阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板及其制备方法以及显示装置，该制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极电连接；在所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠；在所述栅极和所述栅绝缘层上形成第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层和所述栅绝缘层中形成第二过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接。该制备方法可以提高有源层的品质，降低接触电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及具有该阵列基板的显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被日益广泛地应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，已经成为显示装置中的主流。多晶硅(Poly-Silicon，PS)薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)液晶显示器(LCD)有别于传统的非晶硅TFT-LCD。由于多晶硅的晶格排列整齐，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，作为薄膜晶体管的有源层时可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而起到提高开口率的作用，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。另外，如果薄膜晶体管的有源层具有较高的电子迁移率，则可以将部分驱动电路集成在玻璃基板上，那么就可以减少驱动IC的数量，还可以大幅提升液晶显示面板的可靠度。因此，多晶硅TFT-LCD尤其是低温多晶硅(LTPS)TFT-LCD逐步成为研究的热点，在显示装置中的应用日益广泛。
技术实现思路
本专利技术至少一实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极电连接；在所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠；在所述栅极和所述栅绝缘层上形成第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层和所述栅绝缘层中形成第二过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括在所述第二绝缘层上形成公共电极，所述公共电极和所述像素电极位于同一层，且所述公共电极的分支电极和所述像素电极彼此间至少部分交错。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括在所述第二绝缘层上形成公共电极，在所述公共电极上形成第三绝缘层且在所述第三绝缘层中形成与所述第二过孔重叠的第三过孔，其中，在所述第三绝缘层上形成所述像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔和所述第三过孔与所述有源层电连接。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括在所述像素电极上形成第四绝缘层；在所述第四绝缘层上形成公共电极。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括在形成所述第一电极同时形成遮光层，所述遮光层与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法中，所述有源层为非晶硅层、多晶硅层或氧化物半导体层。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法中，当所述有源层为所述多晶硅层的情况下，还包括对所述多晶硅层进行掺杂以得到沟道区、位于所述沟道区两侧的第一掺杂区、位于所述第一掺杂区外侧的第二掺杂区，其中所述第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区域的掺杂浓度。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法，还包括在所述栅绝缘层上形成第二栅极，所述第二栅极与所述有源层至少部分在垂直于所述衬底基板的方向上重叠。本专利技术至少一实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的第一电极；设置在所述第一电极上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层中设置有第一过孔；设置在所述第一绝缘层上的有源层，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极电连接；设置在所述有源层上的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上的栅极，所述栅极与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠；设置在所述栅绝缘层和所述栅极上的第二绝缘层，在所述栅绝缘层和所述第二绝缘层中形成有第二过孔；设置在所述第二绝缘层上的像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板，还包括设置在所述第二绝缘层上的公共电极，其中，所述公共电极和所述像素电极位于同一层，且所述公共电极的分支电极和所述像素电极彼此间至少部分交错。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板，还包括设置在所述第二绝缘层上的公共电极，设置在所述公共电极上的第三绝缘层，所述第三绝缘层中形成与所述第二过孔重叠的第三过孔，其中，所述像素电极设置在所述第三绝缘层上，且通过所述第二过孔和所述第三过孔与所述有源层电连接。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板，还包括设置在所述像素电极上的第四绝缘层；设置在所述第四绝缘层上的公共电极。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板，还包括与所述第一电极同层设置的遮光层，其中，所述遮光层与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板中，所述有源层为非晶硅层、多晶硅层或氧化物半导体层。例如，本专利技术一实施例提供的阵列基板，还可以包括设置在所述栅绝缘层上的第二栅极，所述第二栅极与所述有源层至少部分在垂直于所述衬底基板的方向上重叠。本专利技术至少一实施例提供一种显示装置，包括上述任一实施例中的阵列基板。本专利技术至少一实施例提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制备方法中，连接有源层和源漏极的过孔先于有源层形成，这样在刻蚀过孔的时候，不会对有源层进行刻蚀，改善了有源层的品质，而且有源层通过过孔与源漏极进行面接触，改善了接触电阻。更进一步，在一些示例中，该制备方法还可以省去单独制备遮光层工序，减少阵列基板的制备工艺步骤，缩短生产时间，降低生产成本，有效提高产能。需要理解的是本专利技术的上述概括说明和下面的详细说明都是示例性和解释性的，用于进一步说明所要求的专利技术。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1a为本专利技术一实施例提供的一种阵列基板的平面图；图1b为沿图1a中线A-A’方向的截面结构示意图；图2a-8b为本专利技术一实施例提供的阵列基板的制备方法的工艺流程图；图9a-9c为本专利技术一实施例提供的多晶硅型阵列基板中轻掺杂漏工艺的制备工艺流程图；图10为本专利技术另一实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；图11为本专利技术另一实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；图12为本专利技术另一实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；图13a为本专利技术另一实施例提供的一种阵列基板平面图；图13b为沿图13a中线B-B’方向的截面结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极电连接；在所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠；在所述栅极和所述栅绝缘层上形成第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层和所述栅绝缘层中形成第二过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一绝缘层，并且在所述第一绝缘层中形成第一过孔；在所述第一绝缘层上形成有源层，所述有源层通过所述第一过孔与所述第一电极电连接；在所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极，所述栅极与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠；在所述栅极和所述栅绝缘层上形成第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层和所述栅绝缘层中形成第二过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述有源层电连接。2.根据权利要求1所述的制备方法，还包括：在所述第二绝缘层上形成公共电极，其中，所述公共电极和所述像素电极位于同一层，且所述公共电极的分支电极和所述像素电极彼此间至少部分交错。3.根据权利要求1所述的制备方法，还包括：在所述第二绝缘层上形成公共电极，在所述公共电极上形成第三绝缘层且在所述第三绝缘层中形成与所述第二过孔重叠的第三过孔，其中，在所述第三绝缘层上形成所述像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔和所述第三过孔与所述有源层电连接。4.根据权利要求1所述的制备方法，还包括：在所述像素电极上形成第四绝缘层；在所述第四绝缘层上形成公共电极。5.根据权利要求1-4任一所述的制备方法，还包括：在形成所述第一电极的同时形成遮光层，所述遮光层与所述有源层在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠。6.根据权利要求1-4任一所述的制备方法，其中，所述有源层为非晶硅层、多晶硅层或氧化物半导体层。7.根据权利要求6所述的制备方法，当所述有源层为所述多晶硅层的情况下，还包括：对所述多晶硅层进行掺杂以得到沟道区、位于所述沟道区两侧的第一掺杂区、位于所述第一掺杂区外侧的第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区域的掺杂浓度。8.根据权利要求1-4任一所述的制备方法，还包括：在所述栅绝缘层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李峰，史大为，王凤国，刘弘，武新国，王子峰，马波，郭志轩，李元博，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11