硅的制备方法技术

本发明专利技术提供硅的制备方法。该硅的制备方法含有通过金属将式（１）所示的卤代硅烷还原的步骤（ｉ），ＳｉＨ↓［ｎ］Ｘ↓［４－ｎ］（１）［式中，ｎ为０～３的整数，Ｘ为选自Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ和Ｉ中的至少１种，Ｘ为多个时，多个Ｘ可以彼此相同或不同。］所述金属的熔点为１３００℃以下，在还原反应时为液相且其液相的形状为球状或薄膜状，为球状的情况下，其半径为ｒ（μｍ）、反应时间为ｔ（分钟）、反应温度为ｘ（℃）时，满足式（Ａ）、（Ｂ）和（Ｃ），此外为薄膜状的情况下，其厚度为ｒ’（μｍ）、反应时间为ｔ（分钟）、反应温度为ｘ（℃）时，满足式（Ａ’）、（Ｂ’）和（Ｃ）。ｌｎ（ｒ／＊）≤（１０．５－７０００／（ｘ＋２７３））（Ａ）ｌｎ（ｒ’／＊）≤（１０．５－７０００／（ｘ＋２７３））（Ａ’）１≤ｒ≤２５０（Ｂ）１≤ｒ’≤５００（Ｂ’）４００≤ｘ≤１３００（Ｃ）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。特别是涉及适于制造太阳电池的硅的 制备方法。
技术介绍
现在，太阳电池用硅以半导体级別硅的非标准产品为主要原料。 半导体级别硅是将冶金级别硅纯化来制备的。冶金级别硅是混合碳、硅石通过电弧炉还原制备的。通过冶金级别硅和HC1的反应合成三氯 硅烷，将其精馏纯化后，使用氢在高温下还原制备半导体级别硅。虽 然用该方法可以制备纯度极高的硅，但是由于下述原因成本较高，所 述原因为转化为硅的比率低，为了使该平衡有利于硅必需大量的氢； 即使如此转化率也低必须再次循环使用大量的未反应气体；由于在未 反应气体中生成各种卣代硅烷，必须通过再次蒸馏进行分离；最终生 成大量的不能用氢还原的四氯化硅等。另一方面，太阳电池，作为对于近年的二氧化碳等环境问题的有 力的解决手段被关注，需求显著增加。但是，由于现在的太阳电池昂 贵，由此得到的电力的价格为商业电力的电费用的数倍。现在，对应 于环境问题、增加的能量需求，太阳电池的需求增加，仅利用以往的 半导体非标准硅，正在形成原料不足的局势，期待替代其的大量的低 成本太阳电池用硅的供给。对于太阳电池用硅，迄今提出了各种制备方法。例如，报告了 将高纯度碳和本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅的制备方法，其含有通过金属将式（１）所示的卤代硅烷还原的步骤（ｉ），　　　　ＳｉＨ↓［ｎ］Ｘ↓［４－ｎ］　　（１）　　　　（式中，ｎ为０～３的整数，Ｘ为选自Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ和Ｉ中的至少１种，Ｘ为多个时，多个Ｘ可以彼此相同或不同），所述金属的熔点为１３００℃以下，在还原反应时为液相，且液相的形状为球状或薄膜状，为球状的情况下，其半径为ｒ（μｍ）、反应时间为ｔ（分钟）、反应温度为ｘ（℃）时，满足式（Ａ）、（Ｂ）和（Ｃ），为薄膜状的情况下，其厚度为ｒ’（μｍ）、反应时间为ｔ（分钟）、反应温度为ｘ（℃）时，满足式（Ａ’）、（Ｂ’）和（Ｃ），　　　　ｌｎ（ｒ／＊）≤（１０．５－７０００／（ｘ＋２７３））...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三枝邦夫，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]