The invention provides a silicon carbide ceramic and a preparation method thereof. The method comprises the following components by weight percentage was prepared by cold isostatic pressing and liquid phase sintering preparation: ceramic raw materials, ceramic binder for the main main raw material weight 2.5% 3.5% and accounted for the main raw material of ceramic dispersant weight of 1.5% 2.5%. Ceramic materials are generally used dry pressing, dry pressing, the pressure caused by uneven distribution of body internal density distribution is not consistent, thus affecting the performance of materials; compared with dry pressing, cold isostatic pressing pressure evenly in all directions by the material, the pressure is the same, the sintering density, the flexural strength and flexural strength of the material is improved.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷加工领域,具体的说,涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)是典型的共价键化合物,单位晶胞由相同的硅碳四面体构成,硅原子处于中心,周围是碳。SiC晶体结构中C和Si键长,共价性强,晶格缺陷小,这种共价键合特征使碳化硅陶瓷材料具有优异的高温强度、耐磨性、耐腐蚀性及良好的导电、导热性;在航空、航天、机械、汽车、石化、冶金和电子等行业得到广泛应用。目前碳化硅陶瓷作为内加热器保护套管在热浸镀锌领域已经得到了一定的应用,但单质的传统碳化硅制品不耐冲击,抗锌渣锌灰缠绕结瘤能力差,抗冲击性能差,不能随炉冷却,因此在国内使用时并未取得良好的经济效果。碳化硅基复合材料可以提高碳化硅材料的抗冲击性能,抗热震性能等,较单质碳化硅材料更优,更适宜于充当内加热器保护套材料。因此,需要寻找合理的配方与烧结制度来制得满足热浸镀锌使用工况的碳化硅基陶瓷材料。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种碳化硅陶瓷;该碳化硅陶瓷不仅具有较高的抗折强度、导热率和耐锌液侵蚀性能,而且还具有耐热震性和可加工性能。本专利技术的另一目的在于提供所述碳化硅陶瓷的制备方法。为达上述目的,一方面,本专利技术提供了一种碳化硅陶瓷的制备方法,其中,所述方法包括以如下重量百分比成分为原料经过冷等静压和液相烧结进行制备:陶瓷主原料、占陶瓷主原料重量2.5%-3.5%的粘结剂和占陶瓷主原料重量1.5%-2.5%的分散剂。根据本专利技术一些具体实施方案,其中,所述陶瓷主原料以陶瓷主原料总重量为100%计包括如下重量百分比成分:碳化硅60%-70%、氮化硼或鳞片石墨8%-13%、硅 ...
【技术保护点】
一种碳化硅陶瓷的制备方法,其中,所述方法包括以如下重量百分比成分为原料经过冷等静压和液相烧结进行制备:陶瓷主原料、占陶瓷主原料重量2.5%‑3.5%的粘结剂和占陶瓷主原料重量1.5%‑2.5%的分散剂。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅陶瓷的制备方法,其中,所述方法包括以如下重量百分比成分为原料经过冷等静压和液相烧结进行制备:陶瓷主原料、占陶瓷主原料重量2.5%-3.5%的粘结剂和占陶瓷主原料重量1.5%-2.5%的分散剂。2.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述陶瓷主原料以陶瓷主原料总重量为100%计包括如下重量百分比成分:碳化硅60%-70%、氮化硼或鳞片石墨8%-13%、硅粉5%-10%、三氧化二铝6%和三氧化二钇4%;优选所述氮化硼为六方氮化硼。3.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述粘结剂选自聚乙烯醇;所述分散剂选自四甲基氢氧化铵。4.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述碳化硅为按照如下粒径比配制的粉末:200μm:60μm:15μm:1μm=0.55:0.2:0.2:0.05。5.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述冷等静压是在压力为220-280MPA,保压时间3-8min的条件下对原料进行压坯得到坯体。6.根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述液相烧结是将坯体在1700~1850℃,保温时间2-3h的条件下进行烧结。7.根据权利要求1所述的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员:张磊,张东英,丁丁,何飞,李凤辉,贾海坤,白建涛,
申请(专利权)人:北京国网富达科技发展有限责任公司,国网浙江省电力公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。