本发明专利技术涉及电子装置，其课题在于温度检测用二极管的VF的偏差大且宽温度范围内的温度测定的精度降低。电子装置包括具备温度检测用二极管的电力用半导体装置、具备从温度检测用二极管检测VF的检测电路的第1半导体集成电路装置和第2半导体集成电路装置。第2半导体集成电路装置具备：外部气温取得部，取得外部气温信息；存储装置，储存温度检测用二极管的温度特性数据和第1温度下的基于来自检测电路的信号的第1值；以及温度运算处理部，根据基于来自检测电路的信号的第3值、温度特性数据、由外部气温取得部取得的第1温度以及第1值，计算电力用半导体装置的温度。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电子装置，可应用于具备内置有例如温度检测用二极管的电力用半导体装置的电子装置。
技术介绍
利用设置于半导体芯片内的二极管的正向电压(VF)的温度依赖性，来进行半导体芯片的温度测定。作为与本公开关联的现有技术文献，有例如日本特开平5-40533号公报。专利文献1：日本特开平5-40533号公报
技术实现思路
温度检测用二极管的VF的偏差大，宽温度范围内的温度测定的精度降低。其他课题和新的特征根据本说明书的叙述以及附图将更加明确。如果简单地说明本公开中的代表性的专利技术的概要，则如下述所述。即，电子装置具备电力用半导体装置、驱动所述电力用半导体装置的第1半导体集成电路装置以及控制所述第1半导体集成电路装置的第2半导体集成电路装置。所述电力用半导体装置具备开关晶体管和温度检测用二极管。所述第1半导体集成电路装置具备驱动所述开关晶体管的驱动电路和从所述温度检测用二极管检测VF的检测电路。所述第2半导体集成电路装置具备控制所述驱动电路的控制部、取得外部气温信息的外部气温取得部、储存所述温度检测用二极管的温度特性数据和第1温度下的基于来自所述检测电路的信号的第1值
的存储装置以及根据基于来自所述检测电路的信号的第3值、所述温度特性数据、由所述外部气温取得部取得的所述第1温度和所述第1值来计算所述电力用半导体装置的温度的温度运算处理部。根据上述电子装置，能够减轻宽温度范围的温度测定的精度降低。附图说明图1是用于说明温度检测用二极管的VF的偏差的图。图2是用于说明实施方式的电子装置的框图。图3是用于说明实施例1的电子装置的框图。图4是用于说明实施例1的控制电路的框图。图5是用于说明实施例1的电子装置的制造方法的图。图6是用于说明实施例1的温度系数计算部处理的图。图7是用于说明实施例1的温度系数计算部处理的流程图。图8是用于说明实施例1的控制电路的框图。图9是用于说明实施例1的控制电路的框图。图10是用于说明实施例2的电子装置的框图。图11是用于说明实施例2的控制电路的框图。图12是用于说明实施例2的温度系数计算部处理的流程图。图13是用于说明实施例2的温度系数计算部处理的流程图。图14是用于说明实施例3的电子装置的框图。图15是用于说明实施例3的控制电路的框图。图16是用于说明实施例3的温度系数计算部处理的流程图。图17是用于说明实施例1至3的电子装置的应用例的框图。图18是用于说明实施例1至3的电子装置的隔离器的图。图19是示出功率模块的结构的图。图20是用于说明实施例4的电子装置的框图。图21是示出实施例4的功率模块的结构的图。图22是用于说明实施例4的ID读取装置的图。图23是用于说明实施例4的ID电路的温度特性数据的读取的流程图。图24是用于说明实施例4的温度系数计算部处理的流程图。图25是用于说明实施例5的电子装置的框图。图26是示出实施例5的功率模块的结构的图。图27是示出实施例5的ID读取装置的图。图28是用于说明实施例5的ID代码的读取的流程图。图29是用于说明实施例5的温度系数计算部处理的流程图。图30是用于说明实施例6的电子装置的框图。图31是用于说明实施例6的ID代码的读取的流程图。图32是用于说明实施例7的电子装置的框图。图33是示出实施例7的IGBT的结构的图。图34是用于说明实施例7的温度系数计算部处理的流程图。图35是用于说明实施例8的电子装置的框图。图36是示出实施例8的驱动器IC和IBGT的连接例的框图。图37是图36的结构中的串行通信的时序图。图38是用于说明实施例8的温度系数计算部处理的流程图。符号说明1、1A、1B、1C：电子装置；1D、1E、1F、1G、1H：电子装置；10：电力用半导体装置；10A、10B、10C：IGBT(电力用半导体装置)；10D、10E、10F、10G、10H：IGBT；11：开关元件；12：温度检测用二极管；13B、13C：ID电路；13E：条形码；13H：ID电路；14：切换电路；20：第1半导体集成电路装置；20A、20B、20C：驱动器IC(第1半导体集成电路装置)；20D、20E、20F、20G、20H：驱动器IC；21：栅极电路(驱动电路)；22：温度检测用A/D变换器(检测电路)；23：电流偏置电路；24：隔离器；25：ID读出电路；25G、25H：ID读出电路；30：第2半导体集成电路装置；30A、30B、30C：控制电路(第2半导体集成电路装置)；30D、30E、30F、30G、30H：控制电路；31：CPU；32：PWM电路；33：存储装置；34、
34B、34C：I/O接口；34H：I/O接口；35：A/D变换器；36：PC接口；44：外部气温检测器；45：PC。具体实施方式以下，使用附图，说明实施方式以及实施例。但是，在以下的说明中，有时对同一构成要素附加同一符号而省略重复的说明。电动机(马达)被用作与内燃机(汽油引擎)组合了的混合动力汽车(HEV)或者电动汽车(EV)等的动力源。在驱动电动机时，使用为了得到预定的转矩、电源频率而进行直流-交流变换的电力变换装置(逆变器)。根据汽车的行驶环境，逆变器的运行温度大幅变动，特别是在引擎室中搭载有逆变器的HEV中，由于引擎发热的影响而逆变器成为高温。关于逆变器内的开关元件(例如电力用半导体装置)，除了这样的周围温度以外，由于电力用半导体装置元件自身的电流流过所导致的稳定损失、接通/断开所导致的开关损失的影响而温度上升，如果超过某个温度则存在导致破坏的担忧。在逆变器内，除了电力用半导体装置以外，还使用驱动电力用半导体装置的驱动电路以及控制驱动电路的控制电路。驱动电路除了驱动电力用半导体装置的栅极驱动电路以外，为了保护电力用半导体装置免受高温等所导致的破坏，还具有过电流保护以及过热保护功能。例如，在电力用半导体装置中，内置温度检测用的二极管，从驱动电路内的电流源流出电流，利用二极管的电流-温度特性(如果温度变高则针对同一电流值的正向电压(VF)变低的特性)，通过驱动电路内的比较器，判断电力用半导体装置的芯片的温度是否为与基准电压对应的温度以上。然后，在利用二极管得出的检测温度成为设定值以上的情况下，向控制电路输出报警信号，并且向栅极驱动电路也输出信号而将电力用半导体装置强制地切断。另外，在输出了报警信号的情况下，在控制电路中也进行装置的强制停止。电力用半导体装置是例如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，在一个半导体基板上具备开关元件和温度检测用二极管。利用图1，说明
温度检测用二极管的VF的偏差。图1是示出温度检测用二极管的VF和温度的关系(温度特性)的图。在图1中，示出了串联连接了2级温度检测用二极管的情况下的温度特性(流过了200μA的偏置电流时的温度(℃)和温度检测用二极管的VF(V)的关系)。关于IGBT的温度检测用二极管的VF，例如如图1所示，在常温(25℃)下，为±6％的偏差，如果还加上温度系数，则在175℃下，为±20％以上的偏差。虚线A是典型的值，实线B、C是作为表示25℃下的±6％的偏差的上限以及下限的线的、与虚线A平行的(将典型的值和温度系数设为相同)直线。实线D、C是将25℃下的±6％的偏差的上限以及下限和175℃本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子装置，其特征在于，具备：电力用半导体装置；第1半导体集成电路装置，驱动所述电力用半导体装置；以及第2半导体集成电路装置，控制所述第1半导体集成电路装置，所述电力用半导体装置具备：开关晶体管；以及温度检测用二极管，所述第1半导体集成电路装置具备：驱动电路，驱动所述开关晶体管；以及检测电路，从所述温度检测用二极管检测VF，所述第2半导体集成电路装置具备：控制部，控制所述驱动电路；外部气温取得部，取得外部气温信息；存储装置，储存所述温度检测用二极管的温度特性数据和第1温度下的基于来自所述检测电路的信号的第1值；以及温度运算处理部，根据基于来自所述检测电路的信号的第3值、所述温度特性数据、由所述外部气温取得部取得的所述第1温度以及所述第1值，计算所述电力用半导体装置的温度。
【技术特征摘要】
2015.03.05 JP 2015-043381;2015.12.25 JP 2015-253341.一种电子装置，其特征在于，具备：电力用半导体装置；第1半导体集成电路装置，驱动所述电力用半导体装置；以及第2半导体集成电路装置，控制所述第1半导体集成电路装置，所述电力用半导体装置具备：开关晶体管；以及温度检测用二极管，所述第1半导体集成电路装置具备：驱动电路，驱动所述开关晶体管；以及检测电路，从所述温度检测用二极管检测VF，所述第2半导体集成电路装置具备：控制部，控制所述驱动电路；外部气温取得部，取得外部气温信息；存储装置，储存所述温度检测用二极管的温度特性数据和第1温度下的基于来自所述检测电路的信号的第1值；以及温度运算处理部，根据基于来自所述检测电路的信号的第3值、所述温度特性数据、由所述外部气温取得部取得的所述第1温度以及所述第1值，计算所述电力用半导体装置的温度。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第2半导体集成电路装置具备温度系数计算部，该温度系数计算部根据所述第1值和在由所述外部气温取得部取得的第2温度下基于来自所述检测电路的信号的第2值，计算所述温度特性数据。3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述外部气温取得部根据对外部气温检测器的输出进行A/D变换而得到的值或者PC温度设定值来取得。4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电力用半导体装置具备具有该电力用半导体装置的ID信息的ID电路，所述第1半导体集成电路装置具备从所述ID电路读出所述ID信息的ID读出电路，所述第2半导体集成电路装置具备识别来自所述ID读出电路的所述ID信息的ID识别部，根据所述ID信息，将通过制造所述电力用半导体装置时的晶片测试而得到的所述温度特性数据储存到所述存储装置。5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述第2半导体集成电路装置具备用于将在外部存储装置中储存的所述温度特性数据储存到所述存储装置的PC接口。6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述温度特性数据是通过所述晶片测试的第1温度以及第2温度下的测试得到的数据。7.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，在所述ID信息中包括所述温度特性数据。8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述温度特性是通过所述晶片测试的第1温度以及第2温度下的测试得到的。9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第2半导体集成电路装置具备CPU和储存程序的存储器。10.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述存储装置以及存储器是闪存存储器。11.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：鹤丸诚，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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