芯片封装工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种芯片封装工艺，该工艺包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在第一金属图案层上，其中，芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，第二侧面与第一金属图案层接触；在载板上设置第一封料层，以包覆第一金属图案层和芯片，并使第一封料层的表面裸露连接凸点；在第一封料层上形成第二金属图案层，并使第二金属图案层的至少部分区域与连接凸点接触；在第一封料层上设置第二封料层，第二封料层的表面裸露第二金属图案层；拆除载板，以使第一封料层的表面裸露第一金属图案层。本发明专利技术能够及时将芯片的热量散发出去，从而维护芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装
，特别是涉及一种芯片封装工艺。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化以及高可靠性方向发展，而集成电路封装直接影响着集成电路、电子模块乃至整机性能，在集成电路晶片尺寸逐步缩小、集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装救赎提出了越来越高的要求。目前的扇出(fanout)工艺，芯片埋在树脂材料中，当芯片工作四产生的热量因散热不好而累积，从而造成芯片过热，性能降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种芯片封装工艺，能够解决现有技术存在的散热不佳导致芯片性能降低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种芯片封装工艺，该工艺包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在所述第一金属图案层上，其中，所述芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，所述第二侧面与所述第一金属图案层接触；在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点；在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述连接凸点接触；在所述第一封料层上设置第二封料层，所述第二封料层的表面裸露所述第二金属图案层；拆除所述载板，以使所述第一封料层的表面裸露所述第一金属图案层。其中，所述在载板上形成第一金属图案层的步骤之后还包括：在所述载板之上形成限位部件，以限定所述芯片的位置。其中，所述限位部件包括多个限位柱体，所述多个限位柱体嵌在所述第一封料层内部并围成一个装载空间；所述将芯片设置在所述第一金属图案层上的步骤还包括：将所述芯片设置在所述装载空间内。其中，所述第一金属图案层包括互不连接的基部和散热部，所述基部设置在所述散热部的外周；所述将芯片设置在所述第一金属图案层上的步骤为：将所述芯片设置在所述散热部上，并使所述第二侧面与所述散热部接触；所述在所述载板之上形成限位部件的步骤为：在所述基部上形成所述限位柱体，并使所述限位柱体的一端与所述基部接触。其中，所述限位柱体为金属柱体；所述在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述连接凸点接触的步骤还包括：使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述限位柱体的另一端接触。其中，所述基部包括多个互不相连的布线区域，每个所述布线区域上至少设置有一个所述限位柱体。其中，所述在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点的步骤包括：在所述载板上压合第一封料预制片，以使所述第一封料预制片包覆所述第一金属图案层和所述芯片；打磨所述第一封料预制片的表面，以形成所述第一封料层，并使所述连接凸点裸露出来。其中，所述在载板上形成第一金属图案层的步骤之后还包括：在所述载板之上形成限位部件，以限定所述芯片的位置；所述在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点的步骤包括：在所述载板上压合第一封料预制片，以使所述第一封料预制片包覆所述第一金属图案层、所述芯片以及所述限位部件；打磨所述第一封料预制片的表面，以形成所述第一封料层，并使所述连接凸点和所述限位部件裸露出来。其中，所述在所述第一封料层上设置第二封料层，所述第二封料层的表面裸露出所述第二金属图案层的步骤包括：在所述第一封料层上压合第二封料预制片，以使所述第二封料预制片包覆所述第二金属图案层；打磨所述第二封料预制片的表面，以形成所述第二封料层，并使所述第二金属图案层裸露出来。其中，所述第一封料层和所述第二封料层均为树脂层。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术通过将第一金属图案层和第二金属图案层分别在封料层的两侧裸露出来，并且，芯片的第二侧面与第一金属图案层接触，因而，即使芯片嵌于封料层中，芯片工作时产生的热量能从第一金属图案层及时散发出去，而不会造成热量的累积，避免芯片过热而导致性能降低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的芯片封装结构的俯视图；图2是图1中A区域的侧视图；图3是本专利技术实施例提供的芯片封装结构中第一金属图案层和限位部件的俯视图；图4是本专利技术另一实施例提供的芯片封装结构一个区域的侧视图；图5是本专利技术实施例提供的芯片封装工艺的流程示意图；图6是本专利技术另一实施例提供的芯片封装工艺的流程示意图；图7是图6中步骤S21时的俯视图；图8是图7中A区域的侧视图；图9是图6中步骤S22时的俯视图；图10是图9中A区域的侧视图；图11是图6中步骤S23时的俯视图；图12是图11中A区域的侧视图；图13是图6中步骤S24的第一封料预制片压合前的俯视图；图14是图13中A区域的侧视图；图15是图6中步骤S24的第一封料预制片压合后的俯视图；图16是图15中A区域的侧视图；图17是图6中步骤S24形成第一封料层后的俯视图；图18是图17中A区域的侧视图；图19是图6中步骤S25时的俯视图；图20是图19中A区域的侧视图；图21是图6中步骤S26压合第二封料预制片后的俯视图；图22是图21中A区域的侧视图；图23是图6中步骤S26形成第二封料层后的俯视图；图24是图23中A区域的侧视图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1是本专利技术实施例提供的芯片封装结构的俯视图。图2是图1中A区域的侧视图。如图1和图2所示，本专利技术的芯片封装工艺所形成的芯片封装结构至少包括第一金属图案层10、芯片20、第二金属图案层30以及封料层40，其中，芯片20设置在第一金属图案层10上，并与第一金属图案层10接触，第二金属图案层30设置在芯片20之上，封料层40包覆第一金属图案层10、芯片20和第二金属图案层30。具体地，芯片20包括设有连接凸点21的第一侧面22和未设置连接凸点21的第二侧面23，芯片20设置在第一金属图案层10上，且芯片20的第二侧面23与第一金属图案层10接触，以使芯片20产生的热量可以从第一金属图案层10导出。第二金属图案层30设置在芯片20之上，第二金属图案层30的至少部分区域与连接凸点21接触，以通过第二金属图案层30将芯片20与外部电路导通。封料层40包覆第一金属图案层10、芯片20和第二金属图案层30，且封料层40的一侧裸露出第一金属图案层10，封料层40的另一侧裸露出第二金属图案层30。该封料层40一方面能起绝缘作用，另一方面使芯片20更加牢固地固定在第一金属图案层40上，能有效避免芯片20脱落的情况发生。区别于现有技术，本专利技术通过将第一金属图案层10和第二金属图案层30分别在封料层40的两侧裸露出来，并且，芯片20的第二侧面23与第一金属图案层10接触，因而，即使芯片20嵌本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在所述第一金属图案层上，其中，所述芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，所述第二侧面与所述第一金属图案层接触；在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点；在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述连接凸点接触；在所述第一封料层上设置第二封料层，所述第二封料层的表面裸露所述第二金属图案层；拆除所述载板，以使所述第一封料层的表面裸露所述第一金属图案层。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在所述第一金属图案层上，其中，所述芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，所述第二侧面与所述第一金属图案层接触；在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点；在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述连接凸点接触；在所述第一封料层上设置第二封料层，所述第二封料层的表面裸露所述第二金属图案层；拆除所述载板，以使所述第一封料层的表面裸露所述第一金属图案层。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述在载板上形成第一金属图案层的步骤之后还包括：在所述载板之上形成限位部件，以限定所述芯片的位置。3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，所述限位部件包括多个限位柱体，所述多个限位柱体嵌在所述第一封料层内部并围成一个装载空间；所述将芯片设置在所述第一金属图案层上的步骤还包括：将所述芯片设置在所述装载空间内。4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述第一金属图案层包括互不连接的基部和散热部，所述基部设置在所述散热部的外周；所述将芯片设置在所述第一金属图案层上的步骤为：将所述芯片设置在所述散热部上，并使所述第二侧面与所述散热部接触；所述在所述载板之上形成限位部件的步骤为：在所述基部上形成所述限位柱体，并使所述限位柱体的一端与所述基部接触。5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，所述限位柱体为金属柱体；所述在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32