在存储器编程期间斜变抑制电压制造技术

抑制电压是被施加到邻近于使存储器单元在程序操作期间写入的程序字线的字线的电压。可以在程序脉冲期间斜升用于程序操作的抑制电压。作为施加导致初始升压通道电势由于泄露而急剧地减少的恒定的高抑制电压的替代，系统可以更低地开始使抑制电压并在程序脉冲期间斜升抑制电压。斜升可以是在程序脉冲期间的持续斜变或处于有限离散步骤。这样的抑制电压的斜变可以提供程序干扰和抑制干扰之间的更好的权衡。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般涉及存储器设备，并且更特别地涉及在存储器编程期间斜升抑制电压以改进程序干扰和抑制干扰之间的权衡。版权通知/许可本专利文献的公开内容的部分可包含受版权保护的材料。版权所有人不反对任何人对专利文献或专利公开内容的复制，因为其出现在专利与商标局专利文件或记录中，但是版权所有人另外保留对其的所有版权权利。版权通知适用于如下面描述的、和在关于其的附图中的所有数据，以及适用于下面描述的任何软件：版权©2014，英特尔公司，保留所有权利。
技术介绍
计算设备依赖于储存设备以存储在计算设备中使用的代码和数据。固态存储器设备提供了不具有在常规旋转磁盘储存设备中使用的机械部分的非易失性储存。常见的固态储存技术是闪速存储器，并且更具体地，基于NAND的闪速存储器是尤其常见的。通过在被编程的字线上施加高电压来对诸如闪速存储器的固态存储器进行写入或编程。被编程的单元位于被编程的字线和被选择的位线的交叉点处。被抑制的单元位于被编程的字线和未被选择的位线的交叉点处。将需要被编程的单元保持在零通道电势处（通过将电压从被选择的位线传递至它们的通道），并通过对不需要被编程的单元的通道升压（将它们本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在存储器编程期间斜变抑制电压的方法，包括：发起针对存储器设备的程序字线中的存储器单元的程序操作，所述程序操作具有在其期间所述程序操作执行的相关联的程序操作窗口；针对所述程序操作的开始为邻近于所述程序字线的一个或多个字线生成初始抑制电压；以及在所述程序操作窗口期间斜升抑制电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.27 US 14/2282451.一种用于在存储器编程期间斜变抑制电压的方法，包括：发起针对存储器设备的程序字线中的存储器单元的程序操作，所述程序操作具有在其期间所述程序操作执行的相关联的程序操作窗口；针对所述程序操作的开始为邻近于所述程序字线的一个或多个字线生成初始抑制电压；以及在所述程序操作窗口期间斜升抑制电压。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述程序操作窗口包括程序使能脉冲的宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，生成所述初始抑制电压和在所述程序操作窗口期间斜升所述抑制电压包括将所述抑制电压从初始值斜变至最终值，选择该两个值以导致平均升压通道电势高于得自以固定水平发起所述抑制电压并导致相同抑制干扰的平均升压通道电势。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述程序操作窗口期间斜升所述抑制电压包括在所述程序操作窗口期间持续地斜升所述抑制电压。5.根据权利要求4所述的方法，其中，斜升所述抑制电压包括用三角斜率斜升所述抑制电压。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器设备包括NAND闪速存储器设备。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抑制电压包括被施加到邻近于所述程序字线的多个字线的抑制电压。8.一种在存储器编程期间斜变抑制电压的存储器子系统，包括：存储器设备，包括所述存储器设备的字线中的存储器单元，所述存储器单元经由程序操作可编程，所述程序操作通过具有相关联的程序操作窗口的程序操作信号来触发；程序控制逻辑，用以发起程序操作以对所述存储器单元编程，包括设置所述程序操作信号；以及电压源，用以针对所述程序操作为邻近于所述存储器单元的所述字线的一个或多个相邻字线生成初始抑制电压，并且在所述程序操作信号期间斜升所述初始抑制电压。9.根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：S拉瓦德，P卡拉瓦德，N米尔克，K帕拉特，SS拉胡纳桑，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US