一种避免像素电极open的结构设计及其制备工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计中采用特殊LS遮光层，在LS层图案边界位置形成漏极刻蚀孔，形成漏极处凸起结构，在凸起处PLN层厚度明显小于周围其他位置。进一步在漏极凸起位置正上方完成PLN打孔，此时打孔深度将明显小于原有结构时孔洞深度，为像素电极线P‑ITO的淀积提供了更小的坡度角，能够避免因P‑ITO线断裂而产生的不良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体基板领域，具体涉及一种避免像素电极open的结构设计和制备工艺。
技术介绍
目前，在半导体加工，特别是平板显示的驱动装置薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）阵列中，由于PLN层厚度远远高于其他薄膜层，在对PLN层的进行打孔时，孔的深度过大，坡度过陡，这严重影响像素电极线P-ITO的淀积，易造成其在孔洞处断裂。如图1所示即为现有工艺形成的TFT剖面图，P-ITO层厚度仅为40nm，如果PLN孔过深，极易因坡度过陡，在转角处断裂,产生不良。通过PVX孔与PLN孔位置相错，可以一定程度上减小P-ITO淀积时的坡度角，然而由于P-ITO断裂产生的不良仍有发生，这一问题没有得到根本上的解决，严重影响了产品良率。现有技术中传统的TFT结构关键位置剖面示意图如图1所示，在该结构中，PLN孔与漏极电极孔位置重合，形成的孔深度较大，坡度角较大，当进一步淀积像素电极线P-ITO时，易发生P-ITO断裂，产生电学不良。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计为特殊LS结构，所述特殊LS结构半导体基板包括LS遮光层，所述LS遮光层构成凸起结构，所述凸起结构正上方设有漏极电极刻蚀孔和PLN孔，所述漏极电极刻蚀孔为ILD孔；进一步地，所述特殊LS结构半导体基板还包括多晶硅层、漏极电极、有源层和栅控有源沟道，所述多晶硅层和栅控有源沟道均设置在所述LS遮光层上方，所述多晶硅层连接漏极电极，所述LS遮光层的遮光范围外形成有源层其余区域，所述漏极电极位于LS遮光层正上方；进一步地，所述LS遮光层通过二次刻蚀形成；进一步地，所述PLN孔与所述LS遮光层边界位置相对固定；进一步地，所述LS遮光层覆盖整个栅控有源沟道；进一步地，所述漏极电极位置高于所述漏极电极周侧区域；进一步地，一种避免像素电极open的结构设计的制备工艺，所述制备工艺对所述结构设计通过设置LS遮光层，在LS遮光层边界位置形成漏极电极刻蚀孔，在漏极电极处形成凸起结构，在凸起结构正上方完成PLN打孔；进一步地，所述制备工艺包括：S1：设置加厚的LS遮光层；S2：对LS遮光层进行第一次刻蚀工艺，设置LS遮光层边缘坡度相对较小；S3：在LS遮光层之上设置栅控有源沟道和与漏极电极接触的多晶硅层，在LS遮光层的遮光范围外形成有源层其余区域，漏极电极位于LS遮光层正上方；S4：再进行PLN层涂覆，再在漏极电极正上方完成PLN打孔，打孔位置与LS遮光层边界位置相对固定；S5：完成像素电极线P-ITO在刻蚀孔处的淀积；进一步地，所述LS遮光层材料为遮光材料。本专利技术的有益效果如下：1）打孔深度将明显小于现有技术中孔洞深度，为像素电极线P-ITO的淀积提供了更小的坡度角，能够避免因P-ITO线断裂而产生的不良；2）特殊LS结构实现PLN层在漏极正上方位置厚度变小，使PLN孔深度减小，坡度角减小；3）通过进行二次刻蚀，形成台阶状LS遮光层，不仅可以保证有源层完整连接，在此基础上，透过率也得到保证；4）加厚LS遮光层的存在能够抬高漏极处膜层高度，形成凸起结构，PLN层涂覆后该处PLN层厚度明显小于其他位置，在该位置形成的孔深度较小，坡度角较小，像素电极线P-ITO淀积时不易断裂，避免产生不良，有效提高生产良率。附图说明图1为本专利技术中所述传统的TFT结构关键位置剖面示意图；图2为本专利技术中实施例1制备的基板结构图；图3为本专利技术中实施例2制备的基板结构图；图4为本专利技术中实施例3制备的基板结构图。附图标记说明：1、基板；2、Poly；3、LS；4、Buffer；5、GI、6、ILD；7、Source；8、Gate；9、Drain；10、PLN；11、C-ITO；12、PVX；13、P-ITO。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细描述。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。相反，本专利技术涵盖任何由权利要求定义的在本专利技术的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步，为了使公众对本专利技术有更好的了解，在下文对本专利技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本专利技术。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为对本专利技术的限定。下面为本专利技术的举出最佳实施例：一种避免像素电极open的结构设计一种避免像素电极open的结构设计，所述结构设计为特殊LS结构半导体基板，所述特殊LS结构半导体基板包括LS遮光层，所述LS遮光层构成凸起结构，所述凸起结构正上方设有漏极电极刻蚀孔和PLN孔，所述漏极电极刻蚀孔为ILD孔，所述特殊LS结构半导体基板还包括多晶硅层、漏极电极、有源层和栅控有源沟道，所述多晶硅层和栅控有源沟道均设置在所述LS遮光层上方，所述多晶硅层连接漏极电极，所述LS遮光层的遮光范围外形成有源层其余区域，所述漏极电极位于LS遮光层正上方，所述LS遮光层通过二次刻蚀形成，，所述PLN孔与所述LS遮光层边界位置相对固定，所述漏极电极位置高于所述漏极电极周侧区域。一种避免像素电极open的结构设计的制备工艺，所述制备工艺对所述结构设计通过设置LS遮光层，在LS遮光层边界位置形成漏极电极刻蚀孔，在漏极电极处形成凸起结构，在凸起结构正上方完成PLN打孔，所述制备工艺包括：S1：设置加厚的LS遮光层；S2：对LS遮光层进行第一次刻蚀工艺，设置LS遮光层边缘坡度相对较小；S3：在LS遮光层之上设置栅控有源沟道和与漏极电极接触的多晶硅层，在LS遮光层的遮光范围外形成有源层其余区域，漏极电极位于LS遮光层正上方；S4：再进行PLN层涂覆，再在漏极电极正上方完成PLN打孔，打孔位置与LS遮光层边界位置相对固定；S5：完成像素电极线P-ITO在刻蚀孔处的淀积。所述LS遮光层材料为遮光材料。传统的TFT结构关键位置剖面图如图1所示，在该结构中，PLN孔与漏极电极孔位置重合，形成的孔深度较大，坡度角较大，当进一步淀积像素电极线P-ITO时，易发生P-ITO断裂，产生电学不良。为此，我们提出了如下方案：在不改变原有工艺流程的基础上，通过改变LS厚度来调节PLN孔深度，降低孔的坡度角，如图2所示。实施例1：在阵列基板制备过程中，实际情况可形成如图2所示的结构，需要形成加厚的LS遮光层3，且需要在LS遮光层3之上形成栅控有源沟道和与漏极接触的多晶硅层，在LS遮光范围外形成有源层2其余区域，漏极电极9图案位于LS遮光层3正上方，在进行PLN层10涂覆后，再在漏极正上方完成PLN打孔，打孔位置与LS遮光层3边界位置相对固定，最终完成像素电极线P-ITO13在刻蚀孔处的淀积。可见，由于厚度很大的LS遮光层3存在，漏极电极9相比于周围其他区域位置较高，在之后的PLN层10涂覆完成后，由于PLN层10特有的平坦化作用，在漏极电极9正上方的PLN层10相比于其他位置厚度较小。这样，在此位置形成的PLN孔，相比于原有结构，深度较小，坡度角也较小。因此，在像素电极线P-ITO13淀积时，将避免转角较大造成的P-ITO13断裂问题。需要说明的是由于LS遮光层3厚度很大，有源层在LS遮光层3边界处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种避免像素电极open的结构设计，其特征在于，所述结构设计为特殊LS结构半导体基板，所述特殊LS结构半导体基板包括LS遮光层，所述LS遮光层构成凸起结构，所述凸起结构正上方设有漏极电极刻蚀孔和 PLN孔，所述漏极电极刻蚀孔为ILD孔。

【技术特征摘要】
1.一种避免像素电极open的结构设计，其特征在于，所述结构设计为特殊LS结构半导体基板，所述特殊LS结构半导体基板包括LS遮光层，所述LS遮光层构成凸起结构，所述凸起结构正上方设有漏极电极刻蚀孔和PLN孔，所述漏极电极刻蚀孔为ILD孔。2.根据权利要求1所述的结构设计，其特征在于，所述特殊LS结构半导体基板还包括多晶硅层、漏极电极、有源层和栅控有源沟道，所述多晶硅层和栅控有源沟道均设置在所述LS遮光层上方，所述多晶硅层连接漏极电极，所述LS遮光层的遮光范围外形成有源层其余区域，所述漏极电极位于LS遮光层边界处正上方。3.根据权利要求1所述的结构设计，其特征在于，所述LS遮光层通过二次刻蚀形成。4.根据权利要求2所述的结构设计，其特征在于，所述PLN孔与所述LS遮光层边界位置相对固定。5.根据权利要求2所述的结构设计，其特征在于，所述LS遮光层覆盖整个栅控有源沟道。6.根据权利要求2所述的结构设计，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻志农，闫伟，郭建，蒋玉蓉，薛唯，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：北京;11