一种高精度电阻制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高精度电阻，包括2N个单位电阻，其中N个单位电阻横向放置，另一半N个单位电阻竖向放置。本实用新型专利技术解决了现有的电阻布局方式阻值偏差比较大的技术问题，本实用新型专利技术方法将单位电阻按照不同的方式和方向布局摆放，降低因为生产过程中尺寸偏差而造成的电阻绝对值偏差，提高电阻精度，使系统性能更稳定。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片领域，尤其是一种高精度电阻。
技术介绍
参见图1，普通的芯片内电阻布局方法。在一般情况下，芯片内电阻为了匹配的要求，会按照同样的方向放置所有单位电阻R，但实际在芯片生产过程中因为环境不是理想环境，会产生各种各样的偏差，最终芯片中的电阻阻值也会产生一定的偏差，其中一项偏差是由于生产过程中，光照会存在衍射，于是电阻器件的宽度W和长度L会有偏差。这种偏差会直接影响电阻的绝对值。对电阻绝对值要求较高的模块会产生影响。
技术实现思路
为了解决现有的电阻布局方式阻值偏差比较大的技术问题，本技术提供一种高精度电阻。本技术的技术解决方案是：一种高精度电阻布局方法，其特殊之处在于：将2N个单位电阻平均分成两半，其中N个单位电阻横向放置，另一半N个单位电阻竖向放置。将N个单位电阻横向放置，将其余N个单位电阻竖向放置，形成一字型布局。依次将N/2个单位电阻横向放置，N/2个单位电阻竖向放置；N/2个单位电阻横向放置，N/2个单位电阻竖向放置，形成回字型布局。一种高精度电阻，其特殊之处在于：包括2N个单位电路，其中N个单位电阻横向放置，另一半N个单位电阻竖向放置。N个单位电阻依次相连横向放置，其余N个单位电阻依次相连竖向放置，横向放置中的位于第一位置的单位电阻为输入端，横向放置中的位于最后一个位置的单位电阻与竖向放置中位于第一位置的单位电阻相连，竖向放置中的位于最后一个位置的单位电阻为输出端，形成一字型布局。2N个单位电阻平均分成四组，每组有N/2个单位电阻，第一组中的N/2个单位电阻横向放置，第二组中的N/2个单位电阻竖向放置，第三组中N/2个单位电阻横向放置，第四组中的N/2个单位电阻竖向放置，四组依次连接形成一个回字。2N个单位电阻平均分成六组，每组有N/3个单位电阻，从输入端到输出端六组连接方式如下：第一组中的N/3个单位电阻竖向放置，第二组中的N/3个单位电阻竖向放置，第一组中的所有单位电阻的一端分别与第二组中的所有电阻的一端连接，第一组中的位于首位的单位电阻的一端为输入端，第二组中的所有电阻的另一端均相连；第三组中的N/3个单位电阻横向放置，第四组中的N/3个单位电阻横向放置，第三组中的所有单位电阻的一端分别与第四组中的所有电阻的一端连接，第四组中的所有电阻的另一端均相连，第三组中位于首位的单位电阻的另一端与第一组中位于末位的单位电阻的另一端连接；第五组中的N/3个单位电阻竖向放置，第六组中的N/3个单位电阻横向放置，第五组中的所有单位电阻的一端均连接，第六组中的所有单位电阻的一端均连接，第五组中位于末位的单位电阻的另一端与第六组中位于首位的单位电阻的另一端连接，第六组中位于末位的单位电阻的另一端为输出端；六组依次连接形成一个人字。2N个单位电阻分成三组，第一组中N个单位电阻横向排列，第二组中的N/2个单位电阻竖向放置，第三组中的N/2个单位电阻竖向放置，第一组中的首位单位电阻的一端为输入端，第一组中的首位单位电阻的另一端与第二组中的首位单位电阻的一端连接，第二组中的首位单位电阻的另一端与第一组中的第二位单位电阻的一端连接，第一组中的第二位单位电阻的另一端与第三组中的首位单位电阻的一端连接，第三组中的首位电阻的另一端与第一组中的第三位单位电阻的一端连接，第一组中的第三位单位电阻的另一端与第二组中的第二位单位电阻的一端连接，第二组中的第二位单位电阻的另一端为输出端或按照第一组、第三组和第二组的顺序依次与其余单位电阻连接，形成蛇形连接。本技术所具有的效果：本技术为一种高精度电阻布局方法，该方法将单位电阻按照不同的方式和方向布局摆放，降低因为生产过程中尺寸偏差而造成的电阻绝对值偏差，提高电阻精度，使系统性能更稳定。附图说明图1是现有电阻布局示意图；图2是本技术的电阻布局示意图(一字形)；图3是本技术的另一种电阻布局示意图(回字形)；图4是本技术的另一种电阻布局示意图(人字形)；图5是本技术的另一种电阻布局示意图(蛇形)。具体实施例参见图2，假设同一个电阻需要2N个单位电阻R组成，取其中N个单位电阻R竖向放置，另外N个单位电阻R旋转90度横向放置。总阻值不变，仍然为2N*R。对于理想电阻，总电阻值Rt， R t = 2 N * R = 2 N * L W * R s q . ]]>其中Rsq是方块电阻，L是电阻的长度，W是电阻的宽度。假设在生产过程中，L方向变化了a倍，W方向变化了b倍，对于现有的电阻布局方式，总电阻Rt′， Rt ′ = 2 N * L * a W * b * R s q = 2 N * a b * R = a b * R t ]]>参见表1，是现有电阻布局方式的电阻变化率，随着电阻宽度和长度偏移量的不同而不同，假设长度变化幅度ΔL和宽度变化幅度ΔW都为-30％～30％，电阻变化率为-41.67％～85.71％。表1现有电阻布局方式下尺寸偏差对电阻值的影响对于本技术中的电阻布局方式，旋转90度横向放置的N个单位电阻的宽度和长度与竖向放置的N个单位电阻趋势相反，即竖向电阻单元L变化a倍，但横向电阻单元W变化a倍。因此总电阻Rt″， Rt ′ ′ = N * L * a W * b * R s q + N * L * b W * 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度电阻，其特征在于：包括2N个单位电阻，其中N个单位电阻横向放置，另一半N个单位电阻竖向放置。

【技术特征摘要】
1.一种高精度电阻，其特征在于：包括2N个单位电阻，其中N个单位电阻横向放置，另一半N个单位电阻竖向放置。2.根据权利要求1所述的高精度电阻，其特征在于：N个单位电阻依次相连横向放置，其余N个单位电阻依次相连竖向放置，横向放置中的位于第一位置的单位电阻为输入端，横向放置中的位于最后一个位置的单位电阻与竖向放置中位于第一位置的单位电阻相连，竖向放置中的位于最后一个位置的单位电阻为输出端，形成一字型布局。3.根据权利要求1所述的高精度电阻，其特征在于：2N个单位电阻平均分成四组，每组有N/2个单位电阻，第一组中的N/2个单位电阻横向放置，第二组中的N/2个单位电阻竖向放置，第三组中N/2个单位电阻横向放置，第四组中的N/2个单位电阻竖向放置，四组依次连接形成一个回字。4.根据权利要求1所述的高精度电阻，其特征在于：2N个单位电阻平均分成六组，每组有N/3个单位电阻，从输入端到输出端六组连接方式如下：第一组中的N/3个单位电阻竖向放置，第二组中的N/3个单位电阻竖向放置，第一组中的所有单位电阻的一端分别与第二组中的所有电阻的一端连接，第一组中的位于首位的单位电阻的一端为输入端，第二组中的所有电阻的另一端均相连；第三组中的N/3个单位电阻横向放置，第四组中的N/3个单位电阻横向放置，第三组中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁超，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61