制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用2015年3月30日提交的日本专利申请2015-070422号的公开，包括说明书、附图和摘要，以引用的方式全部并入本文。
本专利技术涉及一种用于半导体器件的制造技术，并且更加具体地，涉及一种有效地应用于半导体器件的制造方法的技术，该技术包括分割半导体晶片以获得多个半导体芯片的步骤。
技术介绍
日本特开2011-96767号公报(专利文件1)、日本特开2014-138177号公报(专利文件2)和日本特开2014-170822号公报(专利文件3)描述了用于研磨晶片的背侧以将凸出的外周部分保留为围绕器件区域的环的形式的方法。专利文件1公开了一种涉及将器件区域从外围部分切分并且然后研磨该器件区域的背侧的方法。而且，专利文件2公开了一种涉及研磨晶片的背侧以将其外周部分保留下来，并且然后通过使用贴附至晶片的背侧的胶带通过激光器和切割刀片将器件区域与外周部分分割开的方法。而且，专利文件3公开了一种涉及研磨晶片的背侧以将其外周部分保留下来，并且然后通过使用贴附至晶片的背侧的胶带借由与晶片的正表面侧接触的切割刀片将器件区域与外周部分分割开的方法。日本特开2012-19126号公报(专利文件4)公开了一种涉及用第一刀片按圆形切割晶片的外周，并且用第二刀片对晶片的外周壁进行抛光的方法。[现有技术文件][专利文件][专利文件1]日本特开2011-96767号公报[专利文件2]日本特开2014-138177号公报[专利文件3]日本特开2014-170822号公报[专利文件4]日本特开2012-19126号公报
技术实现思路
在半导体器件的制造方法中，在设置在半导体晶片的器件区域中的多个相应芯片区域中，共同地形成集成电路，并且然后将芯片区域分割，从而制造出半导体器件。在这种情况下，在不将芯片区域与半导体晶片分割开的状态下对半导体晶片执行各种类型的制造工艺，直到将芯片区域分割的步骤为止。为了在各个制造工艺中的每一个中高精确度地处理半导体晶片，需要一种抑制半导体晶片的翘曲和变形的技术。例如，如上面提及的专利文件3所描述的，涉及研磨半导体晶片的背侧以将环状凸出部保留在器件区域的周围(periphery)的外部处的方法，有效地作为一种用于在制造工艺期间抑制半导体晶片的翘曲和变形的技术。然而，前述各种方法在改进半导体器件的制造效率方面，存在各种问题。例如，难以将芯片区域与形成在器件区域的周围的外部处的环状凸出部分割开。为此，需要在分割芯片区域之前，去除上面提及的凸出部。然而，根据去除环状凸出部的方法，将环状凸出部与器件区域分割开需要大的裕度，这可能会减小器件区域的有效面积。器件区域的有效面积的这种减小导致制造效率降低。其它问题和本专利技术的其它新颖特征将通过本说明书和所附附图的说明进行阐明。在根据一个实施例的半导体器件的制造方法中，对半导体晶片的一个表面进行研磨，从而使得第一部分比围绕第一部分的第二部分更薄。在上面提及的半导体器件的制造方法中，第一胶带的接合表面贴附至与半导体晶片的该一个表面相对的表面。在通过第一胶带保持半
导体晶片的同时，通过使用与第一部分的该一个表面接触的旋转刀片切割第一部分的部分，来将第一部分与第二部分分割开。根据上面描述的一个实施例，可以改进半导体器件的制造效率。附图说明图1是在一个实施例中的半导体芯片的顶视图。图2是在图1中示出的半导体芯片的底视图。图3是示出了被包括在图1和图2中示出的半导体芯片中的场效应晶体管的元件结构的主要部分的示例的截面图。图4是在其上安装有在图1中示出的半导体芯片的半导体器件(半导体封装体)的顶视图。图5是在图4中示出的半导体芯片的底视图。图6是示出了从其去除了在图4中示出的密封体的半导体器件的内部结构的平面图。图7是沿着图6的线A-A所截取的截面图。图8是示出了用于根据一个实施例的半导体器件的制造工序的概要的说明图。图9是示出了在图8中示出的晶片准备步骤中准备的半导体晶片的主表面侧处的平面的平面图。图10是在图9中示出的半导体晶片的截面图。图11是示出了在图8中示出的背面研磨工艺的流程的示意性说明图。图12是在背面研磨工艺之后的晶片的背表面的平面图。图13是在图12中示出的晶片的周缘部分附近的放大截面图。图14是示出了在图13中示出的晶片的背表面上形成金属膜的状态的放大截面图。图15是示出了将在图14中示出的晶片的周缘部分与其中心部分分割开并且然后从其去除的状态的示意性透视图。图16是示出了经由保持胶带将在图14中示出的晶片固定至固定
环的状态的透视图。图17是在图16中示出的晶片的周缘部分附近的放大截面图。图18是示出了将在图17中示出的晶片的中心部分与周缘部分之间的边界的附近切割为环形的步骤的平面图。图19是示出了用在图18中示出的刀片切割晶片的一部分的状态的放大截面图。图20是示出了通过紫外线照射在图19中示出的保持胶带的状态的透视图。图21是示出了将晶片的周缘部分从在图20中示出的保持胶带剥离并且去除的状态的截面图。图22是示出了在保持了在图21中示出的晶片的中心部分的保持胶带中形成标记的状态的平面图。图23是示出了在其中将用于保持在图22中示出的晶片的中心部分的保持胶带切割以使晶片与固定环分割开的方式的示意性平面图。图24是示出了将在图23中示出的晶片分割为芯片区域的晶片分割步骤的方式的示意性平面图。图25是示出了将在图23中示出的晶片与用于晶片分割步骤的保持膜层合的状态的截面图。图26是示出了用刀片切割在图25中示出的晶片的步骤的截面图。图27是示出了在与图19对应的修改示例的圆切割工艺中的第一切割步骤时在晶片的中心部分的周缘部分中形成沟槽的状态的放大截面图。图28是示出了通过沿着在图27中示出的沟槽对晶片进行切割工艺来切割晶片的状态的放大截面图。图29是示出了与图19对应的考虑示例的放大截面图。具体实施方式(本申请中的说明形式、基本术语及其用法的说明)在本申请中，若需要，出于方便起见，可以通过将以下各个实施
例分为多个部分等来描述以下各个实施例，这些部分不是彼此无关的，除非另有说明。无论说明的位置如何，这些部分中的一个可以是单个示例的各个部分、其它示例的一部分的细节、其它示例的一部分或者全部的修改示例等。原则上，不再重复描述具有相同功能的部分。各个实施例的相应部件不是必需的，除非另有说明，除了当在理论上限制了部件的数量时、以及当从其上下文显而易见不为此时。同样，在各个实施例等的说明中，关于材料、组成等的术语“X由A组成”等不排除含有除了A之外的成分作为主要成分中的一种的情况，除非另有说明、以及除了当从其上下文显而易见不为此时。例如，关于部件，上面的表达指“含有A作为主要成分的X”等。具体地，术语“硅构件”等不限于由纯硅制成的构件，并且显然地可以包括含有SiGe(锗化硅)合金、含有硅作为主要成分、其它添加剂等的其它多成分合金的构件。术语“镀金”、“铜层”、“镀镍”等不仅包括纯构件，还包括含有金、铜、镍等作为主要成分的构件，除非另有说明。进一步地，同样，在提及具体数字值或者量时，用于要素的数字值可以超过具体数字值，或者可以小于具体数字值，除非另有说明，并且除了当在理论上受限于具体数字时，或者从其上下文显而易见不为此。在各个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体晶片的第一表面上形成电路，所述半导体晶片具有所述第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；(b)研磨所述半导体晶片的所述第二表面，从而使得第一部分比围绕所述第一部分的第二部分更薄；(c)将第一胶带的接合表面贴附至所述半导体晶片的所述第一表面；以及(d)在所述半导体晶片由所述第一胶带保持的同时，通过用与所述第一部分的所述第二表面接触的旋转刀片切割所述第一部分的部分，来将所述第一部分与所述第二部分分割开。

【技术特征摘要】
2015.03.30 JP 2015-0704221.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体晶片的第一表面上形成电路，所述半导体晶片具有所述第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；(b)研磨所述半导体晶片的所述第二表面，从而使得第一部分比围绕所述第一部分的第二部分更薄；(c)将第一胶带的接合表面贴附至所述半导体晶片的所述第一表面；以及(d)在所述半导体晶片由所述第一胶带保持的同时，通过用与所述第一部分的所述第二表面接触的旋转刀片切割所述第一部分的部分，来将所述第一部分与所述第二部分分割开。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一胶带比在所述步骤(b)之后的所述第一部分更厚。3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，进一步包括(e)在所述步骤(d)之后，去除所述第二部分；(f)在所述第一胶带贴附至所述半导体晶片的情况下，将第二胶带的接合表面贴附至所述半导体晶片的所述第一部分的所述第二表面侧；以及(g)在所述步骤(f)之后，将所述第一胶带从所述半导体晶片剥离。4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一胶带包括第一基材和第一粘合层，所述第一粘合层设置在所述第一基材的一个表面处、并且贴附至所述半导体晶片的所述第一表面，其中所述第二胶带包括第二基材和第二粘合层，所述第二粘合层设置在所述第二基材的一个表面处、并且贴附至所述半导体晶片的所述第一部分的所述第二表面，并且其中所述第一粘合层比所述第二粘合层更厚。5.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中所述半导体晶片的所述第一部分包括：多个芯片区域、以及设置在所述芯片区域之间的多个划片区域；所述方法进一步包括以下步骤：在所述步骤(g)之后，在所述半导体晶片由所述第二胶带保持的同时，用与所述第一部分的所述第一表面侧接触的旋转刀片，沿着所述划片区域的延伸方向切割所述第一部分，从而将所述晶片分割为相应的芯片区域。6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述步骤(c)包括以下步骤：(c1)在使所述旋转刀片转动的同时，通过移动所述旋转刀片、以沿着所述半导体晶片的所述第一部分的外边缘画弧线，来在所述第一部分的所述第二表面侧处执行切割工艺，从而形成沟槽；以及(c2)在所述步骤(c1)之后，沿着所述沟槽执行另外的切割工艺，从而在其厚度方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉原贵光，贝沼隆浩，冈浩伟，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP