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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底、位于基底表面的待刻蚀层、以及位于待刻蚀层表面的金属膜;在金属膜表面形成金属有机材料膜;图形化金属有机材料膜,在金属膜表面形成具有第一线边缘粗糙度的金属有机材料层;对金属有机材料层侧壁进行氢还原处理,...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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