【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新材料制备及连接领域，涉及一种al-si/sic复合材料的制备及同步反应连接方法。
技术介绍
1、由半导体材料(如硅、氮化镓、碳化硅等)所制成的集成电路是如今广泛使用的现代电子设备的核心，而半导体产业对一个国家的经济增长和国防安全都具有极其重要的影响。碳化硅(sic)材料具有优异的物理化学性能(如高强度、高硬度、耐高温、优异的化学稳定性、高抗氧化性和耐磨性等)，同时在加工过程中能有效避免杂质的引入，被广泛用作半导体加工陶瓷部件，在半导体加工部件中占据了较大的比重。目前半导体用sic部件难以满足加工部件的要求。针对现有sic部件所存在问题，为了打破国外对我国半导体行业发展的制约，同时为填补我国半导体行业关键材料的短板，研制一种高致密度的sic基陶瓷部件，使其具有良好的高温力学性能、合适的热膨胀系数、高热导率以及优异的耐等离子体腐蚀性能，对于我国半导体行业的发展具有重要意义。
2、然而，应用于半导体领域中的sic基复合材料具有的高耐磨性和高硬度使其加工性能较差，很难像金属一样通过锻造、挤压等塑性成型工艺加工成形状复...
【技术保护点】
1.一种Al-Si/SiC复合材料的制备及同步反应连接方法，其特征在于，将Al-Si合金颗粒铺展至少两块堆叠放置的SiC/C多孔预制坯体上，经过原位反应熔渗烧结，进而实现SiC基复合材料的一体化连接；其中，所述Al-Si合金颗粒中Al的质量分数为2wt.％～14wt.％。
2.根据权利要求1所述的制备及同步反应连接方法，其特征在于，所述Al-Si合金颗粒的粒径尺寸为3～5mm；
3.根据权利要求2所述的制备及同步反应连接方法，其特征在于，所述Al颗粒的粒径为1～3mm，纯度≥99.9％；所述Si颗粒的粒径为3～5mm，纯度≥99.9％；
...【技术特征摘要】
1.一种al-si/sic复合材料的制备及同步反应连接方法，其特征在于，将al-si合金颗粒铺展至少两块堆叠放置的sic/c多孔预制坯体上，经过原位反应熔渗烧结，进而实现sic基复合材料的一体化连接；其中，所述al-si合金颗粒中al的质量分数为2wt.％～14wt.％。
2.根据权利要求1所述的制备及同步反应连接方法，其特征在于，所述al-si合金颗粒的粒径尺寸为3～5mm；
3.根据权利要求2所述的制备及同步反应连接方法，其特征在于，所述al颗粒的粒径为1～3mm，纯度≥99.9％；所述si颗粒的粒径为3～5mm，纯度≥99.9％；
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备及同步反应连接方法，其特征在于，每块sic/c多孔预制坯体的孔径为400nm～1.5μm，厚度为5～10mm；
5.根据权利要求4所述的制备及同步反应连接方法，其特征在于，所述sic粉的粒径为5～50μm，纯度≥99.9％；所述炭黑的粒径为1～5μm，纯度≥99.9％；
6.根据权利要求4所述的制备及同步反应连接方法，其特征在于，所述球磨混合的参数包括：转速为300～4...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘岩，赵子燕，刘学建，黄政仁，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：
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