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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:15105847
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半导体装置具备:第一化合物半导体层;第二化合物半导体层,其与第一化合物半导体层相比带隙较大;p型的第三化合物半导体层,其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处;p型的第四化合物半导体层,其被设置在第三化合物半导体层上,并且与第三化合物半导体...
该专利属于丰田自动车株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。
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