【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可优选用于化学机械抛光(cmp)的抛光垫。
技术介绍
1、以往，为了对半导体、硅晶片等的基板材料、作为硬盘、液晶显示器、透镜的材料的玻璃进行镜面加工、或者将由半导体器件的制造工序中的绝缘膜、金属膜形成的凹凸进行平坦化，使用了一边向抛光垫的抛光面滴加抛光浆料(以下，也简称为浆料)、一边将被抛光材料按压至抛光垫并进行抛光的化学机械抛光(cmp)。
2、对于cmp用的抛光垫而言，出于将浆料无遗漏地保持于整个抛光面、将抛光屑排出、防止由被抛光材料的吸附所导致的破损的目的，形成了螺旋状槽、同心圆状槽、格子状槽、放射状槽等槽。
3、例如，下述专利文献1公开了一种半导体晶片的抛光垫，其在抛光时接触晶片的中央部的部分形成有从中央朝向外周的多个放射状槽，并且至少在接触晶片的周边部的部分形成有与抛光垫同心的多个圆形槽。而且，公开了形成有放射状槽的部分的宽度为晶片的直径的约1/2。
4、另外，例如，下述专利文献2公开了一种抛光垫，其中，放射状槽与同心圆状槽以共有中心且相互交叉的方式在抛光层的抛光侧表面开口，在放射状槽与同心圆状槽的交叉部分属于放射状槽的情况下，放射状槽与同心圆状槽满足：条件(a)放射状槽的面积(s1)在放射状槽的面积(s1)与同心圆状槽的面积(s2)之和(s1+s2)中所占的比例为8～17％、以及条件(b)放射状槽的面积(s1)与同心圆状槽的面积(s2)之和(s1+s2)在抛光侧表面的面积(s)中所占的比例为18～25％。
5、另外，例如，下述专利文献3公开了一种抛光垫，其
6、另外，例如，下述专利文献4公开了一种抛光垫，其具备：中央轨道，其具有抛光层的中央的旋转中心、与旋转中心具有间隔的配置的中心；以中央作为同心圆状的中心而排列有多个环状槽的环状槽；以及在径向上延伸的槽，其中，在中央轨道设置有多个交叉点。
7、另外，例如，下述专利文献5公开了一种抛光垫，其形成有：同时存在未延伸至抛光层的中心的在径向上延伸的槽和环状槽的第1区域、和仅存在环状槽的第2区域，第1区域的半径为抛光垫的半径的30～70％。
8、现有技术文献
9、专利文献
10、专利文献1：日本特开2000-237950号公报
11、专利文献2：日本特开2011-177884号公报
12、专利文献3：日本特开2017-208530号公报
13、专利文献4：tw m459065u1号公报
14、专利文献5：tw i548484号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、在cmp中，要求实现更高的抛光速度的抛光垫。本专利技术的目的在于提供用于实现cmp高的抛光速度的抛光垫。
3、解决问题的方法
4、本专利技术的一个方面为一种抛光垫，其包含具有圆形的抛光面的抛光层。而且，抛光面具备从抛光面的中心起相对于半径为0～10％的范围的中央区域、和为90～100％的范围的周缘区域，抛光层具备从中央区域遍及至周缘区域而配置的至少1条螺旋状槽、或者由配置成同心圆状的多个环状槽形成的同心圆状槽，进一步具备由从中央区域向周缘区域延伸的至少2条线段状槽形成的放射状槽。而且，螺旋状槽的中心、同心圆状槽的中心、以及放射状槽的中心存在于中央区域，线段状槽具有相对于抛光面的半径为30～65％的比例的平均长度，并且在从放射状槽的中心起相对于抛光面的半径为5～10％的距离的区域具有第1端部，在为35～70％的距离的区域具有第2端部。而且，截面积sa(mm2)和截面积sb(mm2)满足0.1≤sb/sa＜1.0，所述截面积sa为线段状槽的相对于长度方向垂直的方向的截面的截面积的平均值，所述截面积sb为螺旋状槽或同心圆状槽的相对于切线方向垂直的方向的截面的截面积的平均值。
5、这里，抛光面是指与被抛光材料接触的抛光层的表面。另外，例如，参照图7，中央区域是指以从圆形的抛光面的中心g起相对于半径为0～10％的范围的点所表示的区域、即圆形的区域r1。另外，周缘区域是指从圆形的抛光面的中心起相对于半径为90～100％的范围的区域，详细而言，为以沿着相对于半径为90～100％的圆形的周缘的点所表示的带状的区域r2。
6、另外，线段状槽是指，线状的槽未到达抛光面的周缘而在抛光面的面内具有两端。另外，螺旋状槽是在抛光面内的中央区域具有螺旋中心的至少1条螺旋状的槽。另外，同心圆状槽是由在抛光面内的中央区域具有共通的中心、且配置成同心圆状的多个环状槽形成的槽。另外，螺旋状槽或同心圆状槽从中央区域遍及至周缘区域而配置是指，从抛光面的中央区域遍及至周缘区域的整个区域形成有至少1条螺旋状槽或配置成同心圆状的多个环状槽。具体而言，在同心圆状槽的情况下是指离中心最近的槽通过中央区域，最外周的槽通过周缘区域。另外，在螺旋状槽的情况下是指螺旋状槽的起点存在于中央区域，螺旋状槽的终点存在于周缘区域。另外，抛光区域是指，抛光面中的与硅晶片等被抛光材料的被抛光面接触且对被抛光材料进行抛光的区域。
7、在这样的抛光垫中，多个线段状槽抑制滴落至抛光面并在中央区域附近积存的浆料从抛光面的周缘漏出至体系外，并且向从中央区域遍及至周缘区域形成的螺旋状槽、同心圆状槽适度地供给浆料。其结果是，通过向抛光区域高效地供给浆料，可实现很高的抛光速度。
8、另外，从获得更高的抛光速度、而且被抛光材料的被抛光面内的抛光均匀性优异的方面考虑，优选抛光垫满足0.25≤sb/sa≤0.85，进一步优选满足0.44≤sb/sa≤0.80。
9、另外，对于抛光垫而言，优选线段状槽的宽度的平均值即槽宽度wa(mm)和螺旋状槽或同心圆状槽的宽度的平均值即槽宽度wb(mm)满足0.1≤wb/wa＜1.0。在这样的情况下，可将浆料更无遗漏地保持于整个抛光区域，因此可实现更高的抛光速度。
10、另外，对于抛光垫而言，优选螺旋状槽或同心圆状槽的宽度的平均值即槽宽度wb(mm)和螺旋状本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种抛光垫，其包含具有圆形的抛光面的抛光层，其中，
2.根据权利要求1所述的抛光垫，其满足0.25≤Sb/Sa≤0.85。
3.根据权利要求1所述的抛光垫，其满足0.44≤Sb/Sa≤0.80。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的抛光垫，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的抛光垫，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的抛光垫，其中，槽宽度Wa(mm)、槽宽度Wb(mm)、以及所述螺旋状槽或所述同心圆状槽的平均槽间距P(mm)满足0.2≤{Wb2/(P×Wa)}×100≤25，所述槽宽度Wa为所述线段状槽的宽度的平均值，所述槽宽度Wb为所述螺旋状槽或所述同心圆状槽的宽度的平均值。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的抛光垫，其中，
8.根据权利要求1～7中任一项所述的抛光垫，其中，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的抛光垫，其中，
10.根据权利要求1～9中任一项所述的抛光垫，其中，
11.根据权利要求1～10中任一项所述的抛光垫，其中，p>
12.根据权利要求1～11中任一项所述的抛光垫，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种抛光垫，其包含具有圆形的抛光面的抛光层，其中，
2.根据权利要求1所述的抛光垫，其满足0.25≤sb/sa≤0.85。
3.根据权利要求1所述的抛光垫，其满足0.44≤sb/sa≤0.80。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的抛光垫，其中，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的抛光垫，其中，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的抛光垫，其中，槽宽度wa(mm)、槽宽度wb(mm)、以及所述螺旋状槽或所述同心圆状槽的平均槽间距p(mm)满足0.2≤{wb2/...
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