用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法技术

本发明专利技术属于电子材料技术领域，是一种用于高温传感器的Ｓｉ－Ｂ－Ｃ－Ｎ非晶陶瓷材料的制备方法。采用高温热裂解聚合物前驱体法，具体步骤是：选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料，化学合成聚合物前驱体；固化、交联，生成固态聚合物；通过球磨，将固态聚合物研磨成粉末；把固态聚合物粉末压成片状，在高温下烧结，使聚合物热解为Ｓｉ－Ｂ－Ｃ－Ｎ非晶陶瓷。本发明专利技术选用的起始原料很普遍，价格比用其它原料低很多，生产成本较低；硼的掺杂效果很好，硼的含量也比较容易控制，制备出的产品性能良好；工艺简单，实验条件容易实现，适用于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子材料
，涉及非晶陶瓷材料，具体地说是一种用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法。
技术介绍
Si-B-C-N陶瓷材料是在Si-C-N陶瓷材料体系的基础上掺入硼得到。研究表明，由于硼的掺入使Si-B-C-N陶瓷材料具有更优于Si-C-N陶瓷材料的性能，该材料由于具有以下几方面的优良性能而引起了科研领域的极大兴趣。1)卓越的高温稳定性。这种材料可以在很高的温度(1500℃-1800℃)都不发生分解，并保持非晶态。甚至有文献报道，在无N2环境中可以保持稳定至2000℃高温。2)硬度高、密度低、具有很好的抗腐蚀、抗蠕变力及抗氧化性能。3)具有类似于非晶半导体的性能，材料的电导率在很大的温度范围内单调变化。4)材料的组分可以在很大范围内进行调控，而且易于制成各种形状、规格的器件。基于上述性能，该材料可应用于高温、抗辐射、大功率电子材料和高温热电材料，是很适合制作高温传感器的材料。制备Si-B-C-N非晶陶瓷材料，通常采用高温热裂解聚合物前驱体法。高温热裂解聚合物前驱体法是一种较新的材料制备方法，这种制备方法的基本过程是以硅烷和硼烷为起始原料进行化学合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于高温传感器的Ｓｉ－Ｂ－Ｃ－Ｎ非晶陶瓷材料的制备方法，采用高温热裂解聚合物前驱体法，其特征是选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料，化学合成聚合物前驱体；聚合物前驱体聚硼硅氮烷在２５０℃～４００℃进行固化、交联，生成固态聚合物；通过球磨，将固态聚合物研磨成粉末；把固态聚合物粉末压成片状，在高温１０００℃～１３５０℃下烧结使聚合物热解为Ｓｉ－Ｂ－Ｃ－Ｎ非晶陶瓷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王岩松，范翊，罗劲松，张立功，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]