停留时间为1.54h;所述A/A/O池的一段缺氧池的pH值为7.0~8.0,溶解氧DO<0.5mg/L,水利停留时间为5.8h;所述A/A/O池的一段好氧池的pH值为7.5~8.5,溶解氧DO为2~3mg/L,水利停留时间为7.65h;所述A/A/O池的污泥浓度为2500~3000mg/L,污泥沉降比为20~25wt%,污泥龄为10~20天。在其中一些实施例中,所述A/O池的二段缺氧池的pH值为7.0~8.0,溶解氧DO<0.5mg/L,水利停留时间为2h;所述A/O池的二段好氧池的pH值为7.5~8.5,溶解氧DO为1.8~2.5mg/L,水利停留时间为5.8h;所述A/O池的污泥浓度为2500~3000mg/L,污泥沉降比为20~25wt%,污泥龄为20~30天。在其中一些实施例中,所述中沉池的工艺参数为:表面负荷为0.96m3/(m2·h)。在其中一些实施例中,所述二沉池的工艺参数为:表面负荷为0.96m3/(m2·h),水力停留时间为6h。在其中一些实施例中,所述高密沉淀池使用陶粒、卵石进行分层处理,过滤流速为1.60m3/(m2·h)。在其中一些实施例中,所述BAF滤池的水力停留时间为2.55h,正常滤速为1.30~1.32m/h,强制滤速为1.55~1.60m/h;所述BAF滤池采用三段式气水反冲洗:气冲段中气冲参数为14~18L/m2·s,气水合冲段中气冲参数为6~10L/m2·s,气水合冲段中水冲参数为3~5L/m2·s,水冲段中水冲参数为6~10L/m2·s。本专利技术的优点如下:1、电镀园区的电镀废水水质水量波动性大,水质复杂,通过水解酸化作用对去除废水中的有机物,提高废水污染物的可生化性,具有很好的效果,后续再增加生化活性污泥法处理池、高级氧化池、高密沉淀池和BAF池,调节合适pH范围在6.5~7.5,降解废水中的络合镍与生化污染物,使出水COD达到30mg/L以下;然后用Fenton高级氧化反应,利用双氧水分解的氢氧根离子(OH-)强氧化性,将非正磷酸盐全部转化成正磷,使出水总磷达到相关标准;将络合镍转化成游离镍,使出水总镍离子达到国家相关排放标准。2、向高密沉淀池中投加混凝剂(如硫酸铁),使水中的悬浮物及胶体颗粒脱稳,然后投加高分子助凝剂和密度较大的载体颗粒,使脱稳后的杂质颗粒以载体为絮核,通过高分子链的架桥吸附作用以及微砂颗粒的沉积网捕作用,快速生成密度较大的矾花,从而大大缩短沉降时间,提高澄清池的处理能力,并有效应对高冲击负荷,进一步去除废水中的TP等污染物质。3、BAF滤池具有高效去除池内SS和有机物,保持较高的生物量(可达10~15g/L),易于挂膜且运行稳定的优点。生物相复杂,菌群结构合理,反应器内具有明显的空间梯度特征,,能耐受较高的有机和水力冲击负荷,不同的污染物可以在同一反应器被渐次去除,同步发挥生物氧化作用、生物吸附絮凝和物理截留作用,投加适当的营养物,去除混合废水CODCr、NH3-N等污染因子,从而使出水水质好。4、本专利技术集成了“生化处理-高级氧化-高密沉淀-BAF滤池”工艺用于电镀园区电镀行业废水中的CODCr、TN、TP、NH3-N等生化污染物深度处理。本专利技术方法不仅可以解决电镀园区CODCr、TN、TP、NH3-N指标难以长期稳定达标问题,而且在参考传统工艺方法上结合实际自主创新,提高废水处理效率和社会经济效益,实现清洁生产,节能减排。附图说明图1为本专利技术一实施例的电镀废水深度处理系统的示意图。附图标记说明:110、水解酸化池;120、活性污泥系统;121、厌氧池;122、一段缺氧池;123、一段好氧池;124、二段缺氧池;125、二段好氧池;130、中沉池;140、二沉池;150、高级氧化池;160、高密沉淀池;170、BAF滤池。具体实施方式为了便于理解本专利技术,下面将参照相关附图对本专利技术本文档来自技高网
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一种电镀废水深度处理方法

【技术保护点】
一种电镀废水深度处理方法,其特征在于,包括以下步骤:将电镀废水依次通过水解酸化池、活性污泥系统、中沉池、二沉池、高级氧化池、高密沉淀池、BAF滤池,即可达标排放;所述高级氧化池的工艺参数为:控制pH值为3~4,投放质量比为1:1的硫酸亚铁和双氧水,曝气时间为50~60min。

【技术特征摘要】
1.一种电镀废水深度处理方法,其特征在于,包括以下步骤:将电镀废水依次通过水解酸化池、活性污泥系统、中沉池、二沉池、高级氧化池、高密沉淀池、BAF滤池,即可达标排放;所述高级氧化池的工艺参数为:控制pH值为3~4,投放质量比为1:1的硫酸亚铁和双氧水,曝气时间为50~60min。2.根据权利要求1所述的一种电镀废水深度处理方法,其特征在于,所述水解酸化池的工艺参数为:采用聚乙烯填料,控制pH值为7.5~8.5,水力停留时间为9.9h。3.根据权利要求1所述的一种电镀废水深度处理方法,其特征在于,所述活性污泥系统的工艺参数为:该活性污泥系统包括A/A/O池、A/O池;所述A/A/O池包括厌氧池、一段缺氧池、一段好氧池;所述A/O池包括二段缺氧池、二段好氧池;控制系统pH值≥7.0,所述A/A/O池的内回流为250~450%,外回流为100~150%;所述A/A/O池的厌氧池的pH值为6.5~8.0,溶解氧DO<0.2mg/L,水利停留时间为1.54h;所述A/A/O池的一段缺氧池的pH值为7.0~8.0,溶解氧DO<0.5mg/L,水利停留时间为5.8h;所述A/A/O池的一段好氧池的pH值为7.5~8.5,溶解氧DO为2~3mg/L,水利停留时间为7.65h;所述A/A/O池的污泥浓度为2500~3000mg/L,污泥沉降比为20~25wt%,污泥龄为10...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈志才杨柽瀚
申请(专利权)人:惠州金茂源环保科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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