半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种能够判定龟裂有无的半导体装置。实施方式的半导体装置(1)包含：衬底(30)；第1化合物半导体层(32)，设于衬底(30)上；第2化合物半导体层(33)，设于第1化合物半导体层(32)上，且带隙比第1化合物半导体层(32)大；元件分离区域(21)，设于第1化合物半导体层(32)及第2化合物半导体层(33)内；导电区域(23)，包含配置在比元件分离区域(21)更外侧的第1及第2化合物半导体层(32、33)；以及第1及第2电极垫(24)，电连接于导电区域(23)。

【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2015-49743号(申请日：2015年3月12日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置，尤其涉及一种具备化合物半导体的半导体装置。
技术介绍
使用有氮化物半导体的半导体元件被利用于功率装置及高频装置。此外，作为使用有氮化物半导体的半导体发光元件的发光二极管(LED)被利用于显示装置及照明等。使用有氮化物半导体等化合物半导体的元件具有优秀的材料特性，所以能够实现高性能的半导体元件。若将此种氮化物半导体元件形成于硅(Si)衬底上则量产性优秀。然而，容易因晶格常数或热膨胀系数的差异而产生缺陷或龟裂等。起因于该龟裂，而功率装置等产生不良，良率降低。
技术实现思路
实施方式提供一种能够判定龟裂有无的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：衬底；第1化合物半导体层，设于所述衬底上；第2化合物半导体层，设于所述第1化合物半导体层上，且带隙大于所述第1化合物半导体层；第1元件分离区域，设于所述第1化合物半导体层及所述第2化合物半导体层内；第1导电区域，包含配置在比所述第1元件分离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；第1化合物半导体层，设于所述衬底上；第2化合物半导体层，设于所述第1化合物半导体层上，且带隙比所述第1化合物半导体层大；第1元件分离区域，设于所述第1化合物半导体层及所述第2化合物半导体层内；第1导电区域，包含与所述第1元件分离区域相比，配置在外侧的所述第1及第2化合物半导体层；以及第1及第2电极垫，电连接于所述第1导电区域。

【技术特征摘要】
2015.03.12 JP 2015-0497431.一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；第1化合物半导体层，设于所述衬底上；第2化合物半导体层，设于所述第1化合物半导体层上，且带隙比所述第1化合物半导体层大；第1元件分离区域，设于所述第1化合物半导体层及所述第2化合物半导体层内；第1导电区域，包含与所述第1元件分离区域相比，配置在外侧的所述第1及第2化合物半导体层；以及第1及第2电极垫，电连接于所述第1导电区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第1元件分离区域是以包围设置半导体元件的元件区域的方式配置。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：还包括第2元件分离区域，所述第2元件分离区域配置在與所述第1导电区域相比為外侧處。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：还包括第2导电区域，所述第2导电区域包含配置在所述第1元件分离区域与所述第1导电区域之间的所述第1及第2化合物半导体层，且电连接于所述第1电极垫。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述第2导电区域是以包围设置半导体元件的元件区域的方式配置。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：鬼泽岳，高田贤治，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP