一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法，包括基板以及设置在基板上的多个薄膜晶体管；薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，半导体层设置在基板的表面，源极和漏极依次设置在半导体层的表面，且源极和半导体层之间具有绝缘层，漏极和源极之间具有平坦化层；源极通过贯穿绝缘层的第一过孔与半导体层连接，漏极通过贯穿平坦化层和绝缘层的第二过孔与半导体层连接。由于漏极和源极位于不同层，且源极和漏极之间具有平坦化层，因此，即便增大漏极与像素电极之间过孔的尺寸也不会导致源极和漏极短接，从而可以通过增大漏极与像素电极之间过孔的尺寸，来解决漏极与像素电极之间接触电阻过大以及容易出现接触异常的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示设备
，更具体地说，涉及一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法。
技术介绍
现有技术中公开了一种阵列基板，该阵列基板包括基板、设置在基板上的多条栅极线、多条数据线以及由多条栅极线和多条数据线绝缘交叉限定出的多个像素单元，每一个像素单元都包括像素电极和薄膜晶体管。当然，该阵列基板还包括向多个像素单元提供公共电压的公共电极等。参考图1，图1为上述阵列基板的剖面结构示意图，其中，薄膜晶体管包括设置在基板10上的半导体层110、设置在半导体层110上的栅极111以及设置在栅极111上的源极112和漏极113。其中，半导体层110和栅极111之间具有栅极绝缘层114，源极112和漏极113位于同一层，二者与栅极111之间具有层间绝缘层115，漏极113与公共电极12之间具有平坦化层13，公共电极12和像素电极14之间具有钝化层15，像素电极14通过贯穿钝化层15、公共电极12和平坦化层13的过孔140与漏极113电连接。随着人们对显示器件像素的要求越来越高，阵列基板上像素单元的面积越来越小，从而使得过孔140的尺寸L越来越小，这样就会导致像素电极14和漏极113之间的接触电阻较大。并且，过小的尺寸L容易导致过孔140出现断线等问题，进而导致像素电极14和漏极113接触异常。虽然增大过孔140的尺寸L可以解决接触电阻大和接触异常的问题，但是，增大过孔140的尺寸L又容易导致源极112和漏极113短接，影响薄膜晶体管的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法，以在增大像素电极和漏极之间过孔尺寸的同时，避免源极和漏极的短接。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种阵列基板，包括基板以及设置在所述基板上的多个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，所述半导体层设置在所述基板的表面，所述源极和所述漏极依次设置在所述半导体层的表面，且所述源极和所述半导体层之间具有绝缘层，所述漏极和所述源极之间具有平坦化层；所述源极通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述半导体层连接，所述漏极通过贯穿所述平坦化层和所述绝缘层的第二过孔与所述半导体层连接。一种显示面板，包括阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的对向基板，所述阵列基板为如上所述的阵列基板。一种显示装置，包括如上所述的显示面板。一种阵列基板的制作方法，应用于如上所述的阵列基板，所述制作方法包括：提供基板；在所述基板表面依次形成半导体层、绝缘层、源极、平坦化层和漏极，所述源极通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述半导体层连接，所述漏极通过贯穿所述平坦化层和所述绝缘层的第二过孔与所述半导体层连接。与现有技术相比，本专利技术所提供的技术方案具有以下优点：本专利技术所提供的显示装置、显示面板、阵列基板及其制作方法，由于源极和漏极依次设置在半导体层的表面，即漏极和源极位于不同层，且源极和漏极之间具有绝缘的平坦化层，因此，即便增大漏极与像素电极之间过孔的尺寸也不会导致源极和漏极短接，从而可以通过增大漏极与像素电极之间过孔的尺寸，来解决漏极与像素电极之间接触电阻过大以及容易出现接触异常的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有的一种阵列基板的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的另一种薄膜晶体管的剖面结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种薄膜晶体管的剖面结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的剖面结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；图11为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法的流程图；图12为本专利技术实施例提供的另一种薄膜晶体管的制作方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的实施例提供了一种阵列基板，参考图2，图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图，该阵列基板包括基板20、设置在基板20上的多条栅极线21、多条数据线22、由多条栅极线21和多条数据线22绝缘交叉限定出的多个像素单元23、与多个像素单元23对应设置的公共电极24、与多条栅极线相连的栅极驱动电路25和与多条数据线22相连的显示驱动芯片，显示驱动芯片中包括数据驱动电路26等。其中，每一个像素单元23又包括像素电极230和薄膜晶体管231。栅极驱动电路25通过栅极线21向相应的薄膜晶体管231提供扫描信号，以控制薄膜晶体管231开启。薄膜晶体管231开启后，数据驱动电路26通过数据线22和薄膜晶体管231向相应的像素电极230提供数据信号，以使像素电极230和公共电极24之间形成驱动像素单元23进行图像显示的电场。参考图3，图3为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图，该薄膜晶体管231包括半导体层2310、栅极2311、源极2312和漏极2313，其中，半导体层2310设置在基板20的表面，源极2312和漏极2313依次设置在半导体层2310的表面，且源极2312和半导体层2310之间具有绝缘层2314，漏极2313和源极2312之间具有平坦化层2315。其中，源极2312通过贯穿绝缘层2314的第一过孔A1与半导体层2310连接，漏极2313通过贯穿平坦化层2315和绝缘层2314的第二过孔A2与半导体层2310连接。并且，需要说明的是，基板20和半导体层2310之间还具有遮光层201以及设置在遮光层201表面的缓冲层202，其中，遮光层201用于阻挡背光模组出射的背光影响半导体层2310的性能。在图3所示的结构中，栅极2311设置在源极2312和半导体层2310之间，并且，栅极2311与半导体层2310之间具有栅极绝缘层2314a，栅极2311和源极2312之间具有层间绝缘层2314b，也就是说，绝缘层2314包括栅极绝缘层2314a和层间绝缘层2314b。基于此，源极2312通过贯穿栅极绝缘层2314a和层间绝缘层2314b的第一过孔A1与半导体层2310连接，漏极2313通过贯穿平坦化层2315、栅极绝缘层2314a和层间绝缘层2314b的第二过孔A2与半导体层2310连接。其中，图3所示的薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管，由于其栅极2311、源极2312和漏极2313位于半导体层2310的同一侧，因此，该薄膜晶体管具有开启电压较低和工作电流较大等优点。当然，本专利技术并不仅限于此，在其他实施例中，薄膜晶体管还可以为底栅结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括基板以及设置在所述基板上的多个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，所述半导体层设置在所述基板的表面，所述源极和所述漏极依次设置在所述半导体层的表面，且所述源极和所述半导体层之间具有绝缘层，所述漏极和所述源极之间具有平坦化层；所述源极通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述半导体层连接，所述漏极通过贯穿所述平坦化层和所述绝缘层的第二过孔与所述半导体层连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板以及设置在所述基板上的多个薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，所述半导体层设置在所述基板的表面，所述源极和所述漏极依次设置在所述半导体层的表面，且所述源极和所述半导体层之间具有绝缘层，所述漏极和所述源极之间具有平坦化层；所述源极通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述半导体层连接，所述漏极通过贯穿所述平坦化层和所述绝缘层的第二过孔与所述半导体层连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置在所述薄膜晶体管的漏极表面的第一钝化层和像素电极；所述像素电极通过贯穿所述第一钝化层的第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置在所述薄膜晶体管漏极表面的第二钝化层、公共电极、第一钝化层和像素电极；所述像素电极通过贯穿所述第一钝化层、所述公共电极和所述第二钝化层的第四过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，且所述像素电极与所述公共电极绝缘。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极设置在所述源极和所述半导体层之间，所述栅极与所述半导体层之间具有栅极绝缘层，所述栅极和所述源极之间具有层间绝缘层，所述绝缘层包括所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层；或者，所述栅极设置在所述半导体层和所述基板之间，所述栅极和所述半导体层之间具有栅极绝缘层。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔包括第一子过孔和第二子过孔，所述第一子过孔贯穿所述绝缘层，所述第二子过孔贯穿所述平坦化层，且所述第一子过孔和所述第二子过孔相互连通。6.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板以及与所述阵列基板相对设置的对向基板，所述阵列基板为权利要求1至5任一项所述的阵列基板。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，还包括设置在所述阵列基板和所述对向基板之间的多个支撑物；所述支撑物与所述阵列基板接触的一端位于相邻的两个所述第二过孔之间。8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6或7所述的显示面板。9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，应用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元行，李作银，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35