【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】关联申请本申请要求2013年11月1日提出的日本特愿2013-228087的优先权,将其整体以参考方式作为本申请的一部分进行引用。
本专利技术涉及热胶粘性优良的液晶聚合物薄膜的制造方法、以及电路基板及其制造方法,所述液晶聚合物薄膜是形成光学各向异性的熔融相的热塑性液晶聚合物薄膜(以下有时简称为热塑性液晶聚合物薄膜、特别地简称为液晶聚合物薄膜)。
技术介绍
近年来,PC等信息处理领域、移动电话等通信设备领域的发展显著,在这样的电子设备或通信设备中使用的频率向千兆赫兹的区域位移。但已知,通常在这样的高频频带中,传输损耗增大。已知电路基板以往是使在聚酰亚胺薄膜上形成有导体电路的基板与由聚酰亚胺薄膜和胶粘剂层构成的覆盖层薄膜贴合而形成的。但是,对于这样的电路基板而言,由于使用了胶粘剂,因此,有时耐热性、特别是耐钎焊性差。另外,对于这样的电路基板而言,有时会残留来自胶粘剂的溶剂,这样的残留溶剂有可能使多层化后的电路基板中产生不良,降低电路基板的可靠性。因此,要求在不使用胶粘剂的情况下形成电路基板的技术。另一方面,作为用于在不使用胶粘剂的情况下形成电路基板的基板材料,热塑性液晶聚合物薄膜受到关注。但是,对于热塑性液晶聚合物薄膜而言,在薄膜的挤出成形时,在表面产生硬的表层,因此,在使热塑性液晶聚合物热胶粘的情况下,有时因表层而使层间胶粘性不充分。为了改善上述情况,例如在专利文献1(日本特开2010-103 ...
【技术保护点】
一种热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法,其是为了对由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物(以下称为被粘物薄膜)进行热胶粘而作为胶粘性薄膜使用的热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法,其由下述工序构成:掌握工序,分别准备热塑性液晶聚合物薄膜作为被粘物薄膜和胶粘性薄膜,对于所述热塑性液晶聚合物薄膜的被胶粘表面部,通过X射线光电子能谱分析掌握[C‑O键]和[COO键]的峰面积之和在由C(1s)引起的键峰的峰面积的合计中所占的%比率:X(%)和Y(%);和调节工序,以使所述X和Y满足下述式(1)和式(2)的方式对作为胶粘性薄膜的热塑性液晶聚合物薄膜进行选择或活化处理,38≤X+Y≤65 (1)‑8.0≤Y‑X≤8.0 (2)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.01 JP 2013-2280871.一种热塑性液晶聚合物薄膜的制造方法,其是为了对由热塑性液晶聚合物薄膜构成
的被粘物(以下称为被粘物薄膜)进行热胶粘而作为胶粘性薄膜使用的热塑性液晶聚合物
薄膜的制造方法,其由下述工序构成:
掌握工序,分别准备热塑性液晶聚合物薄膜作为被粘物薄膜和胶粘性薄膜,对于所述
热塑性液晶聚合物薄膜的被胶粘表面部,通过X射线光电子能谱分析掌握[C-O键]和[COO
键]的峰面积之和在由C(1s)引起的键峰的峰面积的合计中所占的%比率:X(%)和Y(%);
和
调节工序,以使所述X和Y满足下述式(1)和式(2)的方式对作为胶粘性薄膜的热塑性液
晶聚合物薄膜进行选择或活化处理,
38≤X+Y≤65(1)
-8.0≤Y-X≤8.0(2)。
2.如权利要求1所述的薄膜的制造方法,其中,在调节工序中,对热塑性液晶聚合物胶
粘性薄膜进行选自由紫外线照射、等离子体照射和电晕处理组成的组中的至少一种活化处
理。
3.如权利要求1或2所述的薄膜的制造方法,其中,在热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜的
峰面积之和的%比率Y的调节前或调节后,进一步包含:
脱气工序,使所述热塑性液晶聚合物胶粘性薄膜(i)在真空度1500Pa以下在真空下脱
气30分钟以上、和/或(ii)在100℃~200℃的范围内在加热下脱气,由此,对所述热塑性液
晶聚合物胶粘性薄膜进行脱气。
4.如权利要求3所述的薄膜的制造方法,其中,脱气工序通过在真空度1500Pa以下在50
~200℃的范围内加热来进行。
5.如权利要求1~4中任一项所述的薄膜的制造方法,其中,热塑性液晶聚合物胶粘性
薄膜的厚度为10~500μm。
6.一种电路基板的制造方法,其为将由热塑性液晶聚合物薄膜构成的被粘物与由热塑
性液晶聚合物薄膜构成的胶粘性薄膜通过热胶粘进行层叠而得到的电路基板的制造方法,
所述制造方法至少具备:
准备工序,分别准备所述被粘物薄膜和胶粘性薄膜作为选自在至少一个面上形成有导
体层的绝缘基板、粘合片和覆...
【专利技术属性】
技术研发人员:中岛崇裕,小野寺稔,砂本辰也,
申请(专利权)人:株式会社可乐丽,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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