多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法。
技术介绍
新产品导入大规模量产之前，通常需要进行产品验证，其中最省成本的方式为搭乘代工厂提供的多产品共晶圆(Multi-Product-Wafer)服务(如图1所示)。在针对多产品共晶圆流片前的可制造性(DFM)检测中，为了提取检测点的有效几何信息即引入检测点周围一定范围内的环境影响，以往通常将所有搭乘产品与划片区按照产品平面布置图(Floorplan)(如图2所示)中的排布合并成整体数据进行检测(如图3所示)。但是，随着工艺节点向28纳米及以下推进，单个产品流片(Tapeout)数据的大小通常达到几十Gbyte，将所有共乘产品合并之后的数据的大小可以达到百G以上，一方面合并后的数据占用大量额外的磁盘存储空间，另一方面在几何信息提取过程中耗费大量内存，极易造成系统不稳定。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够避免因数据合并所产生的额外存储空间以及后续提取过程中的大量内存耗费造成的系统不稳定的多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，包括：第一步骤：产品数据导入；第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤...
【技术保护点】
一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于包括：第一步骤：产品数据导入；第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第七步骤：将第五步骤和第六步骤中产生的独立提取几何信息按照一定关系进行合并，以产生与合并数据提取相同的提取几何信息；第八步骤：将第七步骤中产生的合并几何信息用于可制造性热点检测。
【技术特征摘要】
1.一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，其特征在于包括：第一步骤：产品数据导入；第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第七步骤：将第五步骤和第六步骤中产生的独立提取几何信息按照一定关系进...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜立维，曹云，倪念慈，阚欢，魏芳，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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