半导体结构的形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制作
，特别涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进。随着半导体技术的不断进步，器件的功能不断强大，但是半导体制造难度也与日俱增。光刻技术是半导体制造工艺中最为关键的生产技术，随着半导体工艺节点的不断减小，现有的光源光刻技术已经无法满足半导体制造的需求要，超紫外光光刻技术(EUV)、多波束无掩膜技术和纳米压印技术成为下一代光刻候选技术的研究热点。但是上述的下一代光刻候选技术仍然存在有不便与缺陷，亟待加以进一步的改进。当摩尔定律继续向前延伸的脚步不可逆转的时候，双重图形化(DP：Double-Patterning)技术无疑成为了业界的最佳选择之一，双重图形化技术只需要对现有的光刻基础设施进行很小的改动，就可以有效地填补更小节点的光刻技术空白，改进相邻半导体图形之间的最小间距(pitch)。双重图形化技术的原理是将一套高密度的图形分解成两套分立的、密度低一些的图形，然后将它们制备到晶圆上。现有技术的双重图形化技术主要有：自对准双重图形化(SADP：Self-AlignedDouble-...
【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底、位于基底表面的待刻蚀层、以及位于待刻蚀层表面的金属膜；在所述金属膜表面形成金属有机材料膜；图形化所述金属有机材料膜，在所述金属膜表面形成若干分立的金属有机材料层，所述金属有机材料层侧壁表面具有第一线边缘粗糙度；对所述金属有机材料层侧壁进行氢还原处理，氢还原处理后的金属有机材料层侧壁表面具有第二线边缘粗糙度，且第二线边缘粗糙度小于第一线边缘粗糙度；以所述氢还原处理后的金属有机材料层为掩膜刻蚀所述金属膜，在所述待刻蚀层表面形成若干分立的金属层；采用金属辅助化学刻蚀工艺对所述待刻蚀层进行刻蚀，刻蚀去除被所述金属层覆盖的待刻蚀层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底、位于基底表面的待刻蚀层、以及位于待刻蚀层表面的金属膜；在所述金属膜表面形成金属有机材料膜；图形化所述金属有机材料膜，在所述金属膜表面形成若干分立的金属有机材料层，所述金属有机材料层侧壁表面具有第一线边缘粗糙度；对所述金属有机材料层侧壁进行氢还原处理，氢还原处理后的金属有机材料层侧壁表面具有第二线边缘粗糙度，且第二线边缘粗糙度小于第一线边缘粗糙度；以所述氢还原处理后的金属有机材料层为掩膜刻蚀所述金属膜，在所述待刻蚀层表面形成若干分立的金属层；采用金属辅助化学刻蚀工艺对所述待刻蚀层进行刻蚀，刻蚀去除被所述金属层覆盖的待刻蚀层，保留未被所述金属层覆盖的待刻蚀层，在所述基底表面形成若干分立的刻蚀层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属材料为铁、金、银或铂。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层的材料为硅。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属辅助化学刻蚀工艺采用的刻蚀液体为氢氟酸溶液和双氧水溶液的混合溶液。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属有机材料层的材料为环烷酸锆、环烷酸钨、环烷酸镍或环烷酸钛。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氢还原处理的工艺参数为：H2流量为10sccm至500sccm，腔室压强为1毫托至50毫托，提供源功率200瓦至1000瓦，提供偏置功率0瓦。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述金属有机材料膜的工艺步骤包括：在所述金属有机材料膜表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为
\t掩膜刻蚀所述硬掩膜层，在所述金属有机材料膜表面形成图形化的硬掩膜层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，图形化所述金属有机材料膜。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氧化硅。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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