湿法刻蚀印消除装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种湿法刻蚀印消除装置，包括用于输送太阳能硅片的输送架、水膜喷淋装置、去PSG槽、水膜减薄装置、刻蚀槽，输送架包括若干转动设置且等距分布的输送辊，水膜喷淋装置包括沿着输送辊的长度方向延伸的输水管、设置于输水管底部且与输水管的空腔相连通的喷头，位于去PSG槽以及刻蚀槽段的输送辊的部分浸设于去PSG槽以及刻蚀槽内，水膜减薄装置包括转动设置于输送辊上方的滚轮，滚轮的转动方向与输送辊的转动方向相反，滚轮与位于输送辊上的太阳能硅片的上表面相切，有效进行刻蚀印的消除，提升制程控制水平，从而提升公司的竞争力，直接提升产品合格率0.2%。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电池片加工设备，特别涉及一种湿法刻蚀印消除装置。
技术介绍
随着社会的发展，煤炭、石油等不可再生资源日益减少，寻找和开发新能源成为当前人类面临的迫切课题，不可再生能源在使用过程中对生态环境的影响也不断引起人们的关注。光伏发电作为一种最具潜力的可再生能源利用方式，成为取代传统的石化能源，支持人类可持续发展的主要技术，在最近几年来获得了飞速的发展，在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位，不但要替代部分常规能源，而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年，可再生能源在总能源结构中将占到30%以上，而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10%以上；到2040年，可再生能源将占总能耗的50%以上，太阳能光伏发电将占总电力的20%以上；到21世纪末，可再生能源在能源结构中将占到80%以上，太阳能发电将占到60%以上。这些数字足以显示出太阳能光伏产业的发展前景及其在能源领域重要的战略地位。由此可以看出，太阳能电池市场前景广阔。晶硅电池技术发展的趋势是低成本高效率，这也是光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。成本的下降依赖于现有材料成本的下降、产能提升、工艺的简化及新材料的开发。组件寿命的提升依赖于组件封装材料及封装工艺的改善。为了提升产品的质量，提高制程控制的水平，有必要消除RENA湿法刻蚀印，从而提升公司的竞争力。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种湿法刻蚀印消除装置，有效进行刻蚀印的消除，提升制程控制水平，从而提升公司的竞争力，直接提升产品合格率0.2%。为实现上述目的，本技术的技术方案是提供了一种湿法刻蚀印消除装置，包括用于输送太阳能硅片的输送架、沿着所述输送架的输送方向依次设置的水膜喷淋装置、去PSG槽、水膜减薄装置、刻蚀槽，所述输送架包括若干转动设置且等距分布的输送辊，所述水膜喷淋装置以及所述水膜减薄装置位于所述输送辊的上方，所述去PSG槽以及所述刻蚀槽位于所述输送辊的下方，所述水膜喷淋装置包括沿着所述输送辊的长度方向延伸的输水管、设置于所述输水管底部且与所述输水管的空腔相连通的喷头，位于所述去PSG槽以及所述刻蚀槽段的所述输送辊的部分浸设于所述去PSG槽以及所述刻蚀槽内，所述水膜减薄装置包括转动设置于所述输送辊上方的滚轮，所述滚轮的转动方向与所述输送辊的转动方向相反，所述滚轮与位于所述输送辊上的太阳能硅片的上表面相切。进一步改进的是：所述喷头为雾化喷头。进一步改进的是：所述去PSG槽以及所述刻蚀槽均包括由建浴挡板构成的槽体、设置于所述槽体内的建浴管。本技术的优点和有益效果在于：进刻蚀槽上表面有水膜覆盖，保护硅片上表面，并利用了药水的表面张力，令硅片下表面吸附药水且药水不上翻，从而达到单面刻蚀的目的。附图说明图1为本技术的示意图。其中：1、输送架；2、水膜喷淋装置；3、去PSG槽；4、水膜减薄装置；5、刻蚀槽。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。如图1所示，一种湿法刻蚀印消除装置，包括用于输送太阳能硅片的输送架1、沿着所述输送架1的输送方向依次设置的水膜喷淋装置2、去PSG槽3、水膜减薄装置4、刻蚀槽5，所述输送架1包括若干转动设置且等距分布的输送辊，所述水膜喷淋装置2以及所述水膜减薄装置4位于所述输送辊的上方，所述去PSG槽3以及所述刻蚀槽5位于所述输送辊的下方，所述水膜喷淋装置2包括沿着所述输送辊的长度方向延伸的输水管、设置于所述输水管底部且与所述输水管的空腔相连通的喷头，位于所述去PSG槽3以及所述刻蚀槽5段的所述输送辊的部分浸设于所述去PSG槽3以及所述刻蚀槽5内，所述水膜减薄装置4包括转动设置于所述输送辊上方的滚轮，所述滚轮的转动方向与所述输送辊的转动方向相反，所述滚轮与位于所述输送辊上的太阳能硅片的上表面相切。进刻蚀槽5上表面有水膜覆盖，保护硅片上表面，并利用了药水的表面张力，令硅片下表面吸附药水且药水不上翻，从而达到单面刻蚀的目的，有效进行刻蚀印的消除，提升制程控制水平，从而提升公司的竞争力，直接提升产品合格率0.2%，产品性能得到极大提高，市场竞争力强，且技术水平可达国内领先，为产品的推广和应用奠定了坚实的基础，因而具有广阔的发展前景，可为企业带来很好的经济效益和社会效益。本实施例中优选的实施方式为，所述喷头为雾化喷头。本实施例中优选的实施方式为，所述去PSG槽3以及所述刻蚀槽5均包括由建浴挡板构成的槽体、设置于所述槽体内的建浴管。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法刻蚀印消除装置，其特征在于：包括用于输送太阳能硅片的输送架、沿着所述输送架的输送方向依次设置的水膜喷淋装置、去PSG槽、水膜减薄装置、刻蚀槽，所述输送架包括若干转动设置且等距分布的输送辊，所述水膜喷淋装置以及所述水膜减薄装置位于所述输送辊的上方，所述去PSG槽以及所述刻蚀槽位于所述输送辊的下方，所述水膜喷淋装置包括沿着所述输送辊的长度方向延伸的输水管、设置于所述输水管底部且与所述输水管的空腔相连通的喷头，位于所述去PSG槽以及所述刻蚀槽段的所述输送辊的部分浸设于所述去PSG槽以及所述刻蚀槽内，所述水膜减薄装置包括转动设置于所述输送辊上方的滚轮，所述滚轮的转动方向与所述输送辊的转动方向相反，所述滚轮与位于所述输送辊上的太阳能硅片的上表面相切。

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀印消除装置，其特征在于：包括用于输送太阳能硅片的输送架、沿着所述输送架的输送方向依次设置的水膜喷淋装置、去PSG槽、水膜减薄装置、刻蚀槽，所述输送架包括若干转动设置且等距分布的输送辊，所述水膜喷淋装置以及所述水膜减薄装置位于所述输送辊的上方，所述去PSG槽以及所述刻蚀槽位于所述输送辊的下方，所述水膜喷淋装置包括沿着所述输送辊的长度方向延伸的输水管、设置于所述输水管底部且与所述输水管的空腔相连通的喷头，位于所述去PS...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，卢河，黄凯，
申请(专利权)人：江苏爱多能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32