The invention provides a cleaning device for MOCVD reaction chamber and cleaning method, which belongs to the field of semiconductor manufacturing technology, the bearing plate is hinged on the cleaning arm making cleaning device, and through the N rotating speed setting cleaning arm and the horizontal plane angle alpha, and cleaning device, the cleaning arm in the vertical direction can be open at the minimum speed, and the inner wall of the reaction chamber cleaning, reduce the energy consumption; while achieving a sediment based on not open the reaction chamber can be accumulated in the chamber clean, avoid contact with the atmosphere inside the reaction chamber, water vapor adsorption of oxygen and other impurities. The cleanliness of the reaction chamber is maintained, which improves the stability of the machine after the chamber is maintained.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造
,尤其是涉及一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法。
技术介绍
MOCVD(英文全称:MetalOrganicChemicalVapourdeposition,中文全称:金属有机化学气相沉积)是一种用于金属有机化学气相沉积过程的设备,被广泛用于LED的外延生长,其主要构成部分反应腔室在经过一定的气相沉积反应后会产生较多副产物,当副产物积累到一定厚度或者量时会严重影响LED外延片的光电性能,必须定期进行清理。目前清理副产物的方法是将反应腔室拆开,并利用吸尘器将副产物抽取干净。但因反应腔室被打开而暴露在大气中,大量的水汽、氧气等吸附在腔室内壁,在维护过后很难将这些吸附的水氧去除。反应腔室内壁吸附的水、氧等如果不能有效去除,在生长过程中水、氧分子就会慢慢的释放,反应腔室内部环境的恢复会持续很长的时间,同时会造成外外延片电压高、亮度低等一系列问题。
技术实现思路
针对现有清理过程中的问题,本专利技术提供一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法,旨在不打开反应腔室的情况下,对反应腔室内壁的副产物进行自动清理。本专利技术提供一种MOCVD反应腔室的清理装置,至少包括:一承载盘、复数个均匀分布并铰接于承载盘上部边缘的清理手臂,所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中心方向倾斜,且清理手臂与水平面的夹角为α,0°<α<90°;优选的,所述清理装置通过旋转方式清理MOCVD反应腔室,其旋 ...
【技术保护点】
一种MOCVD反应腔室的清理装置,至少包括:一承载盘、复数个均匀分布并铰接于承载盘上部边缘处的清理手臂,所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中心方向倾斜,且清理手臂与水平面的夹角为α,0°<α<90°。
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD反应腔室的清理装置,至少包括:一承载盘、复数个均匀分布并铰接于承
载盘上部边缘处的清理手臂,所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中心方向倾
斜,且清理手臂与水平面的夹角为α,0°<α<90°。
2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述清理手臂
通过旋转方式清理MOCVD反应腔室,其旋转速度n、承载盘的直径D以及清理手臂长度L之间
的关系符合:n≥,且。
3.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述清理手臂
包括支撑机构及安装于所述支撑机构表面的擦拭机构,所述擦拭机构用于清扫反应腔室内
壁。
4.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述支撑机构
与所述擦拭机构的总厚度H大于等于所述承载盘边缘至反应腔室内壁的距离H’。
5.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述清理手臂
的长度小于等于所述MOCVD反应腔室的垂直高度。
6.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述承载盘下
表面中心处有一凹槽。
7.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述承载盘的
直径小于所述MOCVD反应腔室的内径。
8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐志军,王亚伟,周宏敏,刘勇,吴洪浩,寻飞林,李政鸿,谢祥彬,林兓兓,张家宏,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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