The invention relates to a solid phase sintering silicon carbide ceramic surface corrosion method, which belongs to the technical field of surface treatment, which comprises the following steps that will be filled with Ni NaOH into the crucible heating muffle furnace or temperature controlled equipment to more than 550 DEG C, keeping the temperature; or directly to the silicon carbide sample into direct heating Ni crucible full of NaOH, soaking time is 30 seconds to 20 minutes, after corrosion samples with dilute hydrochloric acid cleaning, then deionized water after washing and drying.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，属于表面处 理
技术介绍
碳化硅陶瓷以其优异的高温稳定性、耐磨性、高的热导率而广泛 应用于工业生产中。其中固相烧结的碳化硅陶瓷由于烧结助剂含量很 低，晶界处不会残留较低熔点的物质，其物理化学性能具有高温稳定 性，因此固相烧结的碳化硅陶瓷具有特殊的应用价值。为了了解固相 烧结碳化硅陶瓷微观结构与性能之间的关系，必须对其进行抛光腐蚀 以观察其表面形貌。但是基于固相烧结碳化硅陶瓷的特殊物理化学性 能，其腐蚀过程相当麻烦。目前主要的腐蚀方法有以CR和4%02为混合气体的等离子体蚀 刻、Murakami Solution (10wt%_20wt%K3Fe (CN) e和NaOH (1:1) 的混合溶液)溶液腐蚀，这两种腐蚀方法存在的缺点是需要的设备复 杂， 一般的研究机构和单位无法购买，另外就是需要的药品非常少见 且有剧毒，不方便实验人员操作。
技术实现思路
本专利技术基于目前固相烧结碳化硅陶瓷腐蚀方法复杂和不易操作 等特点，提出了更为方便和可操作性的腐蚀方法，该方法需要的设备简单，为马弗炉或者电炉，药品为通常实验室常备药品NaOH，即用 熔融的NaOH溶液腐蚀碳化硅陶瓷，其反应原理为02+C+2Na0H—Na2C0:, +H20。本专利技术的关键为温度控制，温度控制范围为50(TC 70(TC之 间，腐蚀的时间为10s 600s之间。同时本专利技术提供上述腐蚀方法的过程和步骤。本专利技术需要的设备仪器和药品马弗炉或者可控温设备，金属 Ni坩埚，NaOH。本专利技术方法由以下步骤组成(1) 将装满NaOH的Ni坩埚放入马弗炉或者可控温设...
【技术保护点】
固相烧结碳化硅陶瓷表面腐蚀方法，包括下述步骤： （１）将装满ＮａＯＨ的Ｎｉ坩埚放入马弗炉或者可控温设备中加热，升温至５５０℃以上，保持该温度； （２）快速取出Ｎｉ坩埚，将已经抛光好的碳化硅样品放入Ｎｉ坩埚中，浸泡时间为３０秒～２０分钟。 （３）腐蚀后样品用稀盐酸清洗，然后去离子水清洗后干燥。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，黄政仁，刘学建，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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