一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制作方法技术

技术编号:13837766 阅读:46 留言:0更新日期:2016-10-15 23:56
本申请提供了一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制作方法,用以通过设置凹陷区域,实现了将入射光转变为散射光,从而增大了包括有该阵列基板的显示面板的观看角度范围,提升了包括有该阵列基板的显示面板的观看视角。所述阵列基板包括:像素单元和平坦化层;其中,所述像素单元在所述平坦化层上所对应的区域为凹陷区域。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及通信
,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制作方法
技术介绍
随着显示技术的急速进步,作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。其中,OLE按驱动方式可分为无源矩阵驱动有机发光二极管(Passive Matrix Driving,OLED,PMOLED)和有源矩阵驱动有机发光二极管(Active Matrix Driving,OLED,AMOLED),由于AMOLED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点,而可望成为取代液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的下一代新型平面显示器。在现有的AMOLED显示面板中,每个OLED均包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)开关电路。其中,低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon)TFT由于其具有优越的静态电学特性,被作为一种重要的电子器件在液晶显示、矩阵图像传感器等方面已经得到广泛的应用。在OLED的背板工艺中,平坦化层(Planar Layer,PLN)起着相当重要的作用。通过有机膜材料,将下层电路的非平坦区域推平。不过,由于从现有的OLED显示面板中射出的光线大多是平行光,因此,显示面板的观看角度范围很小,即影响了OLED显示面板的观看视角(View Angle)。综上所述,由于从现有的OLED显示面板中射出的光线大多是平行光,因
此,显示面板的观看角度范围很小,即影响了OLED显示面板的观看视角。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制作方法,用以通过设置凹陷区域,实现了将入射光转变为散射光,从而增大了包括有该阵列基板的显示面板的观看角度范围,提升了包括有该阵列基板的显示面板的观看视角。本申请实施例提供的一种阵列基板,该阵列基板包括:像素单元和平坦化层;其中,所述像素单元在所述平坦化层上所对应的区域为凹陷区域。本申请实施例中,通过设置凹陷区域,实现了将入射光转变为散射光,从而增大了包括有该阵列基板的显示面板的观看角度范围,提升了包括有该阵列基板的显示面板的观看视角。较佳地,所述凹陷区域的厚度值在第一预设范围内。较佳地,所述第一预设范围大于或等于1.9微米,且小于或等于3.0微米。较佳地,所述第一预设范围大于或等于2.4微米,且小于或等于2.6微米。本申请实施例中,通过对凹陷区域的厚度值的限制,保证了凹陷区域的微腔效应,避免凹陷区域对显示面板显示效果的影响。较佳地,所述阵列基板还包括:源漏极和阳极,其中,所述平坦化层位于所述源漏极与所述阳极之间;所述源漏极在所述平坦化层上所对应的区域与所述阳极在所述平坦化层上所对应的区域的重叠区域的厚度值大于所述凹陷区域的厚度值。较佳地,所述重叠区域的厚度值在第二预设范围内。较佳地,所述第二预设范围大于或等于1.5微米,且小于或等于3.0微米。较佳地,所述重叠区域的厚度值为2.0微米。本申请实施例中,通过对重叠区域的厚度的限制,避免了源漏极与阳极之间的串扰。本申请实施例提供的一种显示面板,该显示面板包括:任一项上述的阵列基板。本申请实施例提供的一种上述阵列基板的制作方法,该方法包括:在源漏极、像素单元上形成平坦化层,其中,所述像素单元在所述平坦化层上所对应的区域为凹陷区域;在所述平坦化层上形成阳极。本申请实施例中,通过设置凹陷区域,实现了将入射光转变为散射光,从而增大了包括有该阵列基板的显示面板的观看角度范围,提升了包括有该阵列基板的显示面板的观看视角。较佳地,所述凹陷区域的厚度值在第一预设范围内。较佳地,所述第一预设范围大于或等于1.9微米,且小于或等于3.0微米。较佳地,所述第一预设范围大于或等于2.4微米,且小于或等于2.6微米。本申请实施例中,通过对凹陷区域的厚度值的限制,保证了凹陷区域的微腔效应,避免凹陷区域对显示面板显示效果的影响。较佳地,在源漏极、像素单元上形成平坦化层,包括:在源漏极、像素单元上形成第一平坦化层,其中,所述第一平坦化层的厚度在第三预设范围内;利用灰阶掩膜板,通过曝光工艺,得到所述像素单元在所述第一平坦化层上所对应的区域为凹陷区域的第二平坦化层。较佳地,所述第三预设范围大于或等于2.4微米,且小于或等于3.6微米。较佳地,所述第三预设范围大于或等于2.9微米,且小于或等于3.1微米。较佳地,所述灰阶掩膜板的透过率大于或等于0.1%,且小于或等于10%。较佳地,所述灰阶掩膜板的透过率大于或等于1%,且小于或等于5%。本申请实施例中,通过上述灰阶掩膜板利用曝光工艺逐渐减薄,从而得到平滑弧度的凹陷区域,实现了将入射光转变为散射光,从而增大了包括有该阵列基板的显示面板的观看角度范围,提升了包括有该阵列基板的显示面板的观
看视角。较佳地,在形成第一平坦化层之后,该方法还包括:对所述源漏极在所述平坦化层上所对应的区域与所述阳极在所述平坦化层上所对应的区域的重叠区域进行固化工艺,形成第三平坦化层;利用灰阶掩膜板,通过曝光工艺,得到所述像素单元在所述第一平坦化层上所对应的区域为凹陷区域的第二平坦化层,包括:利用灰阶掩膜板,通过曝光工艺,得到所述像素单元在所述第三平坦化层上所对应的区域为凹陷区域的第二平坦化层。较佳地,所述重叠区域的厚度值大于所述凹陷区域的厚度值。本申请实施例中,通过设置大于凹陷区域的厚度值的重叠区域,避免了源漏极与阳极之间的串扰,且平坦化层中像素单元所对应的位置设置凹陷区域,改善了过于平坦的平坦化层对观看视角的影响。较佳地,所述重叠区域的厚度值在第二预设范围内。较佳地,所述第二预设范围大于或等于1.5微米,且小于或等于3.0微米。较佳地,所述重叠区域的厚度值为2.0微米。本申请实施例中,通过对重叠区域的厚度值的限制,有效的避免了源漏极与阳极之间的串扰。附图说明图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;图2为本申请实施例提供的阵列基板的工作原理示意图;图3为本申请实施例提供的阵列基板的凹陷区域的结构示意图;图4为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;图5为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;图6为本申请实施例提供的一种上述阵列基板的制作方法的流程示意图;图7为本申请实施例提供的上述阵列基板的平坦化层的制作方法的流程示意图。具体实施方式本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制作方法,用以通过设置凹陷区域,实现了将入射光转变为散射光,从而增大了包括有该阵列基板的显示面板的观看角度范围,提升了包括有该阵列基板的显示面板的观看视角。下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。参见图1,本申请本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,该阵列基板包括:像素单元和平坦化层;其中,所述像素单元在所述平坦化层上所对应的区域为凹陷区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,该阵列基板包括:像素单元和平坦化层;其中,所述像素单元在所述平坦化层上所对应的区域为凹陷区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凹陷区域的厚度值在第一预设范围内。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一预设范围大于或等于1.9微米,且小于或等于3.0微米。4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一预设范围大于或等于2.4微米,且小于或等于2.6微米。5.根据权利要求1~4任一权项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:源漏极和阳极,其中,所述平坦化层位于所述源漏极与所述阳极之间;所述源漏极在所述平坦化层上所对应的区域与所述阳极在所述平坦化层上所对应的区域的重叠区域的厚度值大于所述凹陷区域的厚度值。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述重叠区域的厚度值在第二预设范围内。7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二预设范围大于或等于1.5微米,且小于或等于3.0微米。8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述重叠区域的厚度值为2.0微米。9.一种显示面板,其特征在于,该显示面板包括:权利要求1~8任一项所述的阵列基板。10.一种权利要求1~8任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,该方法包括:在源漏极、像素单元上形成平坦化层,其中,所述像素单元在所述平坦化层上所对应的区域为凹陷区域;在所述平坦化层上形成阳极。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述凹陷区域的厚度值在第一预设范围内。12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一预设范围大于或等于1.9微米,且小于或等于3.0微米。13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一预设范围大于或等于2.4微米,且小于或等...

【专利技术属性】
技术研发人员:田宏伟牛亚男刘亮亮张朝波
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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