一种解决波纹管下方残留粉末的方法技术

一种解决波纹管下方残留粉末的方法，主要解决半导体等离子体处理装置中的波纹管下方残留粉末，污染腔体所带来的产品良率降低的问题。该方法采用向加热盘下面的水循环部件通入水温高于常温的热循环水的方法，使得环绕的波纹管底部附近温度升高，颗粒难以冷凝附着，在腔体内部抽真空时随气体抽出。本发明专利技术的特点是在重新设计波纹管以及水路后，水循环部件内部水路由冷水变为热水，腔体进行同样条件和数量下的反应后，波纹管底部白色粉末消失。该方法简单易行，可在半导体薄膜沉积的应用技术领域推广。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种解决波纹管下方残留粉末的方法，确切地说是一种解决半导体等离子体处理装置中波纹管下方残留粉末的方法，属于半导体薄膜沉积的应用

技术介绍
现有半导体等离子体处理装置中，由于在气相沉积的过程中，微量高温气体可以进入波纹管并于附近反应生成较为疏松的颗粒状的薄膜，或者在刻蚀过程中，刻蚀副产物有一部分没有被及时抽走，扩散进入波纹管内，水冷块与波纹管接口处温度较低，高温下的颗粒冷凝形成粉末并附着在波纹管底部。天长日久波纹管底部粉末增多，在腔体抽真空等操作时，底部的颗粒被抽入腔体内部，污染腔体。目前，随着半导体技术的不断发展，对生产设备效率以及产品良率要求不断提高。因此，改善半导体等离子体处理装置的颗粒度问题至关重要。本专利技术旨在解决半导体等离子体处理装置中波纹管下方残留的粉末。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，主要解决半导体等离子体处理装置中的波纹管下方残留粉末，污染腔体所带来的产品良率降低的问题。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：一种解决波纹管下方残留粉末的方法，该方法采用向加热盘下面的水循环部件通入水温高于常温的热循环水的方法，使得环绕的波纹管底部附近温度升高，颗粒难以冷凝附着，在腔体内部抽真空时随气体抽出。进一步地，所述方法中热水温度控制在75±5摄氏度；进一步地，所述方法中热水流量控制在5L/min-9L/min范围内。进一步地，所述方法中将密封胶圈置于水循环部件的内部。进一步地，所述方法中水循环部件内水路与腔体水路串联。本专利技术的有益效果及特点：在重新设计波纹管以及水路后，水循环部件内部水路由冷水变为热水，腔体进行同样条件和数量下的反应后，波纹管底部白色粉末消失。该方法简单易行，可在半导体薄膜沉积的应用
推广。附图说明图1是本专利技术的示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术介绍的方法做进一步详细说明。如图1所示，加热盘1的上部置于反应腔体2中，加热盘1下部的支撑件3上缠绕波纹管4。所述支撑件3的底部与水循环部件5相接；所述水循环部件5上设有入水口6及出水口7。其解决波纹管下方残留粉末的方法，是采用向加热盘下面的水循环部件通入水温高于常温的热循环水的方法，使得环绕的波纹管底部附近温度升高，颗粒难以冷凝附着，在腔体内部抽真空时随气体抽出。所述方法中热水温度控制在75+/-5摄氏度；所述方法中热水流量控制在5L/min-9L/min范围内。所述方法中将密封胶圈置于水循环部件5的内部。所述方法中水循环部件5内水路与腔体水路串联。采用上述方法使得气相沉积的过程中反应充分，可有效地清除波纹管底部白色粉末，提高了产品的良率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解决波纹管下方残留粉末的方法，其特征在于:该方法采用向加热盘下面的水循环部件通入水温高于常温的热循环水的方法，使得环绕的波纹管底部附近温度升高，颗粒难以冷凝附着，在腔体内部抽真空时随气体抽出。

【技术特征摘要】
1.一种解决波纹管下方残留粉末的方法，其特征在于:该方法采用向加热盘下面的水循环部件通入水温高于常温的热循环水的方法，使得环绕的波纹管底部附近温度升高，颗粒难以冷凝附着，在腔体内部抽真空时随气体抽出。2.如权利要求1所述的解决波纹管下方残留粉末的方法，其特征在于:所述热水温度控制在75±5摄氏度。3.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁建平，戚艳丽，张熠，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21