干式磨削装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供干式磨削装置，其防止磨削屑和粉末等异物附着于测定晶片状态的测定器上。干式磨削装置(1)具有：保持台(21)，其保持晶片(W)；磨削单元(41)，其具有以使磨削晶片的磨削垫(46)的中心与旋转轴(40)的中心一致的方式安装的主轴组件(43)；以及磨削加工进给单元，其在使磨削单元与保持台相对地接近和离开的方向上进行磨削进给，在磨削垫的中心形成的空孔(47)连通有形成于主轴组件的贯穿孔(48)，通过封闭贯穿孔的上端的罩部件(62)形成与贯穿孔连通封闭空间(63)，构成为通过配设于封闭空间(63)的测定器(60、61)而通过贯穿孔测定晶片(W)的状态的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在干燥环境的加工室内磨削晶片的干式磨削装置。
技术介绍
在磨削加工中，对残留于磨削后的晶片的被磨削面上的磨削变形进行磨削以提升抗折强度。以往，已知作为磨削装置而在不使用磨削液的情况下磨削晶片的干式磨削装置(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所述的干式磨削装置中，将在磨削加工中发生的磨削屑和由于磨削垫的磨损而产生的粉末等的细微的异物通过排气(吸气)而从加工室排出，使从加工室排气的异物湿润而作为废液进行处理。以使加工室形成为干燥环境的状态，使异物成为了废液，因此异物不会在加工室内飞散，设置有磨削装置的无尘室不会被污染。此外，作为干式磨削装置，已知使用直径大于晶片的外径的磨削垫磨削晶片的技术(例如，参照专利文献2)。专利文献2所述的干式磨削装置在使磨削垫的中心与晶片的中心错开的状态下使磨削垫接触晶片，从而能够更有效率地通过磨削垫磨削晶片。在这些专利文献1、2所述的干式磨削装置中，为防止晶片磨削时的摩擦热造成的表面烧灼而需要对磨削中的晶片的表面温度进行测定，并且为了进行更高精度的磨削加工而需要对磨削中的晶片的厚度进行测定。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4464113号公报专利文献2：日本专利第4754870号公报另外，在专利文献2的干式磨削装置中，半导体晶片的整个表面被磨削垫覆盖，因此并不存在上述的配设晶片的温度测定用的测定器和晶片厚度测定用的测定器的部位。在这种情况下，可以考虑采用在磨削垫的中心形成空孔，将与该空孔相连的贯穿孔形成于主轴组件上，从主轴组件的上方通过贯穿孔测定晶片的状态的结构。然而，
如果在磨削垫的空孔内进入细微的异物，则异物会通过主轴组件的贯穿孔而附着于测定器，存在污染测定器的问题。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供能够防止磨削屑和粉末等异物附着于测定晶片的状态的测定器上的干式磨削装置。本专利技术的干式磨削装置具有：保持台，其保持晶片；磨削单元，其具有以使磨削垫的中心与旋转轴的中心一致的方式安装的主轴组件，该磨削垫对在该保持台上保持的晶片进行磨削；以及磨削加工进给单元，其在使该磨削单元与该保持台相对地接近和离开的方向上进行磨削进给，该磨削单元具有：圆柱状的空孔，其将该磨削垫的中心作为中心；贯穿孔，其以延伸方向贯穿该主轴组件的该旋转轴的中心，并且使一端与该空孔连通；以及罩部件，其形成与该贯穿孔的另一端连通的封闭空间，在该封闭空间内配设测定器，该测定器对磨削中的晶片的状态进行测定。根据这种结构，磨削单元的贯穿孔的另一端被罩部件的封闭空间封闭，因此可抑制空气在空孔和贯穿孔中的出入。因此，贯穿孔内的空气的流动消失，因而在附着于磨削垫和晶片上的磨削屑和粉末等的细微的异物被扬起时，细微的异物也难以进入空孔和贯穿孔内。由于细微的异物难以进入与贯穿孔的另一端相连的封闭空间内，因此能够防止异物附着于在封闭空间内配设的测定器上。因此，能够在通过干式磨削装置良好地测定晶片的状态的同时进行磨削。此外，在上述干式磨削装置中，具有对该封闭空间与供给空气的空气供给源进行连通的空气供给单元，至少在使该磨削垫的磨削面接近晶片的上表面的磨削进给动作时，通过该空气供给单元供给空气，使该封闭空间形成正压。专利技术的效果根据本专利技术，磨削单元的贯穿孔的另一端被罩部件的封闭空间封闭，可抑制空气在空孔和贯穿孔中的出入，因此能够防止细微的异物附着于测定晶片的状态的测定器上。附图说明图1是第1实施方式的干式磨削装置的立体图。图2A和图2B是表示异物污染测定器的状况的说明图。图3A、图3B和图3C是表示第1实施方式的磨削单元的磨削动作的一例的图。图4A、图4B和图4C是表示第2实施方式的磨削单元的磨削动作的一例的图。标号说明1：干式磨削装置，21：保持台，31：磨削加工进给单元，40：旋转轴，41：磨削单元，43：主轴组件，46：磨削垫，47：空孔，48：贯穿孔，60、61：测定器，62：罩部件，63：封闭空间，64：空气供给单元，65：空气供给源，W：晶片。具体实施方式参照附图说明本实施方式的干式磨削装置。图1是第1实施方式的干式磨削装置的立体图。图2A和图2B是表示异物污染测定器的状况的说明图。另外，本实施方式的干式磨削装置不限于图1所示的磨削专用的装置，例如可以组入全自动实施磨削、磨削、清洗等的一系列加工的全自动型加工装置。如图1所示，干式磨削装置1构成为使用磨削单元41对磨削后的晶片W进行磨削，从而去除残留于晶片W的被磨削面(上表面81)的磨削变形。干式磨削装置1在干燥环境的加工室(未图示)内在不使用磨削液的情况下磨削晶片W，将磨削屑和由于磨削垫的磨损而造成的粉末等的细微的异物从加工室内吸引排出。另外，晶片W既可以是硅、砷化镓等的半导体基板，也可以是蓝宝石、碳化硅等的硬质无机材料基板。此外，晶片W还可以是器件形成后的半导体基板或无机材料基板。在干式磨削装置1的基台11的上表面形成有在X轴方向上延伸的矩形状的开口，该开口被能够与保持台21一起移动的台罩12和蛇腹状的防尘罩13覆盖。在防尘罩13的下方设置有使保持台21在X轴方向上移动的移动单元24；以及使保持台21连续旋转的旋转单元22。在保持台21的表面由多孔质的多孔材料形成有吸附晶片W的保持面23。保持面23通过保持台21内的流路而与吸引源(未图示)连接，通过在保持面23上产生的负压吸引保持晶片W。移动单元24具有：配置于基台11上且平行于X轴方向的一对导轨51；以及以能够滑动的方式设置于一对导轨51上的电动机驱动的X轴台52。在X轴台52的背面侧形成有螺母部(未图示)，在该螺母部螺合有滚珠丝杠53。而且，通过对与滚珠丝杠53的一端部连结的驱动电动机54进行旋转驱动，从而使得保持台21沿着一对
导轨51在X轴方向上移动。旋转单元22设置于X轴台52上，将保持台21支承为能够绕Z轴旋转。在基台11上的立柱14设置有在使磨削单元41与保持台21相对地接近和离开的Z轴方向上磨削进给的磨削加工进给单元31。磨削加工进给单元31具有：配置于立柱14上且平行于Z轴方向的一对导轨32；以及以能够滑动的方式设置于一对导轨32上的电动机驱动的Z轴台33。在Z轴台33的背面侧形成有螺母部(未图示)，该螺母部螺合有滚珠丝杠34。通过与滚珠丝杠34的一端部连结的驱动电动机35对滚珠丝杠34进行旋转驱动，从而使得磨削单元41沿着导轨32被磨削进给。磨削单元41隔着外壳42而安装于Z轴台33的前表面，且构成为在主轴组件43的下部设置有磨削垫46。在主轴组件43设置有凸缘45，并且隔着凸缘45而在外壳42上支承有磨削单元41。主轴组件43的下部成为安装器44，在安装器44的下表面安装有对在保持台21上保持的晶片W进行磨削的磨削垫46。磨削垫46由发泡材料或纤维质等形成，并且以使得磨削垫46的中心与旋转轴的中心一致的方式，安装于磨削单元41的主轴组件43。在干式磨削装置1设置有综合控制装置各部的控制部(未图示)。控制部由执行各种处理的处理器和存储器等构成。存储器根据用途而由ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等的一个或多个存储介质构成。在如上构成的干式磨削装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干式磨削装置，其具有：保持台，其保持晶片；磨削单元，其具有主轴组件，该主轴组件按照使磨削垫的中心与旋转轴的中心一致的方式进行安装，该磨削垫对在该保持台上保持的晶片进行磨削；以及磨削加工进给单元，其在使该磨削单元与该保持台相对地接近和离开的方向上进行磨削进给，该磨削单元具有：圆柱状的空孔，其将该磨削垫的中心作为中心；贯穿孔，其以延伸方向贯穿该主轴组件的该旋转轴的中心，且使一端与该空孔连通；以及罩部件，其形成与该贯穿孔的另一端连通的封闭空间，在该封闭空间内配设测定器，该测定器对磨削中的晶片的状态进行测定。

【技术特征摘要】
2015.04.08 JP 2015-0788381.一种干式磨削装置，其具有：保持台，其保持晶片；磨削单元，其具有主轴组件，该主轴组件按照使磨削垫的中心与旋转轴的中心一致的方式进行安装，该磨削垫对在该保持台上保持的晶片进行磨削；以及磨削加工进给单元，其在使该磨削单元与该保持台相对地接近和离开的方向上进行磨削进给，该磨削单元具有：圆柱状的空孔，其将该磨削垫的中心作为中心；贯穿孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：大日野晃一，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP