静电吸附承盘侧壁的改进的密封件制造技术

本发明专利技术提供的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其利用改进的密封件多层次的多个密封部的设置，使改进的密封件与静电吸附承盘的侧壁间具有多重密封点，并且完全填满静电吸附承盘的沟槽，使蚀刻制程长久作业之后，纵使该改进的密封件的其中一密封点被电浆气体侵蚀而破损，仍能有够效防止漏气的发生，并且提供一缓冲时间，供产线人员实时更换改进的密封件，降低密封件因为突然的纵裂而导致漏气的危险，使半导体蚀刻制程更加安全，产品合格率更加提升。

Improved seal for electrostatic adsorption of the sidewall of the bearing plate

Improved seal of electrostatic adsorption of the invention provides a bearing plate of the side wall, the use of improved sealing a plurality of sealing parts and multi-level settings, which has multiple sealing point improved seal and electrostatic adsorption of bearing plate between the side walls, and completely fill the groove bearing electrostatic adsorption plate, after corrosion for a long time even if the process of engraving operation, improved seal sealing is one of the plasma gas erosion and damage, can still occur enough to effectively prevent leakage, and provide a buffer time, the seal for the timely replacement of production improved, reducing the seal due to the sudden crack and causing leakage risk the semiconductor etching process, more secure, more to enhance the rate of qualified products.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为一种电浆蚀刻设备的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，尤指一种可填入静电吸附承盘的沟槽中，并且能与沟槽间具有多个密封点的改进的密封件。
技术介绍
现有技术的电浆蚀刻设备如图9所示，其包括一静电吸附承盘90，该静电吸附承盘90包含有由陶瓷介电材料所构成的一上部元件91、一下部元件92、以及由软质材料所构成的一连结层93，该连结层93连接上部元件91与下部元件92，另该静电吸附承盘90的周缘进一步设有延伸承载晶圆的一延伸单元100，该静电吸附承盘90与延伸单元100间存在有缝隙110与沟槽113，该缝隙110使得制程电浆气体120由上往下进行蚀刻制程时，电浆气体120会通过缝隙110进入静电吸附承盘90与延伸单元100之间，并且进一步进入沟槽113内使连结层93受到电浆气体120的侵蚀破坏而产生漏气点，因此静电吸附承盘90内部的工作流体会通过此漏气点泄漏至静电吸附承盘90的外部，造成环境的污染。过去为解决此漏气污染的问题，开发出将环氧树脂130填入沟槽113中的技术，如图10所示，通过环氧树脂130的填入以密封该沟槽113，达到防止连结层93受到电浆气体120蚀刻破坏的效果。然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述静电吸附承盘包括有一上部元件、一连结层以及一下部元件，所述连结层连接所述上部元件与所述下部元件，并且于所述连结层的侧部外缘形成有一沟槽，所述沟槽形成于所述上部元件与所述下部元件之间，所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一O形环，其包括：一主密封部，所述主密封部朝向所述沟槽的一侧具有至少一边角，所述边角为倒角；以及至少一副密封部，所述副密封部由所述主密封部的周缘朝向远离所述主密封部的方向凸出于所述主密封部。

【技术特征摘要】
2015.02.16 TW 1041052591.一种静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述静电吸附承盘包括有一上部元件、一连结层以及一下部元件，所述连结层连接所述上部元件与所述下部元件，并且于所述连结层的侧部外缘形成有一沟槽，所述沟槽形成于所述上部元件与所述下部元件之间，所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件形成为一O形环，其包括：一主密封部，所述主密封部朝向所述沟槽的一侧具有至少一边角，所述边角为倒角；以及至少一副密封部，所述副密封部由所述主密封部的周缘朝向远离所述主密封部的方向凸出于所述主密封部。2.根据权利要求1所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的所述主密封部朝向所述沟槽的一侧具有一个所述边角；形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件具有一第一副密封部，所述第一副密封部由所述主密封部的内缘朝向所述沟槽的方向凸出于所述主密封部。3.根据权利要求2所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述第一副密封部朝向所述沟槽的一侧具有两边角，两所述边角为两倒角。4.根据权利要求2或3所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件进一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由所述主密封部的外缘朝向远离所述沟槽的方向凸出于所述主密封部。5.根据权利要求4所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，所述第二副密封部朝向远离所述沟槽的一侧具有倒角。6.根据权利要求2或3所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为L型。7.根据权利要求4所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为L型。8.根据权利要求5所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形
\t成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的截面为L型。9.根据权利要求1所述的静电吸附承盘侧壁的改进的密封件，其特征在于，形成为所述O形环的所述静电吸附承盘侧壁的改进的密封件的所述主密封部...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佑语，黄俊尧，
申请(专利权)人：麦丰密封科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71