OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法技术

本发明专利技术提供一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，该方法在驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测过程中，先向驱动薄膜晶体管的栅极提供一高电压，利用该提供的高电压增大驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压差，从而提升流过驱动薄膜晶体管的电流，加快驱动薄膜晶体管的源极电压的提升速度，进而加快OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测速度，减少OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测时间，提升用户体验，同时还在驱动薄膜晶体管的源极电压达到稳定之前，将驱动薄膜晶体管的栅极恢复为低电压，保证驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(Integrated Circuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。通常AMOLED像素驱动电路均设有用于驱动有机发光二极管发光的驱动薄膜晶体管，在使用过程中，由于有机发光二级管的老化、以及驱动薄膜晶体管的阈值电压偏移，会导致OLED显示装置的显示质量下降，因此需要在OLED显示装置的使用过程中侦测驱动薄膜晶体管的阈值电压对其进行补偿，从而保证OLED显示装置的显示质量，现有技术中，驱动薄膜晶体管的阈值电压的侦测时间很长，用户体验较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，能够加快OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测速度，减少OLED显示装置驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测时间，提升用户体验。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED显示装置驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一电容、有机发光二极管、及开关；所述第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一节点；所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，源极接入直流电压信号，漏极电性连接第二节点；所述第三薄膜晶体管的栅极接入侦测信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第二节点；所述第一电容的一端电性连接第一节点，另一端电性连接第二节点；所述有机发光二极管的阳极电性连接第二节点，阴极接地；所述第一开关的一端接入公共电压，另一端电性连接第三节点；步骤2、所述扫描信号和侦测信号均提供高电位，第一和第三薄膜晶体管均打开，所述数据信号提供第一电压，所述第一节点被充电至第一电压，所述第二薄膜晶体管导通，所述开关闭合，所述第二节点被箝位在公共电压；步骤3、所述扫描信号和侦测信号保持高电位，第一和第三薄膜晶体管保持打开，所述数据信号保持第一电压，所述第一节点的电压保持在第一电压，所述开关断开，所述第二节点的电压开始上升；步骤4、所述第二节点的电压上升至第三电压，所述扫描信号和侦测信号保持高电位，第一和第三薄膜晶体管保持打开，所述开关保持断开，所述数据信号提供小于第一电压的第二电压，所述第一节点的电压下降至第二电压，所述第二薄膜晶体管仍导通，所述第二节点的电压继续上升，直至稳定在第四电压；所述第二电压小于有机发光二极管的阈值电压，所述第三电压大于公共电压且小于第四电压；步骤5、提供一模数转换器，利用所述模数转换器侦测出所述第二节点的电压，并根据第二节点的电压得出所述第二薄膜晶体管的阈值电压，所述第二薄膜晶体管的阈值电压等于第二电压与第二节点的电压的差值。所述步骤5中还提供运算放大器、以及相关双采样电路；侦测时，所述运算放大器的反相输入端电性连接其输出端，同相输入端电性连接第三节点，输出端电性连接相关双采样电路的输入端，所述相关双采样电路的输出端电性连接模数转换器，从而利用所述模数转换器侦测出所述第二节点的电压。所述步骤5中所述第二节点的电压经由运算放大器缓冲后输出给相关双采样电路，所述相关双采样电路对所述第二节点的电压进行锁存与逻辑运算后输出给模数转换器，所述模数转换器侦测所述第二节点的电压并进行数字量化。所述公共电压小于有机发光二极管的阈值电压。所述公共电压等于0V。所述OLED显示装置驱动电路中还形成有寄生电容，所述寄生电容并联于所述有机发光二极管的两端。所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、及第三薄膜晶体管均为氧化物半导体薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。还包括步骤6、根据侦测到的所述第二薄膜晶体管的阈值电压对数据信号进行补偿。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，该方法在驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测过程中，先向驱动薄膜晶体管的栅极提供一高电压，利用该提供的高电压增大驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压差，从而提升流过驱动薄膜晶体管的电流，加快驱动薄膜晶体管的源极电压的提升速度，进而加快OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测速度，减少OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测时间，提升用户体验，同时还在驱动薄膜晶体管的源极电压达到稳定之前，将驱动薄膜晶体管的栅极恢复为低电压，保证驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测的稳定性。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法中OLED显示装置驱动电路的电路图；图2为本专利技术的OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法的时序图；图3为本专利技术的OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法的流程图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图3，本专利技术提供了一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，包括如下步骤：步骤1、请参阅图1，提供一OLED显示装置驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第一电容C1、有机发光二极管D1、及开关S1。其中，所述第一薄膜晶体管T1的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一节点P；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED显示装置驱动电路，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第一电容(C1)、有机发光二极管(D1)、及开关(S1)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(P)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(P)，源极接入直流电压信号(Ovdd)，漏极电性连接第二节点(Q)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入侦测信号(Sen)，源极电性连接第三节点(K)，漏极电性连接第二节点(Q)；所述第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(P)，另一端电性连接第二节点(Q)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(Q)，阴极接地；所述第一开关(S1)的一端接入公共电压(Vcm)，另一端电性连接第三节点(K)；所述第二薄膜晶体管(T2)为驱动薄膜晶体管；步骤2、所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)均提供高电位，第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)均打开，所述数据信号(Data)提供第一电压(V1)，所述第一节点(P)被充电至第一电压(V1)，所述第二薄膜晶体管(T2)导通，所述开关(S1)闭合，所述第二节点(Q)被箝位在公共电压(Vcm)；步骤3、所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)保持高电位，第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)保持打开，所述数据信号(Data)保持第一电压(V1)，所述第一节点(P)的电压保持在第一电压(V1)，所述开关(S1)断开，所述第二节点(Q)的电压开始上升；步骤4、所述第二节点(Q)的电压上升至第三电压(V3)，所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)保持高电位，第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)保持打开，所述开关(S1)保持断开，所述数据信号(Data)提供小于第一电压(V1)的第二电压(V2)，所述第一节点(P)的电压下降至第二电压(V2)，所述第二薄膜晶体管(T2)仍导通，所述第二节点(Q)的电压继续上升，直至稳定在第四电压(V4)；所述第二电压(V2)小于有机发光二极管(D1)的阈值电压，所述第三电压(V3)大于公共电压(Vcm)且小于第四电压(V4)；步骤5、提供一模数转换器(ADC)，利用所述模数转换器(ADC)侦测出所述第二节点(Q)的电压，并根据第二节点(Q)的电压得出所述第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压，所述第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压等于第二电压(V2)与第二节点(Q)的电压的差值。...

【技术特征摘要】
1.一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED显示装置驱动电路，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第一电容(C1)、有机发光二极管(D1)、及开关(S1)；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(P)；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第一节点(P)，源极接入直流电压信号(Ovdd)，漏极电性连接第二节点(Q)；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入侦测信号(Sen)，源极电性连接第三节点(K)，漏极电性连接第二节点(Q)；所述第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(P)，另一端电性连接第二节点(Q)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(Q)，阴极接地；所述第一开关(S1)的一端接入公共电压(Vcm)，另一端电性连接第三节点(K)；所述第二薄膜晶体管(T2)为驱动薄膜晶体管；步骤2、所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)均提供高电位，第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)均打开，所述数据信号(Data)提供第一电压(V1)，所述第一节点(P)被充电至第一电压(V1)，所述第二薄膜晶体管(T2)导通，所述开关(S1)闭合，所述第二节点(Q)被箝位在公共电压(Vcm)；步骤3、所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)保持高电位，第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)保持打开，所述数据信号(Data)保持第一电压(V1)，所述第一节点(P)的电压保持在第一电压(V1)，所述开关(S1)断开，所述第二节点(Q)的电压开始上升；步骤4、所述第二节点(Q)的电压上升至第三电压(V3)，所述扫描信号(Scan)和侦测信号(Sen)保持高电位，第一和第三薄膜晶体管(T1、T3)保持打开，所述开关(S1)保持断开，所述数据信号(Data)提供小于第一电压(V1)的第二电压(V2)，所述第一节点(P)的电压下降至第二电压(V2)，所述第二薄膜晶体管(T2)仍导通，所述第二节点(Q)的电压继续上升，直至稳定在第四电压(V4)；所述第二电压(V2)小于有机发光二极管(D1)的阈值电压，所述第三电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄泰钧，梁鹏飞，周明忠，许神贤，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44