芯片封装工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种芯片封装工艺，该工艺包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在第一金属图案层上，其中，芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，第二侧面与第一金属图案层接触；在载板上设置第一封料层，以包覆第一金属图案层和芯片，并使第一封料层的表面裸露连接凸点；在第一封料层上形成第二金属图案层，并使第二金属图案层的至少部分区域与连接凸点接触；在第一封料层上设置第二封料层，第二封料层的表面裸露第二金属图案层；拆除载板，以使第一封料层的表面裸露第一金属图案层。本发明专利技术能够及时将芯片的热量散发出去，从而维护芯片的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装
，特别是涉及一种芯片封装工艺。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化以及高可靠性方向发展，而集成电路封装直接影响着集成电路、电子模块乃至整机性能，在集成电路晶片尺寸逐步缩小、集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装救赎提出了越来越高的要求。目前的扇出(fanout)工艺，芯片埋在树脂材料中，当芯片工作四产生的热量因散热不好而累积，从而造成芯片过热，性能降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种芯片封装工艺，能够解决现有技术存在的散热不佳导致芯片性能降低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种芯片封装工艺，该工艺包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在所述第一金属图案层上，其中，所述芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，所述第二侧面与所述第一金属图案层接触；在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点；在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述连接凸点接触；在所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在所述第一金属图案层上，其中，所述芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，所述第二侧面与所述第一金属图案层接触；在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点；在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述连接凸点接触；在所述第一封料层上设置第二封料层，所述第二封料层的表面裸露所述第二金属图案层；拆除所述载板，以使所述第一封料层的表面裸露所述第一金属图案层。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：在载板上形成第一金属图案层；将芯片设置在所述第一金属图案层上，其中，所述芯片包括设有连接凸点的第一侧面和未设置连接凸点的第二侧面，所述第二侧面与所述第一金属图案层接触；在所述载板上设置第一封料层，以包覆所述第一金属图案层和所述芯片，并使所述第一封料层的表面裸露所述连接凸点；在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域与所述连接凸点接触；在所述第一封料层上设置第二封料层，所述第二封料层的表面裸露所述第二金属图案层；拆除所述载板，以使所述第一封料层的表面裸露所述第一金属图案层。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述在载板上形成第一金属图案层的步骤之后还包括：在所述载板之上形成限位部件，以限定所述芯片的位置。3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，所述限位部件包括多个限位柱体，所述多个限位柱体嵌在所述第一封料层内部并围成一个装载空间；所述将芯片设置在所述第一金属图案层上的步骤还包括：将所述芯片设置在所述装载空间内。4.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述第一金属图案层包括互不连接的基部和散热部，所述基部设置在所述散热部的外周；所述将芯片设置在所述第一金属图案层上的步骤为：将所述芯片设置在所述散热部上，并使所述第二侧面与所述散热部接触；所述在所述载板之上形成限位部件的步骤为：在所述基部上形成所述限位柱体，并使所述限位柱体的一端与所述基部接触。5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，所述限位柱体为金属柱体；所述在所述第一封料层上形成第二金属图案层，并使所述第二金属图案层的至少部分区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32