半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在第三化合物半导体层上，并且与第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在第四化合物半导体层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请要求基于2013年9月30日提交的日本专利申请第2013-204162号的优先权。该申请的全部公开内容以参照的方式援引于该说明书中。本说明书公开一种关于具有异质结的半导体装置及其制造方法的技术。
技术介绍
已知一种将被形成于异质结处的二维电气层作为沟道而使用的半导体装置。在这种类型的半导体装置中，常闭型的开发正在推进，其中一个示例被公开于日本特开2011-29507号公报中。在以下的说明中，将日本特开2011-29507号公报称为专利文献1。在专利文献1的半导体装置中，在具有异质结面的半导体层的表面的一部分处设置p型半导体层。并且，在该p型半导体层的表面上设置n型半导体层，且在n型半导体层的表面上设置栅电极。在专利文献1的半导体装置中，在未向栅电极施加导通电压时，从p型半导体层延伸的耗尽层使二维电气层的一部分消失，从而实现常闭。此外，在专利文献1的半导体装置中，通过在p型半导体层的表面上设置n型半导体层，从而防止了在向栅电极施加有导通电压时栅电流流通的情况。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其被设置在所述第一化合物半导体层上，并且与所述第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在所述第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在所述第三化合物半导体层上，并且与所述第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在所述第四化合物半导体层上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.30 JP 2013-2041621.一种半导体装置，具备：
第一化合物半导体层；
第二化合物半导体层，其被设置在所述第一化合物半导体层上，并且与
所述第一化合物半导体层相比带隙较大；
p型的第三化合物半导体层，其被设置在所述第二化合物半导体层上的
一部分处；
p型的第四化合物半导体层，其被设置在所述第三化合物半导体层上，
并且与所述第三化合物半导体层相比为高电阻；
栅电极，其被设置在所述第四化合物半导体层上。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第四化合物半导体层中所含有的p型杂质的浓度与所述第三化合物
半导体层中所含有的p型杂质的浓度相比较低。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第四化合物半导体层与所述第三化合物半导体层相比结晶度较低。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其中，
所述第一化合物半导体层、所述第二化合物半导体层、所述第三化合物
半导体层以及所述第四化合物半导体层为氮化物半导体。
5.一种半导体装置的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：富田英幹，兼近将一，桑原诚，上田博之，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP