【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种静电吸附盘及其位置调整方法。
技术介绍
静电吸附盘是一种集成射频(RadioFrequency,RF)传导、静电吸附,以及温度传感于一体的部件,其在刻蚀工艺过程中起着至关重要的作用。所述静电吸附盘均居中设置在工艺腔室内,并用于吸附待工艺处理之晶圆。理论上,所述待工艺处理之晶圆亦处于等离子体的居中位置。但是,在实际的工艺处理过程中,晶圆在工艺腔室内的位置,系通过传送手臂将晶圆传送至静电吸附盘(ElectrostaticChuck,ESC)上,而这个位置依靠人眼一次定位,主观性强。明显地,所述晶圆在工艺腔室内的位置存在着微小误差,这种位置误差来自多个方面,例如:每次例行维护保养后部件的摆放位置误差、手臂传送位置误差,以及静电吸附盘吸附晶圆时受力不均匀导致的位置误差等。作为本领域技术人员,容易知晓地,所述位置误差势必导致晶圆在工艺腔室内的位置在每次工事或者维护后均存在差异,且不一定维持在绝对中心位 ...
【技术保护点】
一种静电吸附盘,具有承载所述静电吸附盘的基座,其特征在于,所述静电吸附盘之基座在水平方向上位置可调。
【技术特征摘要】
1.一种静电吸附盘,具有承载所述静电吸附盘的基座,其特征在于,所述静电吸附盘之基座在水平方向上位置可调。
2.如权利要求1所述的静电吸附盘,其特征在于,所述静电吸附盘,包括:
基座,所述基座上设置静电吸附盘;
第一轨道和第二轨道,所述第一轨道和所述第二轨道在水平方向上呈垂直相交,并设置在所述基座之异于所述静电吸附盘的一侧;
第一驱动电机和第二驱动电机,所述第一驱动电机通过第一运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第一轨道运动,所述第二驱动电机通过第二运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第二轨道运动。
3.如权利要求2所述的静电吸附盘,其特征在于,所述静电吸附盘进一步包括:动态对位传感器,所述动态对位传感器检测所述待工艺处理之晶圆的中心位置,并通过外部控制器调节具有基座的所述静电吸附盘在第一轨道和第二轨道上的位置。
4.如权利要求2~3任一权利要求所述的静电吸附盘,其特征在于,所述第一轨道沿X轴线方向设置,所述第二轨道沿Y轴线方向设置。
5.如权利要求2~3任一权利要求所述的静电吸附盘...
【专利技术属性】
技术研发人员:邵克坚,吕煜坤,朱骏,张旭升,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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