【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及透明导电膜用保护膜形成组合物。
技术介绍
目前，作为透明导电膜材料，主要使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，它们正在成为显示出良好的光学透明性和导电性的标准材料。然而，为了获得它们的无机氧化物膜，必须进行溅射、高真空中、高温退火等复杂的工艺。因此，需要特殊的设备，存在着高成本的问题。电子器件随着塑料基板等的使用而正在实现弹性化、轻量化，需要能承受弯曲等物理应力的耐久性。虽然人们也正在研究对于弹性基板的ITO和IZO的制膜技术，但无机氧化物的脆弱性且易损伤性等性质尚未得到改善。近年来，随着弹性化的进行，人们正在开发具有导电性纳米结构(金属纳米粒子和金属纳米线的透过(percolation)结构、金属网状物(mesh)结构等)的透明导电膜。如果使用金属纳米粒子或金属纳米线分散液，就能采用湿式工艺制作透明导电膜(专利文献1～3)。具有导电性纳米结构的透明导电膜，不需要复杂的工艺，而仅仅通过增加其含有的金属量，就能降低其电阻。然而，由于金属量的增加，因光的漫反射而引起白浊化，招致光学透明性蒙受损失，而且，由于是金属，存在因表面劣化或结构体破坏而导致的失去导电性的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2009－505358号公报专利文献2：特开2013－77234号公报专利文献3：特开2010－108877号公报专利文献4：国际公开第2010/128661号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术就是鉴于上述情况而进行的，目的在于，提供能够改善具有导电性纳米结构的透明导电膜的可见性的、而且具有抑制透明导电膜劣化的效果的、可形成透明导...
【技术保护点】
透明导电膜用保护膜形成组合物，其特征在于，其含有包含由下述式(1)表示的重复单元结构的含三嗪环超支化聚合物以及分子量1,000以上的交联剂A：[化1]{式中，R和R'相互独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或者芳烷基；Ar表示选自由式(2)～(13)所示基团构成的组中的至少1种基团；[化2][式中，R1～R92相互独立地表示氢原子、卤原子、羧基、磺基、碳数1～10的烷基或者碳数1～10的烷氧基；R93和R94表示氢原子或者碳数1～10的烷基；W1和W2相互独立地表示单键、－C(R95)(R96)－(R95和R96相互独立地表示氢原子或者碳数1～10的烷基；当R95和R96皆为烷基时，它们也可以相互键合并与它们键合的碳原子一起形成环)、－C(O)－、－O－、－S－、－S(O)－、－S(O)2－或者－N(R97)－(R97表示氢原子或者碳数1～10的烷基)；X1和X2相互独立地表示单键、碳数1～10的亚烷基或者由式(14)表示的基团；[化3](式中，R98～R101相互独立地表示氢原子、卤原子、羧基、磺基、碳数1～10的烷基或者碳数1～10的烷氧基；Y1和Y2相互独立地表示单键或者碳数1～...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.17 JP 2013-2597231.透明导电膜用保护膜形成组合物，其特征在于，其含有包含由下述式(1)表示的重复单元结构的含三嗪环超支化聚合物以及分子量1,000以上的交联剂A：[化1]{式中，R和R'相互独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或者芳烷基；Ar表示选自由式(2)～(13)所示基团构成的组中的至少1种基团；[化2][式中，R1～R92相互独立地表示氢原子、卤原子、羧基、磺基、碳数1～10的烷基或者碳数1～10的烷氧基；R93和R94表示氢原子或者碳数1～10的烷基；W1和W2...
【专利技术属性】
技术研发人员：悴山高大，西村直也，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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